公开(公告)号：CN1684238A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200410098317.X

申请日：2004-12-03

Applicant: 三星TECHWIN株式会社

Inventor： 白城官 ,  朴世喆 ,  李尚勋

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种引线框，含有的结构能够将在淀积过程中吸收的氢释放，以及能够降低电镀层之间的电势差，以及提供了一个制造引线框的方法。该方法包括在一个由金属的材料形成的基层上形成一层由Ni或Ni合金层形成的Ni电镀层，在Ni电镀层上形成一层由Pd或Pd合金形成的Pd电镀层，热处理Ni电镀层以及Pd电镀层，以及在热处理的Pd电镀层上形成一层保护电镀层。

公开(公告)号：CN100405564C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200410098317.X

申请日：2004-12-03

Applicant: 三星TECHWIN株式会社

Inventor： 白城官 ,  朴世喆 ,  李尚勋

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种引线框，含有的结构能够将在淀积过程中吸收的氢释放，以及能够降低电镀层之间的电势差，以及提供了一个制造引线框的方法。该方法包括在一个由金属的材料形成的基层上形成一层由Ni或Ni合金层形成的Ni电镀层，在Ni电镀层上形成一层由Pd或Pd合金形成的Pd电镀层，热处理Ni电镀层以及Pd电镀层，以及在热处理的Pd电镀层上形成一层保护电镀层。

公开(公告)号：CN1855471A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200510107059.1

申请日：2005-09-29

Applicant: 三星TECHWIN株式会社

Inventor： 李尚勋 ,  朴世喆

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种用于半导体封装的引线框及其生产方法。在所述引线框中，在基础金属层上镀覆由Ni或Ni合金组成的Ni镀层。在所述Ni镀层上镀镀覆由Ni－Pd基合金组成并且Ni原子浓度在约60％至约95％范围内的Ni－Pd镀层，并且在所述Ni－Pd镀层上镀覆保护性镀层。

公开(公告)号：CN100508173C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200510107059.1

申请日：2005-09-29

Applicant: 三星TECHWIN株式会社

Inventor： 李尚勋 ,  朴世喆

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种用于半导体封装的引线框及其生产方法。在所述引线框中，在基础金属层上镀覆由Ni或Ni合金组成的Ni镀层。在所述Ni镀层上镀镀覆由Ni-Pd基合金组成并且Ni原子浓度在约60%至约95%范围内的Ni-Pd镀层，并且在所述Ni-Pd镀层上镀覆保护性镀层。