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公开(公告)号:CN100508173C
公开(公告)日:2009-07-01
申请号:CN200510107059.1
申请日:2005-09-29
Applicant: 三星TECHWIN株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L21/48
CPC classification number: H01L23/49582 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/48664 , H01L2224/49171 , H01L2224/85464 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00015 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了一种用于半导体封装的引线框及其生产方法。在所述引线框中,在基础金属层上镀覆由Ni或Ni合金组成的Ni镀层。在所述Ni镀层上镀镀覆由Ni-Pd基合金组成并且Ni原子浓度在约60%至约95%范围内的Ni-Pd镀层,并且在所述Ni-Pd镀层上镀覆保护性镀层。
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公开(公告)号:CN1339819A
公开(公告)日:2002-03-13
申请号:CN00135288.1
申请日:2000-12-08
Applicant: 三星TECHWIN株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L21/48 , H01L23/495 , H05K3/00
CPC classification number: B32B15/00 , B32B15/018 , C25D5/34 , H01L21/4835 , H01L2924/0002 , Y10T428/12875 , Y10T428/12889 , Y10T428/1291 , Y10T428/12944 , Y10T428/12993 , H01L2924/00
Abstract: 一种引线框架的制造方法,包括以下步骤:电净薄板材料的表面;电抛光被电净的薄板材料;去除被抛光的薄板材料表面上的夹杂物;用酸性溶液冲洗被去除了夹杂物的薄板材料;并在冲洗后的材料上形成多层镀层。通过该方法制造的引线框架在1600μm2的表面区域上有每个直径约为1μm的5个或5个以下夹杂物,这些夹杂物妨碍了引线框架的引线键合特性或焊料润湿性。
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公开(公告)号:CN1684238A
公开(公告)日:2005-10-19
申请号:CN200410098317.X
申请日:2004-12-03
Applicant: 三星TECHWIN株式会社
IPC: H01L21/50 , H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49582 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48599 , H01L2224/48664 , H01L2224/49171 , H01L2224/85464 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种引线框,含有的结构能够将在淀积过程中吸收的氢释放,以及能够降低电镀层之间的电势差,以及提供了一个制造引线框的方法。该方法包括在一个由金属的材料形成的基层上形成一层由Ni或Ni合金层形成的Ni电镀层,在Ni电镀层上形成一层由Pd或Pd合金形成的Pd电镀层,热处理Ni电镀层以及Pd电镀层,以及在热处理的Pd电镀层上形成一层保护电镀层。
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公开(公告)号:CN1159756C
公开(公告)日:2004-07-28
申请号:CN00135288.1
申请日:2000-12-08
Applicant: 三星TECHWIN株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L21/48 , H01L23/495 , H05K3/00
CPC classification number: B32B15/00 , B32B15/018 , C25D5/34 , H01L21/4835 , H01L2924/0002 , Y10T428/12875 , Y10T428/12889 , Y10T428/1291 , Y10T428/12944 , Y10T428/12993 , H01L2924/00
Abstract: 一种引线框架的制造方法,包括以下步骤:电净薄板材料的表面;电抛光被电净的薄板材料;去除被抛光的薄板材料表面上的夹杂物;用酸性溶液冲洗被去除了夹杂物的薄板材料;并在冲洗后的材料上形成多层镀层。通过该方法制造的引线框架在1600μm2的表面区域上有每个直径约为1μm的5个或5个以下夹杂物,这些夹杂物妨碍了引线框架的引线键合特性或焊料润湿性。
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公开(公告)号:CN100490102C
公开(公告)日:2009-05-20
申请号:CN200510051998.9
申请日:2005-02-23
Applicant: 三星TECHWIN株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49582 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/85464 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2924/01055 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 提供了一种制造半导体封装的方法,其连接半导体芯片与外部电路板并且具有由铁和镍作为主要元素而组成的基底金属层。所述方法包括制备引线框的基底金属层;在基底金属层上形成一层或多层镀覆层;在引线框上安装半导体芯片;模塑半导体芯片和至少一部分引线框;弯曲引线框以预定形状形成引线框;以及热处理引线框。
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公开(公告)号:CN1661787A
公开(公告)日:2005-08-31
申请号:CN200510051998.9
申请日:2005-02-23
Applicant: 三星TECHWIN株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49582 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/85464 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2924/01055 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 提供了一种制造半导体封装的方法,其连接半导体芯片与外部电路板并且具有由铁和镍作为主要元素而组成的基底金属层。所述方法包括制备引线框的基底金属层;在基底金属层上形成一层或多层镀覆层;在引线框上安装半导体芯片;模塑半导体芯片和至少一部分引线框;弯曲引线框以预定形状形成引线框;以及热处理引线框。
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公开(公告)号:CN1195906C
公开(公告)日:2005-04-06
申请号:CN00135592.9
申请日:2000-12-20
Applicant: 三星TECHWIN株式会社
CPC classification number: H01L2924/0002 , Y02P10/234 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种金属精加工装置和利用该装置的金属精加工方法。所述金属精加工装置包括:一个电解槽;一个盛放在电解槽中的电解液;一个浸入电解液中的阳电极;一个浸入电解液中的阴电极;一片被安装在阳电极与阴电极之间的并具有微孔以便在电极反应过程中有选择地使溶解在电解液中的特定离子从一个电极渗透向另一个电极的隔膜。
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公开(公告)号:CN1351197A
公开(公告)日:2002-05-29
申请号:CN00135592.9
申请日:2000-12-20
Applicant: 三星TECHWIN株式会社
CPC classification number: H01L2924/0002 , Y02P10/234 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种金属精加工装置和利用该装置的金属精加工方法。所述金属精加工装置包括:一个电解槽;一个盛放在电解槽中的电解液;一个浸入电解液中的阳电极;一个浸入电解液中的阴电极;一片被安装在阳电极与阴电极之间的并具有微孔以便在电极反应过程中有选择地使溶解在电解液中的特定离子从一个电极渗透向另一个电极的隔膜。
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公开(公告)号:CN100527404C
公开(公告)日:2009-08-12
申请号:CN200510107060.4
申请日:2005-09-29
Applicant: 三星TECHWIN株式会社
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49582 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/48664 , H01L2224/85464 , H01L2924/00014 , H01L2924/01046 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供了一种用于半导体封装的引线框,其不仅在苛刻的湿气吸收气氛下具有高的模塑树脂粘合性和低的分层问题,而且与Au线具有高的界面粘合性和焊剂可湿性;并且提供了一种生产所述引线框的方法。所述引线框包括由金属形成的基础金属层以及在至少所述基础金属层表面上形成的具有不同成分的多层镀层,其中所述镀层包括:至少在基础金属层表面上沉积并由Ni或Ni合金组成的Ni镀层;至少堆叠在Ni镀层表面上并由Pd或Pd合金组成的Pd镀层;以及至少堆叠在Pd镀层表面上并由Au或Au合金组成的保护镀层,其中形成具有预定厚度和表面粗糙度的Ni镀层。
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公开(公告)号:CN100405564C
公开(公告)日:2008-07-23
申请号:CN200410098317.X
申请日:2004-12-03
Applicant: 三星TECHWIN株式会社
IPC: H01L21/50 , H01L23/495
CPC classification number: H01L23/49582 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48599 , H01L2224/48664 , H01L2224/49171 , H01L2224/85464 , H01L2924/014 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种引线框,含有的结构能够将在淀积过程中吸收的氢释放,以及能够降低电镀层之间的电势差,以及提供了一个制造引线框的方法。该方法包括在一个由金属的材料形成的基层上形成一层由Ni或Ni合金层形成的Ni电镀层,在Ni电镀层上形成一层由Pd或Pd合金形成的Pd电镀层,热处理Ni电镀层以及Pd电镀层,以及在热处理的Pd电镀层上形成一层保护电镀层。
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