公开(公告)号：CN119905349A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202410566439.4

申请日：2024-05-09

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李丞镛 ,  李勇和 ,  金珉洙 ,  朴相珍 ,  全忠燮 ,  申眞福 ,  沈大振 ,  蔡现植 ,  金孝珍 ,  安重炫

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G4/232 ,  H01G4/005 ,  H01G13/00

Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电容器及其制造方法。所述多层陶瓷电容器包括：电容器主体，包括介电层和内电极层；以及外电极，设置在所述电容器主体的外表面上，其中，所述电容器主体包括交替设置所述介电层和所述内电极层的有效部、设置在所述有效部的彼此相对的两个侧端部处的侧边缘部以及分别设置在所述有效部和所述侧边缘部之间的结合部，并且所述有效部和所述侧边缘部中的至少一个包括包含钡(Ba)和钛(Ti)的钛酸钡基主成分以及镓(Ga)。

公开(公告)号：CN118942907A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410566054.8

申请日：2024-05-09

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 蔡现植 ,  李知炫 ,  李银贞 ,  李种晧 ,  李勇和 ,  金珉洙 ,  郑东俊 ,  金孝燮

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/232 ,  H01G4/005 ,  H01G4/002 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件，所述多层电子组件包括：主体，包括电容形成部和覆盖部，所述电容形成部包括在第一方向上交替设置的介电层和内电极，所述覆盖部分别设置在所述电容形成部在所述第一方向上的两个表面上，并且所述主体具有在所述第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面、以及在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；外电极，分别设置在所述主体的所述第三表面和所述第四表面上；以及侧边缘部，分别设置在所述主体的所述第五表面和所述第六表面上。所述电容形成部、所述覆盖部和所述侧边缘部中的至少一个包括第二相，所述第二相包括镓(Ga)。

公开(公告)号：CN116110715A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202210578313.X

申请日：2022-05-25

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金珉洙 ,  安重炫 ,  金润 ,  李丞镛 ,  徐东讚 ,  申瑜罗 ,  申真福 ,  全忠燮 ,  车润聢

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本公开提供一种电容器组件和制造电容器组件的方法。所述电容器组件包括主体和外电极，所述主体包括介电层和内电极层，所述外电极设置在所述主体上并连接到所述内电极层。所述介电层包括介电晶粒，所述介电晶粒中的至少一部分介电晶粒具有核‑壳结构，并且所述核‑壳结构的壳包含平均浓度大于0.5at％的稀土元素。

公开(公告)号：CN119650299A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202410201442.6

申请日：2024-02-23

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金珉洙 ,  李丞镛 ,  李勇和 ,  朴相珍 ,  申眞福 ,  吴泳俊 ,  蔡现植 ,  李知炫

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 提供了一种多层陶瓷电容器及其制造方法。所述多层陶瓷电容器包括电容器主体和外电极，所述电容器主体包括介电层和内电极层，所述外电极设置在所述电容器主体的外部。所述介电层包括含有钡(Ba)和钛(Ti)的钛酸钡基主成分以及镓(Ga)，通过从所述介电层和所述内电极层之间的界面向所述介电层内到10nm至500nm的深度表面的区域的TEM‑EDS分析获得的Ba/Ga的峰值强度比(IBa/IGa)为1.0至5.0。

公开(公告)号：CN118213191A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202310814701.8

申请日：2023-07-04

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 申眞福 ,  金珉洙 ,  全忠燮 ,  安重炫 ,  李丞镛

IPC: H01G4/224 ,  H01G4/30 ,  H01G4/005 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件，所述多层电子组件包括主体和设置在所述主体上的外电极，所述主体包括渗透层、介电层和内电极，所述渗透层设置在所述主体内部并与所述主体的表面接触，其中，所述渗透层中包含的副成分元素的平均含量高于所述介电层中包含的副成分元素的平均含量，并且所述主体的平均表面粗糙度为0.01nm或更大且40nm或更小。

公开(公告)号：CN119581221A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411099707.2

申请日：2024-08-12

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李勇和 ,  李丞镛 ,  金珉洙 ,  朴相珍 ,  申真福

IPC: H01G4/10 ,  H01G4/018 ,  H01G4/30 ,  H01G13/00

Abstract: 本公开提供了一种介电组合物、多层电容器和多层电容器的制造方法。所述介电组合物包括：介电晶粒，包含钛酸钡基化合物；以及第二相，位于所述介电晶粒之间，并且所述第二相包括包含Ga和Si的第一第二相。所述多层电容器包括：电容器主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述电容器主体的外部，其中，所述介电层包括上述介电组合物。

公开(公告)号：CN114694963A

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202111568926.7

申请日：2021-12-21

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 申眞福 ,  申瑜罗 ,  李丞镛 ,  安重炫 ,  李勇和 ,  高多贤 ,  全忠燮 ,  金珉洙

IPC: H01G4/224 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括电容形成部和盖部，在所述电容形成部中，介电层和内电极在第一方向上交替地设置，所述盖部分别设置在所述电容形成部在所述第一方向上的上表面和下表面上；以及外电极，设置在所述主体上，其中，所述盖部包括多个介电晶粒和多个孔，并且Gn/Pn大于10且小于30，其中Gn是包括在所述盖部中的介电晶粒的数量，并且Pn是包括在所述盖部中的孔的数量。