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公开(公告)号：CN113311672B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202110220216.9
申请日：2021-02-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/30
Abstract: 提供显影处理装置和显影处理方法：短尺寸的第1显影液供给部和长度为俯视时基板直径以上的长尺寸的第2显影液供给部能共用接收从基板飞散的显影液的液接收部。显影处理装置对基板上的抗蚀膜进行显影，具有：基板保持部，将基板保持为水平；旋转机构，使基板保持部绕铅垂轴旋转；第1和第2显影液供给部，向基板供给显影液；以及液接收部，接收来自基板的显影液，第1显影液供给部长度为俯视时小于基板直径，第2显影液供给部长度为俯视时基板直径以上，液接收部的环状的第1和第2环状壁具有俯视时直径大于基板直径的圆状的开口，第2环状壁设于第1环状壁上方，第1和第2环状壁能彼此独立升降，第1环状壁与第2环状壁在铅垂方向上距离可变。
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公开(公告)号：CN108153117B
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN201711247835.7
申请日：2017-12-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/30
Abstract: 本发明提供一种有效地抑制处理进行的程度由于基片上的位置不同而产生偏差的装置。涂敷、显影装置(2)包括旋转保持部(30)、显影液供给部(40)和控制器(100)。控制器执行：在晶片(W)的表面(Wa)上形成冲洗液的积液之后，使显影液供给部的喷嘴(41)的接液面与该冲洗液的积液接触，从喷嘴排出显影液形成稀释显影液的积液的控制；使晶片以第一转速旋转的控制，上述第一转速是使得与接液面的外周相比位于内侧的稀释显影液保留在接液面和表面之间，与接液面的外周相比位于外侧的稀释显影液向晶片的外周侧扩展的转速；和在晶片以比第一转速小的第二转速进行旋转的状态下，一边排出显影液，一边使喷嘴向晶片的外周侧移动的控制。
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公开(公告)号：CN106971941B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201610849869.2
申请日：2016-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够更切实地抑制显影的进行量由于基板上的位置的不同而产生偏差的基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括：在使晶圆以第一转速旋转、使接液面与晶圆的表面相对的状态下，从喷出口向晶圆的表面供给显影液，一边使接液面与显影液接触一边使喷嘴移动，从而在晶圆的表面上形成显影液的液膜；在液膜形成在晶圆的表面上之后，在来自喷出口的显影液的供给停止了的状态下，以比第一转速低的第二转速使晶圆旋转；在以第二转速使晶圆旋转之后，以比第一转速高的第三转速使晶圆旋转；在以第三转速使晶圆旋转之后，使晶圆的转速为第二转速以下，从而在晶圆的表面上保持液膜。
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公开(公告)号：CN107785292A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710733231.7
申请日：2017-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/027 , G03F7/30
CPC classification number: H01L21/6715 , G03F7/3092 , H01L21/0274
Abstract: 一种基板处理装置和基板处理方法。在基板处理方法中，向被支承成可旋转的基板供给第1处理液或第2处理液，对基板进行处理，即使是该基板处理方法包括使基板低速旋转的工序的情况下，也按照类别回收来自基板的处理液。在显影处理装置中，在正型显影处理之际，使分配部上升，将来自晶圆的正型显影液从分配部与固定杯之间向正型用回收口引导，在负型显影处理之际，使分配部下降，将来自晶圆的负型显影液从分配部与外周壁之间向负型用回收口引导。在固定杯的外周端形成有在分配部下降后该分配部的内周侧端落入的台阶，以使在负型显影处理之际负型显影液不被向正型用回收口引导，并且分配部的上表面的角度形成得比台阶的形成上部的倾斜面的角度大。
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公开(公告)号：CN104854681B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201380065321.3
申请日：2013-12-12
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/67051 , B08B5/00 , B08B5/02 , B08B5/023 , H01L21/67028 , H01L21/67034
Abstract: 基板液体处理装置包括：保持晶片进行旋转的卡盘(13)；向晶片的背面喷射吹扫气体的背面吹扫喷嘴(15)；和将吹扫气体喷到晶片的背面的周缘吹扫喷嘴(16)。背面吹扫喷嘴具有当俯视时从基板的中心侧延伸到周缘侧的缝隙状的开口部(15a)，该缝隙状的开口部与由卡盘保持的基板之间的铅直方向距离随着靠近该开口部的基板中心侧的端部而变宽。周缘吹扫喷嘴向着基板的背面中的、比背面吹扫喷嘴的缝隙状的开口部的基板周缘侧的端部更靠外侧且比基板的周缘的端面靠内侧的区域，将吹扫气体喷向基板的中心部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100478786C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200610008997.0
申请日：2006-01-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: H01L21/67051 , H01L21/68742
Abstract: 在密闭容器(41)的内部，晶片(W)通过真空卡盘(42)以在密闭容器(41)内面和晶片(W)之间形成有小的间隙的状态被水平保持。在从流体供给路径(5)端部的流体供给孔(40)朝向晶片(W)的表面的中心部供给清洗液的同时，从沿着以晶片(W)的中线轴线为中心的圆周设置在密闭容器(41)的底部的沟的形态的流体排出部(44)排出清洗液。清洗液在充满晶片(W)表面和密闭容器(41)之间的间隙的状态下从晶片(W)的中心部向边缘部一边展宽一边流动，除去晶片上附着的粒子，从流体排出部(44)排出。能够不旋转晶片(W)地确实而且均匀地除去粒子。清洗装置(4)整体的尺寸也小。
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公开(公告)号：CN113745098B
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202110930665.2
申请日：2016-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/67 , G03F7/30
Abstract: 本发明提供一种能够更切实地抑制显影的进行量由于基板上的位置的不同而产生偏差的基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括：在使晶圆以第一转速旋转、使接液面与晶圆的表面相对的状态下，从喷出口向晶圆的表面供给显影液，一边使接液面与显影液接触一边使喷嘴移动，从而在晶圆的表面上形成显影液的液膜；在液膜形成在晶圆的表面上之后，在来自喷出口的显影液的供给停止了的状态下，以比第一转速低的第二转速使晶圆旋转；在以第二转速使晶圆旋转之后，以比第一转速高的第三转速使晶圆旋转；在以第三转速使晶圆旋转之后，使晶圆的转速为第二转速以下，从而在晶圆的表面上保持液膜。
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公开(公告)号：CN107785292B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN201710733231.7
申请日：2017-08-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/027 , G03F7/30
Abstract: 一种基板处理装置和基板处理方法。在基板处理方法中，向被支承成可旋转的基板供给第1处理液或第2处理液，对基板进行处理，即使是该基板处理方法包括使基板低速旋转的工序的情况下，也按照类别回收来自基板的处理液。在显影处理装置中，在正型显影处理之际，使分配部上升，将来自晶圆的正型显影液从分配部与固定杯之间向正型用回收口引导，在负型显影处理之际，使分配部下降，将来自晶圆的负型显影液从分配部与外周壁之间向负型用回收口引导。在固定杯的外周端形成有在分配部下降后该分配部的内周侧端落入的台阶，以使在负型显影处理之际负型显影液不被向正型用回收口引导，并且分配部的上表面的角度形成得比台阶的形成上部的倾斜面的角度大。
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公开(公告)号：CN113745098A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110930665.2
申请日：2016-09-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/67 , G03F7/30
Abstract: 本发明提供一种能够更切实地抑制显影的进行量由于基板上的位置的不同而产生偏差的基板处理方法和基板处理装置。基板处理方法包括：在使晶圆以第一转速旋转、使接液面与晶圆的表面相对的状态下，从喷出口向晶圆的表面供给显影液，一边使接液面与显影液接触一边使喷嘴移动，从而在晶圆的表面上形成显影液的液膜；在液膜形成在晶圆的表面上之后，在来自喷出口的显影液的供给停止了的状态下，以比第一转速低的第二转速使晶圆旋转；在以第二转速使晶圆旋转之后，以比第一转速高的第三转速使晶圆旋转；在以第三转速使晶圆旋转之后，使晶圆的转速为第二转速以下，从而在晶圆的表面上保持液膜。
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公开(公告)号：CN113311672A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110220216.9
申请日：2021-02-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/30
Abstract: 提供显影处理装置和显影处理方法：短尺寸的第1显影液供给部和长度为俯视时基板直径以上的长尺寸的第2显影液供给部能共用接收从基板飞散的显影液的液接收部。显影处理装置对基板上的抗蚀膜进行显影，具有：基板保持部，将基板保持为水平；旋转机构，使基板保持部绕铅垂轴旋转；第1和第2显影液供给部，向基板供给显影液；以及液接收部，接收来自基板的显影液，第1显影液供给部长度为俯视时小于基板直径，第2显影液供给部长度为俯视时基板直径以上，液接收部的环状的第1和第2环状壁具有俯视时直径大于基板直径的圆状的开口，第2环状壁设于第1环状壁上方，第1和第2环状壁能彼此独立升降，第1环状壁与第2环状壁在铅垂方向上距离可变。
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