公开(公告)号：CN1435888A

公开(公告)日：2003-08-13

申请号：CN03104204.X

申请日：2003-01-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大林茂树 ,  石垣佳之 ,  横山岳宏

IPC: H01L27/11 ,  H01L21/8244

CPC classification number: H01L27/11 ,  G11C11/412 ,  G11C11/4125 ,  H01L27/1104

Abstract: 在具有分别具备了2个n型大容量存取晶体管和n型大容量激励晶体管及p型大容量负载晶体管的全CMOS型存储单元的半导体存储装置中，相对存储节点被连接的充电容量附加用的充电容量体由绝缘膜及导电膜构成，该绝缘膜及导电膜在上述第1及第2单元节点的上侧被直接形成。由此，提供一种不伴随单元面积的增大，在单元节点中附加充电容量，软错误耐性优异的半导体存储装置。

公开(公告)号：CN1263144C

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN03104204.X

申请日：2003-01-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 大林茂树 ,  石垣佳之 ,  横山岳宏

IPC: H01L27/11 ,  H01L21/8244

CPC classification number: H01L27/11 ,  G11C11/412 ,  G11C11/4125 ,  H01L27/1104

Abstract: 在具有分别具备了2个n型大容量存取晶体管和n型大容量激励晶体管及p型大容量负载晶体管的全CMOS型存储单元的半导体存储装置中，相对存储节点被连接的充电容量附加用的充电容量体由绝缘膜及导电膜构成，该绝缘膜及导电膜在上述第1及第2单元节点的上侧被直接形成。由此，提供一种不伴随单元面积的增大，在单元节点中附加充电容量，软错误耐性优异的半导体存储装置。