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公开(公告)号：CN105280474B
公开(公告)日：2018-07-24
申请号：CN201510313924.1
申请日：2015-06-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 近藤昌树
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67253 , B23K26/0626 , B23K26/361 , B23K26/362 , H01L21/02087 , H01L21/6708 , H01L21/67115 , H01L22/00
Abstract: 本发明提供一种蚀刻处理方法以及斜角蚀刻装置，该斜角蚀刻装置监视被照射到基板的斜角部之前的激光并检测激光的输出值的变动。该蚀刻处理方法使用了斜角蚀刻装置，该斜角蚀刻装置具备激光发生器和测量从上述激光发生器输出的激光的功率计，照射激光来蚀刻基板，该蚀刻处理方法包括以下工序：在照射激光来蚀刻基板之前，向功率计将激光照射规定时间；利用上述功率计来测量激光的输出值；判定进行上述测量得到的激光的输出值相对于从上述激光发生器输出的激光的输出设定值而言是否处于规定阈值的范围内。
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公开(公告)号：CN101752222A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910254050.1
申请日：2009-12-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/6708 , B08B7/0042 , B23K26/0006 , B23K26/0823 , B23K26/12 , B23K26/127 , B23K26/14 , B23K26/16 , B23K26/352 , B23K2101/40 , B23K2103/56 , H01L21/67115 , H01L21/67742 , H01L21/681
Abstract: 本发明提供异物除去装置和异物除去方法。异物除去方法，能使向被处理基板的热量输入适当而消除不必要的加热、消除多余的处理从而缩短处理时间。该异物除去方法包括：测定用激光照射步骤，对被处理基板照射外径尺寸测定用的激光；输出检测步骤，使在测定用的激光中除被基板的端部遮挡的激光外余下的激光受光并检测激光的输出；旋转角检测步骤，检测旋转的基板的旋转角；计算步骤，基于由输出检测步骤检测出的数据和由旋转角检测步骤检测出的数据计算基板的外径尺寸；分解步骤，基于算出的外径尺寸，从基板外周端对规定范围基板表面，照射照射截面为矩形的异物清洗用激光，喷射与异物反应的处理气体，分解、除去附着于规定范围的基板表面的异物。
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公开(公告)号：CN101752222B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200910254050.1
申请日：2009-12-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/6708 , B08B7/0042 , B23K26/0006 , B23K26/0823 , B23K26/12 , B23K26/127 , B23K26/14 , B23K26/16 , B23K26/352 , B23K2101/40 , B23K2103/56 , H01L21/67115 , H01L21/67742 , H01L21/681
Abstract: 本发明提供异物除去装置和异物除去方法。异物除去方法，能使向被处理基板的热量输入适当而消除不必要的加热、消除多余的处理从而缩短处理时间。该异物除去方法包括：测定用激光照射步骤，对被处理基板照射外径尺寸测定用的激光；输出检测步骤，使在测定用的激光中除被基板的端部遮挡的激光外余下的激光受光并检测激光的输出；旋转角检测步骤，检测旋转的基板的旋转角；计算步骤，基于由输出检测步骤检测出的数据和由旋转角检测步骤检测出的数据计算基板的外径尺寸；分解步骤，基于算出的外径尺寸，从基板外周端对规定范围基板表面，照射照射截面为矩形的异物清洗用激光，喷射与异物反应的处理气体，分解、除去附着于规定范围的基板表面的异物。
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公开(公告)号：CN102097292A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010531377.1
申请日：2010-10-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: B08B6/00 , H01L21/67028 , H01L21/67742 , H01L21/6833
Abstract: 本发明提供去除附着在运送臂上的污染物的运送臂的清洁方法、基片处理装置及其清洁方法。通过提供运送臂的清洁方法来解决上述问题，该清洁方法是一种用于进行基片的运送并具有静电吸盘的运送臂的清洁方法，其特征在于，在所述运送臂上附着有带电的异物的情况下，具有在所述运送臂上没有载置所述基片的状态下向所述静电吸盘的每个电极施加极性与带电的异物的电荷极性相同的电压的电压施加工序，并且去除附着在所述运送臂上的异物。
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公开(公告)号：CN101996865B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010258179.2
申请日：2010-08-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种聚合物除去装置和聚合物除去方法，能提高生产能力且能抑制伴随被处理基板的旋转产生的微粒和因热应力导致的聚合物的剥离，能除去以环状附着在被处理基板的周缘部上的聚合物。该聚合物除去装置对以环状附着在被处理基板(W)的周缘部上的聚合物(2)进行除去，包括：处理容器(11)，收容在周缘部上以环状附着有聚合物的被处理基板(W)；载置被处理基板(W)的载置台(12)；激光照射部(20)，使环状激光一并照射在以环状附着在被处理基板(W)的聚合物(2)上；臭氧气体供给机构(15、19)，向以环状附着在被处理基板(W)上的所述聚合物供给臭氧气体；和对臭氧气体进行排气的排气机构(23、24)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101996865A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010258179.2
申请日：2010-08-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种聚合物除去装置和聚合物除去方法，能提高生产能力且能抑制伴随被处理基板的旋转产生的微粒和因热应力导致的聚合物的剥离，能除去以环状附着在被处理基板的周缘部上的聚合物。该聚合物除去装置对以环状附着在被处理基板(W)的周缘部上的聚合物(2)进行除去，包括：处理容器(11)，收容在周缘部上以环状附着有聚合物的被处理基板(W)；载置被处理基板(W)的载置台(12)；激光照射部(20)，使环状激光一并照射在以环状附着在被处理基板(W)的聚合物(2)上；臭氧气体供给机构(15、19)，向以环状附着在被处理基板(W)上的所述聚合物供给臭氧气体；和对臭氧气体进行排气的排气机构(23、24)。
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公开(公告)号：CN105280474A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510313924.1
申请日：2015-06-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 近藤昌树
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/67253 , B23K26/0626 , B23K26/361 , B23K26/362 , H01L21/02087 , H01L21/6708 , H01L21/67115 , H01L22/00 , H01L21/02021
Abstract: 本发明提供一种蚀刻处理方法以及斜角蚀刻装置，该斜角蚀刻装置监视被照射到基板的斜角部之前的激光并检测激光的输出值的变动。该蚀刻处理方法使用了斜角蚀刻装置，该斜角蚀刻装置具备激光发生器和测量从上述激光发生器输出的激光的功率计，照射激光来蚀刻基板，该蚀刻处理方法包括以下工序：在照射激光来蚀刻基板之前，向功率计将激光照射规定时间；利用上述功率计来测量激光的输出值；判定进行上述测量得到的激光的输出值相对于从上述激光发生器输出的激光的输出设定值而言是否处于规定阈值的范围内。
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公开(公告)号：CN102612739A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201080050835.8
申请日：2010-11-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/677 , B65G49/07
CPC classification number: H01L21/6833 , H01L21/67742
Abstract: 提供一种基板处理装置，包括：运送臂，所述运送臂能够载放所述基板、并具有吸附被载放的所述基板的静电吸盘，并且所述运算臂进行所述基板的运送；以及控制部，当在所述基板被载放在所述运送臂上的情况下所述运送臂的动作处于停止时，所述控制部不向所述静电吸盘的电极间施加用于使所述静电吸盘吸附所述基板的电压，当在所述基板被载放在所述运送臂上的情况下所述运送臂进行动作时，所述控制部向所述电极间施加所述电压。
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公开(公告)号：CN101310041A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200780000117.8
申请日：2007-01-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/44 , H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/205 , H01L21/304 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/67253 , C23C16/4408 , C23C16/54 , H01L21/02041 , H01L21/67196 , H01L21/67288 , Y10S414/139
Abstract: 本发明涉及真空处理装置和真空处理方法。排气机构(24)以一定的排气量或排气速度对真空搬送室(10)内进行真空排气。平常时间排气阀(36)被保持为打开状态，吹扫气体(N2气)由吹扫气体供给源(30)通过MFC(34)和开关阀(36)供给真空搬送室(10)内。主控制部(38)通过对MFC(34)的流量设定值将真空搬送室(10)内的压力控制在规定的范围内，同时通过真空计(40)监控真空搬送室(10)内的压力，压力超过规定的上限值时判断为异常，采取对MFC34的流量设定值的更改、警报的产生、装置运转的停止等处置。
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