公开(公告)号：CN119805678A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202510293098.2

申请日：2025-03-13

Applicant: 中北大学

Inventor： 李志强 ,  梁庭 ,  雷程 ,  路晶 ,  李腾腾 ,  刘佳 ,  贾平岗

IPC: G02B6/38

Abstract: 本发明提供一种光纤垂直集成单元及制作方法，其中，方法包括：设置于平面芯片上的搭载有光纤插芯的光纤插芯固定基座，所述光纤插芯中穿设有光纤单体；其中，所述光纤插芯固定基座靠近所述平面芯片的第一面设置有对应第一尺寸的胶体填充槽，所述光纤插芯固定基座远离所述平面芯片的第二面设置有与所述胶体填充槽同心且连通的对应第二尺寸的光纤插芯限位孔，所述光纤插芯穿设所述光纤插芯限位孔至所述光纤插芯的端部伸入所述胶体填充槽中、并将所述光纤单体抵接于所述平面芯片，所述光纤插芯与所述胶体填充槽之间形成的间隔空间中设置有高温胶层。

公开(公告)号：CN119797274A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202510293028.7

申请日：2025-03-13

Applicant: 中北大学

Inventor： 李志强 ,  梁庭 ,  雷程 ,  路晶 ,  刘士琳 ,  余建刚 ,  贾平岗

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  G01N21/956 ,  G06F30/20

Abstract: 本发明提供一种n型SiC耐高温欧姆接触电极结构的制备方法，包括以下步骤：对碳化硅结构进行清洗，其中，碳化硅结构包括层叠设置的碳化硅衬底、缓冲层以及外延层；对完成清洗的碳化硅结构进行氧化，形成位于所述外延层之上的氧化硅层；基于湿法腐蚀对氧化硅层进行去除，并在完成对氧化硅层的去除后对外延层进行氢等离子体处理；对外延层远离缓冲层的一侧进行图案化处理，形成位于外延层之上的传输线模型；对传输线模型进行金属沉积，形成位于传输线模型之上的金属层，其中，金属层包括层叠设置的钛金属层、碳化钛金属层以及铂金属层；对金属层进行退火操作，以形成欧姆接触电极结构。本发明至少提高了化学及机械稳定性。