公开(公告)号：CN1684238A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN200410098317.X

申请日：2004-12-03

Applicant: 三星TECHWIN株式会社

Inventor： 白城官 ,  朴世喆 ,  李尚勋

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种引线框，含有的结构能够将在淀积过程中吸收的氢释放，以及能够降低电镀层之间的电势差，以及提供了一个制造引线框的方法。该方法包括在一个由金属的材料形成的基层上形成一层由Ni或Ni合金层形成的Ni电镀层，在Ni电镀层上形成一层由Pd或Pd合金形成的Pd电镀层，热处理Ni电镀层以及Pd电镀层，以及在热处理的Pd电镀层上形成一层保护电镀层。

公开(公告)号：CN100405564C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200410098317.X

申请日：2004-12-03

Applicant: 三星TECHWIN株式会社

Inventor： 白城官 ,  朴世喆 ,  李尚勋

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48664 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种引线框，含有的结构能够将在淀积过程中吸收的氢释放，以及能够降低电镀层之间的电势差，以及提供了一个制造引线框的方法。该方法包括在一个由金属的材料形成的基层上形成一层由Ni或Ni合金层形成的Ni电镀层，在Ni电镀层上形成一层由Pd或Pd合金形成的Pd电镀层，热处理Ni电镀层以及Pd电镀层，以及在热处理的Pd电镀层上形成一层保护电镀层。

公开(公告)号：CN1661787A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200510051998.9

申请日：2005-02-23

Applicant: 三星TECHWIN株式会社

Inventor： 李尚勳 ,  白城官 ,  朴世喆

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 提供了一种制造半导体封装的方法，其连接半导体芯片与外部电路板并且具有由铁和镍作为主要元素而组成的基底金属层。所述方法包括制备引线框的基底金属层；在基底金属层上形成一层或多层镀覆层；在引线框上安装半导体芯片；模塑半导体芯片和至少一部分引线框；弯曲引线框以预定形状形成引线框；以及热处理引线框。

公开(公告)号：CN100490102C

公开(公告)日：2009-05-20

申请号：CN200510051998.9

申请日：2005-02-23

Applicant: 三星TECHWIN株式会社

Inventor： 李尚勳 ,  白城官 ,  朴世喆

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49582 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85464 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 提供了一种制造半导体封装的方法，其连接半导体芯片与外部电路板并且具有由铁和镍作为主要元素而组成的基底金属层。所述方法包括制备引线框的基底金属层；在基底金属层上形成一层或多层镀覆层；在引线框上安装半导体芯片；模塑半导体芯片和至少一部分引线框；弯曲引线框以预定形状形成引线框；以及热处理引线框。