公开(公告)号：CN101582427A

公开(公告)日：2009-11-18

申请号：CN200910004381.X

申请日：2000-04-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 芦田基 ,  神谷好一 ,  浜砂荣二

IPC: H01L27/11 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L27/11 ,  H01L27/1104

Abstract: 在硅衬底1的p阱2a的表面上形成包括栅电极4a的驱动晶体管T3。为了覆盖该驱动晶体管T3，形成氧化硅膜7和氮化硅膜8。在该氮化硅膜8上形成层间绝缘膜11。至少按与栅电极4a平面重叠那样来配置接触孔12c。由此，可以获得进行期望动作并且可缩小存储器单元区域的半导体器件。

公开(公告)号：CN101582427B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200910004381.X

申请日：2000-04-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 芦田基 ,  神谷好一 ,  浜砂荣二

IPC: H01L27/11 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L27/11 ,  H01L27/1104

Abstract: 在硅衬底1的p阱2a的表面上形成包括栅电极4a的驱动晶体管T3。为了覆盖该驱动晶体管T3，形成氧化硅膜7和氮化硅膜8。在该氮化硅膜8上形成层间绝缘膜11。至少按与栅电极4a平面重叠那样来配置接触孔12c。由此，可以获得进行期望动作并且可缩小存储器单元区域的半导体器件。

公开(公告)号：CN1305228A

公开(公告)日：2001-07-25

申请号：CN00118811.9

申请日：2000-04-29

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 芦田基 ,  神谷好一 ,  浜砂荣二

IPC: H01L27/11 ,  H01L21/8244

CPC classification number: H01L27/11 ,  H01L27/1104

Abstract: 在硅衬底1的p阱2a的表面上形成包括栅电极4a的驱动晶体管T3。为了覆盖该驱动晶体管T3,形成氧化硅膜7和氮化硅膜8。在该氮化硅膜8上形成层间绝缘膜11。至少按与栅电极4a平面重叠那样来配置接触孔12c。由此,可以获得进行期望动作并且可缩小存储器单元区域的半导体器件。