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公开(公告)号：CN107210198B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201580074910.7
申请日：2015-01-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 一种周边曝光装置，其用于对半导体基板(100)的外周部进行曝光，该周边曝光装置具有：光源(1)，其设置为能够对外周部照射光；以及反射镜(2)，其具有反射面(2A)，该反射面(2A)配置为沿与从光源(1)照射的光的光轴交叉的方向进行延伸。反射镜(2)设置为在对半导体基板(100)的外周部进行曝光时，在半导体基板(100)的径向上位于半导体基板(100)的中心(C)与外周部之间。
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公开(公告)号：CN109155293B
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN201780028697.5
申请日：2017-04-24
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/29 , H01L21/336 , H01L23/31 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/78
Abstract: 半导体装置(100)具备电力用半导体元件(10)、树脂膜(11)以及密封绝缘材料(13)。电力用半导体元件(10)包括：覆盖半导体基板(1)的一个主表面的第一区域(1c)的第一电极(3)；形成于半导体基板(1)的另一个主表面的第二电极(5)；形成于作为第一区域(1c)的外侧的第二区域(1d)的保护环(8)；以及在第二区域(1d)覆盖保护环(8)的非导电无机膜(9)。树脂膜(11)在俯视时与保护环(8)重叠，非导电无机膜(9)上的树脂膜(11)的厚度为35μm以上。树脂膜(11)是单层膜，树脂膜(11)的最外边缘(11b)具有在下侧变大的倒角形状。树脂膜(11)的最外边缘(11b)配置于比半导体基板(1)的最外边缘靠内侧的位置。
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公开(公告)号：CN110120337A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910107370.8
申请日：2019-02-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/266
Abstract: 提供具有如下结构的薄膜抗蚀层，即，无论该薄膜抗蚀层的厚度如何，都能够对在衬底设置的标记进行确认。薄膜抗蚀层(10)是用于粘贴于衬底(5)的主面(5s)的部件，在该主面(5s)设置有标记(M1)。在薄膜抗蚀层(10)设置有用于对标记(M1)进行确认的切口(V1)。
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公开(公告)号：CN102205687B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201110059688.7
申请日：2011-03-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 久我正一
IPC: B32B38/10
CPC classification number: B65H3/32 , B32B38/10 , B32B43/006 , B32B2457/14 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68386 , Y10S156/932 , Y10S156/943 , Y10T156/1179 , Y10T156/1983
Abstract: 本发明的目的在于提供一种保护带剥离方法以及保护带剥离装置，即便是在保护带未沿着晶片的外缘贴附的情况下，也能够容易地将保护带从晶片上剥离。保护带剥离方法具备：将以仅与缺口的一部分重合的方式贴附了保护带的晶片放置在载台上的工序；将剥离用粘接带贴附在该保护带上的工序；使提升销从该载台上突出，通过该提升销的上表面上推该缺口处的该保护带的工序；以及在通过该提升销上推了该保护带的状态下拉拽该剥离用粘接带，将该保护带从该晶片上剥离的工序。而且，该提升销的上表面形状是该提升销的上表面能够上推该缺口处的该保护带的形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107210198A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201580074910.7
申请日：2015-01-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/027
Abstract: 一种周边曝光装置，其用于对半导体基板(100)的外周部进行曝光，该周边曝光装置具有：光源(1)，其设置为能够对外周部照射光；以及反射镜(2)，其具有反射面(2A)，该反射面(2A)配置为沿与从光源(1)照射的光的光轴交叉的方向进行延伸。反射镜(2)设置为在对半导体基板(100)的外周部进行曝光时，在半导体基板(100)的径向上位于半导体基板(100)的中心(C)与外周部之间。
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公开(公告)号：CN106910666A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201611199372.7
申请日：2016-12-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 久我正一
IPC: H01J37/317 , H01J37/30
Abstract: 在本申请说明书中公开的技术涉及一种离子注入装置，该离子注入装置能够以容易的方法抑制半导体衬底的由放电导致的损坏。本技术涉及的离子注入装置具有：离子照射部(8)，其向半导体衬底(1)的表面照射离子；以及至少一个电极部(针电极(5)、针电极(6)、环状的电极(7)、环状的电极(7a))，其在半导体衬底(1)的端部的背面及侧面中的至少一者的附近处的能够与半导体衬底(1)之间放电的位置，与半导体衬底(1)分离地配置。
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公开(公告)号：CN105993061A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201480075475.5
申请日：2014-02-13
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 久我正一
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/168 , G03F7/162 , H01L21/0206 , H01L21/02087 , H01L21/0209 , H01L21/0273 , H01L21/31058 , H01L21/31133 , H01L21/67051 , H01L21/6708 , H01L21/67103 , H01L21/6715 , H01L2223/54493
Abstract: 具有：涂敷工序，在晶片(12)的表面涂敷含有溶媒的材料(14A)；挥发工序，对材料进行加热而使溶媒挥发；以及冲洗工序，在使晶片进行旋转的同时从第1喷嘴(20)向晶片的表面的外周部喷射对材料进行去除的边缘冲洗液，在冲洗工序中，从第2喷嘴(24)向晶片的背面喷射对晶片的背面进行清洗的背部冲洗液，使从第2喷嘴喷射的背部冲洗液绕至晶片的表面而将材料中的在俯视观察时与定位边或者凹坑接触的部分去除。
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公开(公告)号：CN102205687A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110059688.7
申请日：2011-03-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 久我正一
IPC: B32B38/10
CPC classification number: B65H3/32 , B32B38/10 , B32B43/006 , B32B2457/14 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68386 , Y10S156/932 , Y10S156/943 , Y10T156/1179 , Y10T156/1983
Abstract: 本发明的目的在于提供一种保护带剥离方法以及保护带剥离装置，即便是在保护带未沿着晶片的外缘贴附的情况下，也能够容易地将保护带从晶片上剥离。保护带剥离方法具备：将以仅与缺口的一部分重合的方式贴附了保护带的晶片放置在载台上的工序；将剥离用粘接带贴附在该保护带上的工序；使提升销从该载台上突出，通过该提升销的上表面上推该缺口处的该保护带的工序；以及在通过该提升销上推了该保护带的状态下拉拽该剥离用粘接带，将该保护带从该晶片上剥离的工序。而且，该提升销的上表面形状是该提升销的上表面能够上推该缺口处的该保护带的形状。
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公开(公告)号：CN110120337B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201910107370.8
申请日：2019-02-02
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/266
Abstract: 提供具有如下结构的薄膜抗蚀层，即，无论该薄膜抗蚀层的厚度如何，都能够对在衬底设置的标记进行确认。薄膜抗蚀层(10)是用于粘贴于衬底(5)的主面(5s)的部件，在该主面(5s)设置有标记(M1)。在薄膜抗蚀层(10)设置有用于对标记(M1)进行确认的切口(V1)。
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