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公开(公告)号：CN1153302C
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN97109797.6
申请日：1997-05-07
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/11
CPC classification number: H01L29/78609 , H01L27/124 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/66757 , H01L29/78618 , H01L29/78624 , H01L29/78639
Abstract: 提供一种能防止在具有连接导电类型不同的多晶硅层结构的薄膜晶体管中由于杂质扩散引起的不良后果的薄膜晶体管及其制造方法。用多晶硅在第2氧化膜4的表面上整体地形成漏极6、沟道7、源极8。漏极6通过到达衬垫层3(第2多晶半导体层)的上表面而形成的接触孔5连接在衬垫层3上。而且在位于接触孔5(开口部)的底部的衬垫层3上形成硼注入区BR。
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公开(公告)号：CN1179417C
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：CN99102103.7
申请日：1999-02-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/11
CPC classification number: H01L27/1108
Abstract: 在硅衬底1上形成的存取晶体管A1的漏区是n-、n+型漏区6a、8a，源区是n-、n+型源区6b、8b。驱动晶体管的源区是n-、n++型源区6c、10，漏区是n-、n+型漏区6b、8b。将n++型源区10形成得比n+型漏区8b深。由此，可得到能抑制制造成本的上升并能谋求静态噪声容限的提高的半导体装置。
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公开(公告)号：CN1435888A
公开(公告)日：2003-08-13
申请号：CN03104204.X
申请日：2003-01-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/11 , H01L21/8244
CPC classification number: H01L27/11 , G11C11/412 , G11C11/4125 , H01L27/1104
Abstract: 在具有分别具备了2个n型大容量存取晶体管和n型大容量激励晶体管及p型大容量负载晶体管的全CMOS型存储单元的半导体存储装置中，相对存储节点被连接的充电容量附加用的充电容量体由绝缘膜及导电膜构成，该绝缘膜及导电膜在上述第1及第2单元节点的上侧被直接形成。由此，提供一种不伴随单元面积的增大，在单元节点中附加充电容量，软错误耐性优异的半导体存储装置。
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公开(公告)号：CN1171314C
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN98116877.9
申请日：1998-08-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 石垣佳之
IPC: H01L27/11 , H01L21/8244
CPC classification number: H01L27/11 , H01L27/1104
Abstract: 提供一种能通过降低连接电阻及增加存储节点的电容来提高抗软错误性能的半导体装置及其制造方法。通过直接接触孔14e，用P+型源/漏区引出布线12a和N+型源/漏区引出布线15d连接负载晶体管的P+型源/漏区9和驱动晶体管的N+型源/漏区8b。通过使负载晶体管的源/漏区引出布线和接地布线呈立体地重叠形成以及使连接一个存储节点的驱动晶体管的漏区引出布线和连接另一个存储节点的负载晶体管的漏区引出布线呈立体地重叠形成来产生存储节点蓄积电荷。
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公开(公告)号：CN1238562A
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：CN99102103.7
申请日：1999-02-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/11
CPC classification number: H01L27/1108
Abstract: 在硅衬底1上形成的存取晶体管A1的漏区是n－、n+型漏区6a、8a，源区是n－、n+型源区6b、8b。驱动晶体管的源区是n－、n++型源区6c、10，漏区是n－、n+型漏区6b、8b。将n++型源区10形成得比n+型漏区8b深。由此，可得到能抑制制造成本的上升并能谋求静态噪声容限的提高的半导体装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1213858A
公开(公告)日：1999-04-14
申请号：CN98116874.4
申请日：1998-08-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/11
CPC classification number: H01L27/11 , H01L27/1112 , Y10S257/904
Abstract: 提供一种在谋求高速工作的同时可实现高集成化的具有存储单元的半导体装置。在具有存储单元的半导体装置中,在其存储单元区域中形成字线的分流连接用的区域35i和包含金属的第1布线层、即分流用的字线18g。在存储单元区域中,通过在接触孔17e的内部形成的字线接触用的拴62e,使该分流连接用的区域35i和分流用的字线18g进行导电连接。
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公开(公告)号：CN1265463C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN03110499.1
申请日：2003-04-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/108 , G11C11/40 , G11C11/41
CPC classification number: G11C11/4023 , G11C11/412 , H01L27/108 , H01L27/10844 , H01L27/11 , H01L27/1108
Abstract: 本发明提供一种将蓄积作为二进制信息的电荷的电容器和控制电荷在电容器上进出的存取晶体管作为主存储部分，同时不需要更新的半导体存储装置。它包括位于半导体基板(1)上方的、保持对应于由二进制信息表示的存储信息的逻辑电平的电荷的、有存储结点(30)的电容器(32)，位于半导体基板表面的、控制电容器上蓄积的电荷的进出的存取晶体管(T5、T6)，以及位于半导体基板上的维持电容器的存储结点电位的闩锁电路；构成闩锁电路的电路元件(T1、T2、T3、T4、R1、R2)中的至少一个位于存取晶体管的上方。
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公开(公告)号：CN1263144C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN03104204.X
申请日：2003-01-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/11 , H01L21/8244
CPC classification number: H01L27/11 , G11C11/412 , G11C11/4125 , H01L27/1104
Abstract: 在具有分别具备了2个n型大容量存取晶体管和n型大容量激励晶体管及p型大容量负载晶体管的全CMOS型存储单元的半导体存储装置中，相对存储节点被连接的充电容量附加用的充电容量体由绝缘膜及导电膜构成，该绝缘膜及导电膜在上述第1及第2单元节点的上侧被直接形成。由此，提供一种不伴随单元面积的增大，在单元节点中附加充电容量，软错误耐性优异的半导体存储装置。
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公开(公告)号：CN1476097A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN03110499.1
申请日：2003-04-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/108 , G11C11/40 , G11C11/41
CPC classification number: G11C11/4023 , G11C11/412 , H01L27/108 , H01L27/10844 , H01L27/11 , H01L27/1108
Abstract: 本发明提供一种将蓄积作为二进制信息的电荷的电容器和控制电荷在电容器上进出的存取晶体管作为主存储部分，同时不需要更新的半导体存储装置。它包括位于半导体基板(1)上方的、保持对应于由二进制信息表示的存储信息的逻辑电平的电荷的、有存储结点(30)的电容器(32)，位于半导体基板表面的、控制电容器上蓄积的电荷的进出的存取晶体管(T5、T6)，以及位于半导体基板上的维持电容器的存储结点电位的闩锁电路；构成闩锁电路的电路元件(T1、T2、T3、T4、R1、R2)中的至少一个位于存取晶体管的上方。
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公开(公告)号：CN1223471A
公开(公告)日：1999-07-21
申请号：CN98116877.9
申请日：1998-08-04
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 石垣佳之
IPC: H01L27/11 , H01L21/8244
CPC classification number: H01L27/11 , H01L27/1104
Abstract: 提供一种能通过降低连接电阻及增加存储节点的电容来提高抗软错误性能的半导体装置及其制造方法。通过直接接触孔14e,用P+型源/漏区引出布线12a和N+型源/漏区引出布线15d连接负载晶体管的P+型源/漏区9和驱动晶体管的N+型源/漏区8b。通过使负载晶体管的源/漏区引出布线和接地布线呈立体地重叠形成以及使连接一个存储节点的驱动晶体管的漏区引出布线和连接另一个存储节点的负载晶体管的漏区引出布线呈立体地重叠形成来产生存储节点蓄积电荷。
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