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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101582427A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200910004381.X
申请日：2000-04-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/11 , H01L23/528
CPC classification number: H01L27/11 , H01L27/1104
Abstract: 在硅衬底1的p阱2a的表面上形成包括栅电极4a的驱动晶体管T3。为了覆盖该驱动晶体管T3，形成氧化硅膜7和氮化硅膜8。在该氮化硅膜8上形成层间绝缘膜11。至少按与栅电极4a平面重叠那样来配置接触孔12c。由此，可以获得进行期望动作并且可缩小存储器单元区域的半导体器件。
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公开(公告)号：CN101582427B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200910004381.X
申请日：2000-04-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/11 , H01L23/528
CPC classification number: H01L27/11 , H01L27/1104
Abstract: 在硅衬底1的p阱2a的表面上形成包括栅电极4a的驱动晶体管T3。为了覆盖该驱动晶体管T3，形成氧化硅膜7和氮化硅膜8。在该氮化硅膜8上形成层间绝缘膜11。至少按与栅电极4a平面重叠那样来配置接触孔12c。由此，可以获得进行期望动作并且可缩小存储器单元区域的半导体器件。
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公开(公告)号：CN1265463C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN03110499.1
申请日：2003-04-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/108 , G11C11/40 , G11C11/41
CPC classification number: G11C11/4023 , G11C11/412 , H01L27/108 , H01L27/10844 , H01L27/11 , H01L27/1108
Abstract: 本发明提供一种将蓄积作为二进制信息的电荷的电容器和控制电荷在电容器上进出的存取晶体管作为主存储部分，同时不需要更新的半导体存储装置。它包括位于半导体基板(1)上方的、保持对应于由二进制信息表示的存储信息的逻辑电平的电荷的、有存储结点(30)的电容器(32)，位于半导体基板表面的、控制电容器上蓄积的电荷的进出的存取晶体管(T5、T6)，以及位于半导体基板上的维持电容器的存储结点电位的闩锁电路；构成闩锁电路的电路元件(T1、T2、T3、T4、R1、R2)中的至少一个位于存取晶体管的上方。
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公开(公告)号：CN1476097A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN03110499.1
申请日：2003-04-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/108 , G11C11/40 , G11C11/41
CPC classification number: G11C11/4023 , G11C11/412 , H01L27/108 , H01L27/10844 , H01L27/11 , H01L27/1108
Abstract: 本发明提供一种将蓄积作为二进制信息的电荷的电容器和控制电荷在电容器上进出的存取晶体管作为主存储部分，同时不需要更新的半导体存储装置。它包括位于半导体基板(1)上方的、保持对应于由二进制信息表示的存储信息的逻辑电平的电荷的、有存储结点(30)的电容器(32)，位于半导体基板表面的、控制电容器上蓄积的电荷的进出的存取晶体管(T5、T6)，以及位于半导体基板上的维持电容器的存储结点电位的闩锁电路；构成闩锁电路的电路元件(T1、T2、T3、T4、R1、R2)中的至少一个位于存取晶体管的上方。
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公开(公告)号：CN1305228A
公开(公告)日：2001-07-25
申请号：CN00118811.9
申请日：2000-04-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L27/11 , H01L21/8244
CPC classification number: H01L27/11 , H01L27/1104
Abstract: 在硅衬底1的p阱2a的表面上形成包括栅电极4a的驱动晶体管T3。为了覆盖该驱动晶体管T3,形成氧化硅膜7和氮化硅膜8。在该氮化硅膜8上形成层间绝缘膜11。至少按与栅电极4a平面重叠那样来配置接触孔12c。由此,可以获得进行期望动作并且可缩小存储器单元区域的半导体器件。
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