-
公开(公告)号：CN102159625B
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN200980136580.4
申请日：2009-09-18
IPC: C08J3/12
CPC classification number: C08J3/12 , C08J2327/12
Abstract: 本发明提供了一种用于不损害乙烯基系聚合物微粒所具有的良好的机械特性等各种物性、粒子直径的控制性等特性地得到表面的亲水化程度高的乙烯基系聚合物微粒的制备方法、以及这样的亲水化粒子。本发明的亲水化微粒的制备方法是通过进行使必须含有氟气和含氧原子的化合物的气体的混合气体与基材粒子接触的处理，使基材粒子的表面亲水化，从而制备亲水化微粒的方法，其特征在于，以质量平均粒子直径为1000μm以下的乙烯基系聚合物微粒为基材粒子，且混合气体中的氟气的浓度为0.01-1.0体积％。
-
公开(公告)号：CN102159625A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200980136580.4
申请日：2009-09-18
IPC: C08J3/12
CPC classification number: C08J3/12 , C08J2327/12
Abstract: 本发明提供了一种用于不损害乙烯基系聚合物微粒所具有的良好的机械特性等各种物性、粒子直径的控制性等特性地得到表面的亲水化程度高的乙烯基系聚合物微粒的制备方法、以及这样的亲水化粒子。本发明的亲水化微粒的制备方法是通过进行使必须含有氟气和含氧原子的化合物的气体的混合气体与基材粒子接触的处理，使基材粒子的表面亲水化，从而制备亲水化微粒的方法，其特征在于，以质量平均粒子直径为1000μm以下的乙烯基系聚合物微粒为基材粒子，且混合气体中的氟气的浓度为0.01-1.0体积％。
-
公开(公告)号：CN101659409B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200910163506.3
申请日：2004-10-09
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C04B35/536 , C01P2006/80 , C04B35/522 , C04B35/64 , C04B35/83 , C04B41/009 , C04B41/5059 , C04B41/87 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/6582 , C04B2235/661 , C04B2235/72 , C04B2235/722 , C04B2235/723 , C04B2235/724 , C04B2235/726 , C04B2235/727 , C30B29/36 , C30B35/00 , Y10T428/2918 , Y10T428/30 , Y10T428/31504 , C04B41/4531
Abstract: 本发明提供用于制造半导体等单晶的高纯度碳材料、用作陶瓷膜被覆用基底材料的高纯度碳材料和陶瓷膜覆盖的高纯度碳材料，该材料减少了容易与碳原子结合的氧气、氮气、氯气等气体和磷、硫、硼这样通过热容易与碳原子结合的元素。本发明的高纯度碳材料通过SIMS分析法所测定的氧的含量为1×1018原子/cm3或以下。此外，优选通过SIMS分析法所测定的氯含量为1×1016原子/cm3或以下。并且，优选通过SIMS分析法所测定的氮含量为5×1018原子/cm3或以下。优选磷、硫、硼的含量也在规定值以下。将这样的高纯度碳材料用陶瓷膜被覆。
-
公开(公告)号：CN101001978B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200580024815.2
申请日：2005-07-01
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/32 , C30B29/36 , H01L21/205 , H01L21/68
CPC classification number: G01N23/2258 , C23C16/4581 , C30B25/12 , C30B29/36 , H01L21/68757
Abstract: 本发明提供一种通过保持晶片周边的Si和C的浓度恒定且抑制颗粒的产生，可获得高品质SiC半导体晶体的衬托器。本发明的衬托器是载置晶片的部分的至少一部分为碳化钽或碳化钽包覆石墨材料的、碳化硅包覆石墨材料的衬托器。载置上述晶片的部分也可是自由分离的部件。又，载置上述晶片的部分的周边部也可以是自由分离的碳化硅包覆石墨材料。
-
公开(公告)号：CN101001978A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200580024815.2
申请日：2005-07-01
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: C23C16/44 , C23C16/32 , C30B29/36 , H01L21/205 , H01L21/68
CPC classification number: G01N23/2258 , C23C16/4581 , C30B25/12 , C30B29/36 , H01L21/68757
Abstract: 本发明提供一种通过保持晶片周边的Si和C的浓度恒定且抑制颗粒的产生，可获得高品质SiC半导体晶体的衬托器。本发明的衬托器是载置晶片的部分的至少一部分为碳化钽或碳化钽包覆石墨材料的、碳化硅包覆石墨材料的衬托器。载置上述晶片的部分也可是自由分离的部件。又，载置上述晶片的部分的周边部也可以是自由分离的碳化硅包覆石墨材料。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1623894A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410092101.2
申请日：2004-10-09
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C04B35/536 , C01P2006/80 , C04B35/522 , C04B35/64 , C04B35/83 , C04B41/009 , C04B41/5059 , C04B41/87 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/6582 , C04B2235/661 , C04B2235/72 , C04B2235/722 , C04B2235/723 , C04B2235/724 , C04B2235/726 , C04B2235/727 , C30B29/36 , C30B35/00 , Y10T428/2918 , Y10T428/30 , Y10T428/31504 , C04B41/4531
Abstract: 本发明提供用于制造半导体等单晶的高纯度碳材料、用作陶瓷膜被覆用基底材料的高纯度碳材料和陶瓷膜覆盖的高纯度碳材料，该材料减少了容易与碳原子结合的氧气、氮气、氯气等气体和磷、硫、硼这样通过热容易与碳原子结合的元素。本发明的高纯度碳材料通过SIMS分析法所测定的氧的含量为1×1018原子/cm3或以下。此外，优选通过SIMS分析法所测定的氯含量为1×1016原子/cm3或以下。并且，优选通过SIMS分析法所测定的氮含量为5×1018原子/cm3或以下。优选磷、硫、硼的含量也在规定值以下。将这样的高纯度碳材料用陶瓷膜被覆。
-
公开(公告)号：CN101959594B
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN200980107772.2
申请日：2009-03-06
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: B01J19/00 , B01D53/68 , C08J7/12 , C23C8/08 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/6719 , B01J4/008 , H01L21/67017 , H01L21/67109
Abstract: 本发明的表面处理装置(100)具备：稀释气体供给装置(1)，氟气供给装置(2)，混合稀释气体与氟气的混合器(5)，以及采用由混合器(5)生成的混合气体对被处理物进行处理的反应器(6)。由加热器(8)对从稀释气体供给装置供给的稀释气体进行加热，在混合器(5)中混合加热后的稀释气体与从氟气供给装置供给的氟气。混合后的气体向反应器(6)输送。反应器(6)内的气体通过排气装置(207)从反应器(6)导向流路(219、220、221、222)。阀(223、224、225、226)依次打开，通过使用流路(219、220、221、222)，一边调整反应器(6)内的气体的流量一边将反应器(6)内的气体向除害装置(208)输送。
-
公开(公告)号：CN101959594A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN200980107772.2
申请日：2009-03-06
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: B01J19/00 , B01D53/68 , C08J7/12 , C23C8/08 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/6719 , B01J4/008 , H01L21/67017 , H01L21/67109
Abstract: 本发明的表面处理装置(100)具备：稀释气体供给装置(1)，氟气供给装置(2)，混合稀释气体与氟气的混合器(5)，以及采用由混合器(5)生成的混合气体对被处理物进行处理的反应器(6)。由加热器(8)对从稀释气体供给装置供给的稀释气体进行加热，在混合器(5)中混合加热后的稀释气体与从氟气供给装置供给的氟气。混合后的气体向反应器(6)输送。反应器(6)内的气体通过排气装置(207)从反应器(6)导向流路(219、220、221、222)。阀(223、224、225、226)依次打开，通过使用流路(219、220、221、222)，一边调整反应器(6)内的气体的流量一边将反应器(6)内的气体向除害装置(208)输送。
-
公开(公告)号：CN101659409A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910163506.3
申请日：2004-10-09
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C04B35/536 , C01P2006/80 , C04B35/522 , C04B35/64 , C04B35/83 , C04B41/009 , C04B41/5059 , C04B41/87 , C04B2235/658 , C04B2235/6581 , C04B2235/6582 , C04B2235/661 , C04B2235/72 , C04B2235/722 , C04B2235/723 , C04B2235/724 , C04B2235/726 , C04B2235/727 , C30B29/36 , C30B35/00 , Y10T428/2918 , Y10T428/30 , Y10T428/31504 , C04B41/4531
Abstract: 本发明提供用于制造半导体等单晶的高纯度碳材料、用作陶瓷膜被覆用基底材料的高纯度碳材料和陶瓷膜覆盖的高纯度碳材料，该材料减少了容易与碳原子结合的氧气、氮气、氯气等气体和磷、硫、硼这样通过热容易与碳原子结合的元素。本发明的高纯度碳材料通过SIMS分析法所测定的氧的含量为1×10 18 原子/cm 3 或以下。此外，优选通过SIMS分析法所测定的氯含量为1×10 16 原子/cm 3 或以下。并且，优选通过SIMS分析法所测定的氮含量为5×10 18 原子/cm 3 或以下。优选磷、硫、硼的含量也在规定值以下。将这样的高纯度碳材料用陶瓷膜被覆。
-
公开(公告)号：CN100339503C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200410098138.6
申请日：2004-10-28
Applicant: 东洋炭素株式会社
Inventor： 藤田一郎
CPC classification number: C04B41/009 , C01B32/20 , C04B41/5059 , C04B41/87 , C23C16/325 , C30B25/02 , C30B29/36 , Y10T428/30 , C04B41/4531 , C04B35/522 , C04B35/52 , C04B35/83
Abstract: 本发明提供一种氮和硼等杂质少的SiC覆膜碳系材料及SiC包覆用的碳系材料。SiC覆膜碳系材料由具有利用SIMS分析法测定氮含量为5×1016原子/cm3或以下的SiC覆膜的碳系材料构成。而且SiC覆膜碳系材料是由具有利用SIMS分析法测定硼含量为2×1016原子/cm3或以下的SiC覆膜的碳系材料构成的。此外，该碳系材料优选利用SIMS分析法测定的氮含量为5×1018原子/cm3或以下。并且，该碳系材料优选利用SIMS分析法测定的硼含量为1×1016原子/cm3或以下。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
14
records
(took 0.029 seconds)
