公开(公告)号：CN117995557A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311093780.4

申请日：2023-08-29

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李知炫 ,  李种晧 ,  李银贞 ,  洪容珉 ,  朴龙 ,  金珉雨 ,  朴正泰 ,  金善美 ,  姜心忠

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G4/005

Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件和制造多层电子组件的方法。所述制造多层电子组件的方法包括：将包括陶瓷材料、光固化剂和光引发剂的边缘部生片附接到多个切割的陶瓷生片堆叠体中的每个切割的陶瓷生片堆叠体的在第三方向上的至少一个端表面，以及利用能量照射所述边缘部生片以在所述光固化剂和所述光引发剂之间产生光固化聚合反应的能量照射操作。

公开(公告)号：CN118942907A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410566054.8

申请日：2024-05-09

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 蔡现植 ,  李知炫 ,  李银贞 ,  李种晧 ,  李勇和 ,  金珉洙 ,  郑东俊 ,  金孝燮

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/232 ,  H01G4/005 ,  H01G4/002 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件，所述多层电子组件包括：主体，包括电容形成部和覆盖部，所述电容形成部包括在第一方向上交替设置的介电层和内电极，所述覆盖部分别设置在所述电容形成部在所述第一方向上的两个表面上，并且所述主体具有在所述第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面、以及在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；外电极，分别设置在所述主体的所述第三表面和所述第四表面上；以及侧边缘部，分别设置在所述主体的所述第五表面和所述第六表面上。所述电容形成部、所述覆盖部和所述侧边缘部中的至少一个包括第二相，所述第二相包括镓(Ga)。

公开(公告)号：CN118197804A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202310960403.X

申请日：2023-08-01

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴龙 ,  李种晧 ,  朴廷振 ,  金秀珉 ,  李银贞 ,  洪容珉 ,  李知炫 ,  姜心忠 ,  金珉雨 ,  朴正泰

IPC: H01G4/14 ,  H01G4/002 ,  H01G4/005 ,  H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件，所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和与所述介电层交替设置的内电极；以及外电极，设置在所述主体上。所述介电层包括掺杂N的聚多巴胺。

公开(公告)号：CN117637342A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202310778117.1

申请日：2023-06-28

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 孙命赞 ,  朴龙 ,  李种晧 ,  李银贞 ,  朴正泰 ,  金珉雨 ,  李知炫 ,  金善美

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/012 ,  H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供一种制造多层电子组件的方法和由该方法制造的多层电子组件。所述制造多层电子组件的方法包括：通过在支撑膜上堆叠其上设置有导电图案的多个陶瓷生片来形成堆叠体；沿着与作为所述多个陶瓷生片的堆叠方向的第一方向垂直的第二方向切割所述堆叠体，并且沿着与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向切割所述堆叠体，以获得多个单元坯；将所述单元坯与所述支撑膜分离，布置所述单元坯，使得所述单元坯的侧表面中的一个与粘合带接触；以及将所述侧表面中的另一个附接到用于侧边缘部的陶瓷生片，并且在所述侧表面中的所述另一个上形成侧边缘部。

公开(公告)号：CN119650299A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202410201442.6

申请日：2024-02-23

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金珉洙 ,  李丞镛 ,  李勇和 ,  朴相珍 ,  申眞福 ,  吴泳俊 ,  蔡现植 ,  李知炫

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 提供了一种多层陶瓷电容器及其制造方法。所述多层陶瓷电容器包括电容器主体和外电极，所述电容器主体包括介电层和内电极层，所述外电极设置在所述电容器主体的外部。所述介电层包括含有钡(Ba)和钛(Ti)的钛酸钡基主成分以及镓(Ga)，通过从所述介电层和所述内电极层之间的界面向所述介电层内到10nm至500nm的深度表面的区域的TEM‑EDS分析获得的Ba/Ga的峰值强度比(IBa/IGa)为1.0至5.0。