公开(公告)号：CN1265463C

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN03110499.1

申请日：2003-04-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 古贺刚 ,  石垣佳之 ,  芦田基 ,  牧幸生 ,  藤井康博 ,  细川智广 ,  寺田隆司 ,  出井诚 ,  增田泰一

IPC: H01L27/108 ,  G11C11/40 ,  G11C11/41

CPC classification number: G11C11/4023 ,  G11C11/412 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10844 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108

Abstract: 本发明提供一种将蓄积作为二进制信息的电荷的电容器和控制电荷在电容器上进出的存取晶体管作为主存储部分，同时不需要更新的半导体存储装置。它包括位于半导体基板(1)上方的、保持对应于由二进制信息表示的存储信息的逻辑电平的电荷的、有存储结点(30)的电容器(32)，位于半导体基板表面的、控制电容器上蓄积的电荷的进出的存取晶体管(T5、T6)，以及位于半导体基板上的维持电容器的存储结点电位的闩锁电路；构成闩锁电路的电路元件(T1、T2、T3、T4、R1、R2)中的至少一个位于存取晶体管的上方。

公开(公告)号：CN1476097A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN03110499.1

申请日：2003-04-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 古贺刚 ,  石垣佳之 ,  芦田基 ,  牧幸生 ,  藤井康博 ,  细川智广 ,  寺田隆司 ,  出井诚 ,  增田泰一

IPC: H01L27/108 ,  G11C11/40 ,  G11C11/41

CPC classification number: G11C11/4023 ,  G11C11/412 ,  H01L27/108 ,  H01L27/10844 ,  H01L27/11 ,  H01L27/1108

Abstract: 本发明提供一种将蓄积作为二进制信息的电荷的电容器和控制电荷在电容器上进出的存取晶体管作为主存储部分，同时不需要更新的半导体存储装置。它包括位于半导体基板(1)上方的、保持对应于由二进制信息表示的存储信息的逻辑电平的电荷的、有存储结点(30)的电容器(32)，位于半导体基板表面的、控制电容器上蓄积的电荷的进出的存取晶体管(T5、T6)，以及位于半导体基板上的维持电容器的存储结点电位的闩锁电路；构成闩锁电路的电路元件(T1、T2、T3、T4、R1、R2)中的至少一个位于存取晶体管的上方。

公开(公告)号：CN1238562A

公开(公告)日：1999-12-15

申请号：CN99102103.7

申请日：1999-02-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石垣佳之 ,  藤井康博

IPC: H01L27/11

CPC classification number: H01L27/1108

Abstract: 在硅衬底1上形成的存取晶体管A1的漏区是n－、n+型漏区6a、8a，源区是n－、n+型源区6b、8b。驱动晶体管的源区是n－、n++型源区6c、10，漏区是n－、n+型漏区6b、8b。将n++型源区10形成得比n+型漏区8b深。由此，可得到能抑制制造成本的上升并能谋求静态噪声容限的提高的半导体装置。

公开(公告)号：CN1179417C

公开(公告)日：2004-12-08

申请号：CN99102103.7

申请日：1999-02-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 石垣佳之 ,  藤井康博

IPC: H01L27/11

CPC classification number: H01L27/1108

Abstract: 在硅衬底1上形成的存取晶体管A1的漏区是n-、n+型漏区6a、8a，源区是n-、n+型源区6b、8b。驱动晶体管的源区是n-、n++型源区6c、10，漏区是n-、n+型漏区6b、8b。将n++型源区10形成得比n+型漏区8b深。由此，可得到能抑制制造成本的上升并能谋求静态噪声容限的提高的半导体装置。