制造多层陶瓷电容器的方法和多层陶瓷电容器

    公开(公告)号:CN116264129A

    公开(公告)日:2023-06-16

    申请号:CN202210781790.6

    申请日:2022-07-04

    Abstract: 本公开提供一种制造多层陶瓷电容器的方法和多层陶瓷电容器。所述方法包括:制备陶瓷生片,在所述陶瓷生片上形成多个内电极图案且在所述多个内电极图案之间具有预定距离;通过在第一方向上层叠多个陶瓷生片来形成陶瓷层叠体;切割所述陶瓷层叠体以形成层叠主体,所述层叠主体具有侧表面,所述内电极图案的端部在与所述第一方向垂直的第二方向上从所述侧表面暴露;在所述内电极图案的所述端部暴露的所述侧表面上形成边缘部;以及通过烧制所切出的层叠主体来形成包括介电层和内电极的陶瓷主体。形成边缘部的步骤包括使陶瓷膏从所切出的层叠主体的所述侧表面的上部向下部流动。

    多层陶瓷电子组件的制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116190120A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202210965754.5

    申请日:2022-08-12

    Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电子组件的制造方法。所述制造多层陶瓷电子组件的方法包括:在陶瓷生片上形成用于内电极的导电膏的操作;通过层叠多个所述陶瓷生片来形成陶瓷层压体的操作;通过烧结所述陶瓷层压体来形成包括介电层和多个内电极的陶瓷主体的操作;修整所述陶瓷主体的至少一个表面的操作;以及在所述陶瓷主体的经修整的所述至少一个表面上形成至少一个外电极的操作。

    多层电子组件及其制造方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114156086A

    公开(公告)日:2022-03-08

    申请号:CN202110685982.2

    申请日:2021-06-21

    Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件及其制造方法。所述多层电子组件包括:主体,包括多个介电层并且具有彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且彼此相对的第三表面和第四表面、以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且彼此相对的第五表面和第六表面;多个内电极,设置在所述主体的内部,暴露于所述第一表面和所述第二表面,并且具有暴露于所述第三表面或所述第四表面的一端;侧边缘部,设置在所述第一表面和所述第二表面上;以及外电极,设置在所述第三表面和所述第四表面上。所述侧边缘部和所述多个介电层包括金属,并且包括在所述侧边缘部中的所述金属的重量比大于包括在所述介电层中的所述金属的重量比。

    多层电子组件
    5.
    发明公开
    多层电子组件 审中-公开

    公开(公告)号:CN118197806A

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202310841608.6

    申请日:2023-07-10

    Inventor: 吴泳俊 金正烈

    Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括:主体,包括第一介电层和内电极,第一介电层和内电极在第一方向上交替设置且第一介电层介于内电极之间;以及外电极,设置在主体上。内电极包括主体部和端部,主体部在第一方向上与第一介电层交替设置以形成电容,端部从主体部沿第二方向延伸。主体中的包括第一介电层和主体部的区域是电容形成部。主体中的设置在电容形成部的在第二方向上彼此相对的一个表面和另一表面上并且包括内电极的端部的区域是第一边缘部。第一边缘部中的至少一个边缘部包括包含Ta4AlC3的第二介电层,并且第二介电层设置在内电极的端部之间。

    多层电子组件及其制造方法
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115810486A

    公开(公告)日:2023-03-17

    申请号:CN202211115317.0

    申请日:2022-09-14

    Inventor: 吴泳俊 金正烈

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件及其制造方法。所述多层电子组件包括主体和设置在所述主体上的外电极,所述主体包括多个第一介电层和多个内电极,所述主体被划分为:电容形成部,在所述电容形成部中,所述多个第一介电层和所述多个内电极在第一方向上交替地设置;第一覆盖部,设置在所述电容形成部的在所述第一方向上的一个表面上,并且包括第二介电层;以及第二覆盖部,设置在所述电容形成部的在所述第一方向上的另一表面上,并且包括第三介电层。其中,如果在所述多个内电极之中的最靠近所述第一覆盖部设置的内电极被称为IE1,则IE1中的Ni(OH)2质量与NiO质量的比值大于等于4.5且小于等于7.5。

    多层陶瓷电容器及其制造方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119650299A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202410201442.6

    申请日:2024-02-23

    Abstract: 提供了一种多层陶瓷电容器及其制造方法。所述多层陶瓷电容器包括电容器主体和外电极,所述电容器主体包括介电层和内电极层,所述外电极设置在所述电容器主体的外部。所述介电层包括含有钡(Ba)和钛(Ti)的钛酸钡基主成分以及镓(Ga),通过从所述介电层和所述内电极层之间的界面向所述介电层内到10nm至500nm的深度表面的区域的TEM‑EDS分析获得的Ba/Ga的峰值强度比(IBa/IGa)为1.0至5.0。

    多层陶瓷电子组件及制造多层陶瓷电子组件的方法

    公开(公告)号:CN110838406B

    公开(公告)日:2022-12-16

    申请号:CN201811464898.2

    申请日:2018-12-03

    Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电子组件及制造多层陶瓷电子组件的方法。所述制造多层陶瓷电子组件的方法包括:制备陶瓷生片;通过在所述陶瓷生片上涂覆用于内电极的包括镍(Ni)粉末的膏体而形成内电极图案,所述镍(Ni)粉末包括具有含铜(Cu)的表面的涂层;通过堆叠其上形成有所述内电极图案的所述陶瓷生片而形成陶瓷多层结构;以及通过烧结所述陶瓷多层结构而形成包括介电层和内电极的主体。基于所述Ni粉末的总重量,Cu的含量等于或大于0.2wt%。

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