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公开(公告)号：CN101388331B
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200810202084.1
申请日：2008-10-31
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/316 , H01L21/265 , H01L21/762 , H01L21/84
Abstract: 一种制备绝缘体上硅材料的内热氧化方法，包括如下步骤：提供单晶硅衬底；在单晶硅衬底中注入缺陷引入离子，从而在单晶硅衬底中形成缺陷空洞层，以及位于缺陷空洞层表面的顶层硅；在缺陷空洞层表面的顶层硅中形成扩散通道；将单晶硅衬底在含氧气氛中进行退火。本发明的优点在于，在单晶硅衬底中注入缺陷引入离子，从而在单晶硅衬底中形成缺陷空洞层，缺陷空洞层作为氧化硅团聚体形核提供了高密度的形核中心，加速了氧化硅团聚体的形核和长大，减少或完全代替注氧隔离工艺(SIMOX)中形成连续二氧化硅绝缘埋层中氧的注入剂量。同时，缺陷空洞层中的空体积将吸收由于氧化硅团聚体形成而产生的体积膨胀效应，减少顶层硅与BOX层界面的应力，提高SOI材料的质量。
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公开(公告)号：CN119519641A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411531432.5
申请日：2024-10-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请公开了一种声表面波带通滤波器以及其设计方法、电子设备，其中，该方法包括：确定谐振器的第一结构参数以及确定第二结构参数，第二结构参数包括压电薄膜的压电材料及厚度；提取构建的各谐振器的面内传输方向相关的第一关系和第二关系；基于第一关系和第二关系，搭建目标滤波器；目标滤波器包括基本谐振器组和补偿谐振器组，基本谐振器组在滤波器的中心频率处的频率温度系数为零，补偿谐振器组在传输零点处的频率温度系数为零；若检测目标滤波器的频率温度系数不为零，返回确定第二结构参数的步骤，直至检测目标滤波器的频率温度系数为零。本申请通过让谐振器互相作用保证滤波器的通带范围不随温度变化而变化，实现了频率温度系数为零的带通滤波器。
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公开(公告)号：CN119496478A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411402796.3
申请日：2024-10-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种声表面波器件，包括：衬底；第一压电薄膜，设在所述衬底上；第二压电薄膜，设在所述第一压电薄膜上；第一换能器电极，设在所述第二压电薄膜上；第二换能器电极，设在所述第二压电薄膜上并与所述第一换能器电极的位置相对应；所述第一压电薄膜和所述第二压电薄膜的晶体取向不同，以使目标声学模式下所述声表面波器件的机电耦合系数和能流角最优。本发明的声表面波器件能够同时满足较大的带宽与较低的插入损耗。
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公开(公告)号：CN115356806B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202210926873.X
申请日：2022-08-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种能够控制铌酸锂波导侧壁倾角的刻蚀方法，包括：提供预先制备的LNOI片作为衬底；在LNOI片的表面沉积SiO2层，作为刻蚀波导层的SiO2硬掩模；在SiO2层的表面旋涂双层电子束胶，并在LNOI片上限定出波导图案；在双层电子束胶的表面以及曝光出波导图案的区域沉积金属层，并将波导图案转移至金属层，作为刻蚀SiO2层的金属硬掩模；使用SF6和O2的混合气体对SiO2层进行刻蚀，并去除剩余的金属硬掩模；使用氯基气体和氩气的混合气体对波导层进行刻蚀，并调节氯基气体和氩气的比例，以对铌酸锂波导的侧壁倾角进行控制；去除剩余的SiO2硬掩模，并使用RCA标准清洗法进行清洗，获取最终的基于LNOI的铌酸锂波导。
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公开(公告)号：CN115296636B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202210308897.9
申请日：2022-03-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及谐振器制备领域，提供了一种声波谐振器的制备方法及其结构、滤波器，包括获取支撑衬底，在支撑衬底上制备第一电极层，该第一电极层的材料为碳化硅，对第一电极层进行区域化处理，使得第一电极层被划分为导电区域和绝缘区域，在第一电极层上制备压电薄膜，在压电薄膜上导电区域对应的区域制备第二电极层，得到声波谐振器。本申请在支撑衬底制备区域化导电碳化硅层作为底电极，并处于悬浮电位状态，器件在工作时仅需在顶电极上施加合适的激励信号，相较于传统FBAR结构无需将压电薄膜刻蚀出通孔以引出底电极，制造版图更加简单，且可以获得更高的谐振频率、更大的机电耦合系数、更小的损耗，可以提高器件的散热性能，提升器件的功率容量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114337582B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202111465935.3
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及微电子器件技术领域，本发明公开了一种声表面波谐振器。该声表面波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、压电薄膜、叉指换能器和两个反射栅单元；叉指换能器的两侧分别设有一个反射栅单元；叉指换能器包括第一汇流条、第二汇流条和叉指电极单元；叉指电极单元包括第一电极、第二电极和第一阻碍结构；第一电极的第一端与第一汇流条连接；第二电极包括相对的第二端和第一自由端；第二端与第二汇流条连接；第一阻碍结构位于第一自由端与第一汇流条之间的区域。能够实现在抑制杂散模的同时保证主模特性的不变。
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公开(公告)号：CN117950215A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410058148.4
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种单片集成电光调制器及制备方法。电光调制器包括：衬底、电光材料层、折射率调控结构和电极层；电光材料层集成在衬底上，电光材料层中形成有光传输波导；折射率调控结构包括介电材料层，介电材料层设置在电光材料层上；电极层设置在介电材料层上。该电光调制器，通过在电光调制器中设计折射率调控结构来对微波的有效折射率进行调控，使其能够与光波的有效折射率匹配，从而实现了高传输速率、低能耗的单片集成高速电光调制器。
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公开(公告)号：CN117872529A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410059032.2
申请日：2024-01-15
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及半导体光电技术领域，特别涉及一种片上波导的形成方法及光子芯片。具体可以通过提供一复合衬底结构；所述复合衬底结构包括支撑衬底和位于所述支撑衬底上的波导材料层；在所述波导材料层上形成掩膜；利用干法刻蚀工艺对所述波导材料层进行刻蚀，以在所述支撑衬底上形成波导，得到波导结构；利用预设腐蚀液去除所述波导结构中的刻蚀再沉积物；所述预设腐蚀液为双氧水和强碱溶液的混合溶液。从而能够提高制备波导结构的效率和精度。
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公开(公告)号：CN113130376B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202110395087.7
申请日：2021-04-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/78
Abstract: 本申请涉及一种多层异质单晶薄膜衬底的制备方法，该方法包括步骤S101～S107，通过该步骤S101～S107可以实现任意多层异质单晶薄膜衬底结构，且各异质单晶薄膜间的结合为范德华力结合，异质单晶薄膜之间的键合十分牢固；另外，本申请实施例提供的一种任意多层异质单晶薄膜衬底的制备方法，可将多种具有不同功能的薄膜集成于一片衬底，用于多功能三维异质集成芯片的实现。
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公开(公告)号：CN114362710B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202111467179.8
申请日：2021-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H03H9/02
Abstract: 本申请涉及微电子器件技术领域，特别是涉及一种声波谐振器，包括：支撑衬底、单晶压电层和图案化电极组件；单晶压电层位于支撑衬底的上表面；图案化电极组件位于单晶压电层远离支撑衬底的表面或嵌入单晶压电层远离支撑衬底的表面；图案化电极组件用于连接第一信号源；第一信号源用于在声波谐振器的工作过程中，对图案化电极组件输入第一电信号；图案化电极组件在接收到第一电信号的情况下，能够在声波谐振器内形成第一电场，以调节声波谐振器的电容；所述第一信号源包括直流信号源或交流信号源。本申请通过输入第一电信号，引入外加电场，通过外加电场调节器件的电容，从而使得声波谐振器的机电耦合系数变大，进而增大声波谐振器的工作带宽。
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