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公开(公告)号：CN102169826A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201110036950.6
申请日：2011-02-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/0035 , H01L21/67178 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，在通过双重图案形成微细的抗蚀图案时，能够降低基板之间以及基板面内的第一次和第二次抗蚀图案的线宽的偏差。该基板处理方法具有第一处理工序和第二处理工序，在该第一处理工序中，通过对形成有第一抗蚀剂膜的基板进行曝光、加热处理、显影处理来形成第一抗蚀图案，在该第二处理工序中，在形成有第一抗蚀图案的基板上形成第二抗蚀剂膜，通过对形成有第二抗蚀剂膜的基板进行曝光、加热处理、显影处理来形成第二抗蚀图案。根据形成于一个基板上的第二抗蚀图案的线宽的测量值来校正第一处理工序的第一处理条件，根据形成于一个基板上的第一抗蚀图案的线宽的测量值来校正第二处理工序的第二处理条件。
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公开(公告)号：CN1918694A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200480041995.0
申请日：2004-12-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/30
CPC classification number: H01L21/67051 , G03F7/3021 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/6719 , Y10S134/902
Abstract: 将曝光完毕的基板保持于旋转吸盘并使其绕铅直轴旋转，一边从显影液喷嘴喷出显影液，一边从晶片外缘朝向中央部移动显影液喷嘴，由此向晶片表面供给显影液，其中所述显影液喷嘴具有纵长方向朝向晶片半径方向的垂直方向的狭缝状的喷出口。与使用具有小径圆形喷出口的喷嘴的情况相比，可以加快喷嘴的移动速度，实现显影时间的缩短。再者，由于可以减小基板上的显影液膜的厚度，所以可以节约显影液。
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公开(公告)号：CN110764374A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911132118.9
申请日：2014-08-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/30 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种显影方法，用于进行显影，其包括：将曝光后的基板水平地保持在基板保持部上的步骤；从显影液喷嘴向基板的一部分供给显影液形成积液的步骤；使基板旋转的步骤；使上述显影液喷嘴移动，以使得进行旋转的上述基板上的显影液的供给位置沿着该基板的径向进行移动，从而使上述积液扩展到基板的整个表面的步骤；和与使上述积液扩展到基板的整个表面的步骤并行进行，使与上述显影液喷嘴一起移动的接触部与上述积液接触的步骤，其中，上述接触部与上述基板相对的面比上述基板的表面小。根据该方法能够抑制落到基板外的液体量。另外，由于能够降低基板的转速，所以，能够抑制液体飞溅。并且，通过搅拌显影液，能够提高处理能力。
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公开(公告)号：CN102103988B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201010530496.5
申请日：2010-10-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/00
Abstract: 本发明提供基板的处理方法、程序和计算机存储介质，在将双重图案化中第二次的抗蚀剂液的供给量控制为少量，并在基板上形成规定的抗蚀剂图案。在形成有被处理膜(F)的晶片(W)上涂敷抗蚀剂液形成第一抗蚀剂膜(R1)(图7(b))。之后，有选择地将第一抗蚀剂膜(R1)曝光、显影从而形成第一抗蚀剂图案(P1)(图7(c))。之后，在第一抗蚀剂图案(P1)的表面(P1a)涂敷醚类表面改性剂，将该表面(P1a)改性(图7(d))。之后，在形成有第一抗蚀剂(P1)的晶片(W)上涂敷抗蚀剂液形成第二抗蚀剂膜(R2)(图7(e))。之后，有选择地将第二抗蚀剂膜(R2)曝光、显影从而在与第一抗蚀剂图案(P1)相同的层形成第二抗蚀剂图案(P2)(图7(f))。
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公开(公告)号：CN102169826B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201110036950.6
申请日：2011-02-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/0273 , G03F7/0035 , H01L21/67178 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，在通过双重图案形成微细的抗蚀图案时，能够降低基板之间以及基板面内的第一次和第二次抗蚀图案的线宽的偏差。该基板处理方法具有第一处理工序和第二处理工序，在该第一处理工序中，通过对形成有第一抗蚀剂膜的基板进行曝光、加热处理、显影处理来形成第一抗蚀图案，在该第二处理工序中，在形成有第一抗蚀图案的基板上形成第二抗蚀剂膜，通过对形成有第二抗蚀剂膜的基板进行曝光、加热处理、显影处理来形成第二抗蚀图案。根据形成于一个基板上的第二抗蚀图案的线宽的测量值来校正第一处理工序的第一处理条件，根据形成于一个基板上的第一抗蚀图案的线宽的测量值来校正第二处理工序的第二处理条件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101002302A
公开(公告)日：2007-07-18
申请号：CN200580026997.7
申请日：2005-07-29
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/20
CPC classification number: G03F7/70925 , G03F7/70341 , G03F7/70916
Abstract: 在晶片表面形成抗蚀剂膜；为了对抗蚀剂膜照射曝光光线，在与抗蚀剂膜对置的光学部件和晶片的表面之间以使曝光光线透过并且具有清洗晶片表面以及光学部件表面功能的液体形成液层；使从光学部件照射的曝光光线通过液层以预定的图形照射在抗蚀剂膜上，由此，对抗蚀剂膜进行曝光；对曝光结束后的晶片进行显影，在晶片上形成预定的图形。
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公开(公告)号：CN1923381A
公开(公告)日：2007-03-07
申请号：CN200610126007.3
申请日：2006-08-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67051
Abstract: 在对基板表面进行旋转清洗时，减少在基板上残留的水滴，抑制例如曝光后的加热处理时的水滴或水印引起的加热斑。使来自清洗液喷嘴的清洗液的供给位置从基板的中央部向周边移动，同时，相对于比供给位置位于基板旋转方向下游侧的区域，向基板的外侧喷出气体。由此，在清洗液在基板的表面上稍微流动并成为液膜状态下，利用气流对其作用向外侧的力，所以在圆周方向流动的液流向外侧移动。利用在高度与喷出口相同或比其低的位置上形成的液体挤压面部来约束从清洗液喷嘴喷出的清洗液，因为形成液体块，所以即使低速旋转，离心力也变大，使该液体块向外的作用变大。
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公开(公告)号：CN104345580A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410382270.3
申请日：2014-08-05
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/30 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供一种显影方法，用于进行显影，其包括：将曝光后的基板水平地保持在基板保持部上的步骤；从显影液喷嘴向基板的一部分供给显影液形成积液的步骤；使基板旋转的步骤；使上述显影液喷嘴移动，以使得进行旋转的上述基板上的显影液的供给位置沿着该基板的径向进行移动，从而使上述积液扩展到基板的整个表面的步骤；和与使上述积液扩展到基板的整个表面的步骤并行进行，使与上述显影液喷嘴一起移动的接触部与上述积液接触的步骤，其中，上述接触部与上述基板相对的面比上述基板的表面小。根据该方法能够抑制落到基板外的液体量。另外，由于能够降低基板的转速，所以，能够抑制液体飞溅。并且，通过搅拌显影液，能够提高处理能力。
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公开(公告)号：CN102650835A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210043808.9
申请日：2012-02-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/30
CPC classification number: G03F7/40 , G03F7/3021 , G03F7/325
Abstract: 本发明提供一种显影处理方法和显影处理装置，其在使用含有有机溶剂的显影液的显影处理中，能够使处理时间缩短并能够使处理能力提高。在对在表面涂布有抗蚀剂并对抗蚀剂进行曝光后的基板供给含有有机溶剂的显影液来进行显影的显影处理方法中，具有：使基板旋转(步骤S1)，并从显影液供给喷嘴对基板的中心部供给显影液，形成液膜形成的液膜形成工序(步骤A)；和停止从显影液供给喷嘴向基板供给显影液，并在不使显影液的液膜干燥的状态下一边使基板旋转，一边对基板上的抗蚀剂膜进行显影的显影工序(步骤B)。
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公开(公告)号：CN101840151B
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201010135525.8
申请日：2010-03-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/00
CPC classification number: G03F7/7075 , G03F7/0035 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/40 , G03F7/70341 , H01L21/6715 , H01L21/6719 , H01L21/67742
Abstract: 本发明提供一种连续多次在基板上形成抗蚀剂图案的涂布显影装置，能防止基板受颗粒的污染。该涂布显影装置包括控制部和基板侧面疏水模块，该控制部控制基板搬送单元和各模块的动作以对基板实施由疏水模块至少对基板侧面部进行疏水处理的步骤和由涂布模块全面地进行第一抗蚀剂涂布的步骤中的一个和另一个，还实施由曝光装置进行第一液浸曝光后，由显影模块进行第一显影的步骤，之后由涂布模块全面地进行第二抗蚀剂涂布的步骤，和由曝光装置进行第二液浸曝光之后，由显影模块进行第二显影的步骤，该基板侧面部疏水模块用于从第一显影完成后至进行第二液浸曝光的期间对基板的侧面部进行疏水处理。
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