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公开(公告)号：CN119581221A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411099707.2
申请日：2024-08-12
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供了一种介电组合物、多层电容器和多层电容器的制造方法。所述介电组合物包括：介电晶粒，包含钛酸钡基化合物；以及第二相，位于所述介电晶粒之间，并且所述第二相包括包含Ga和Si的第一第二相。所述多层电容器包括：电容器主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述电容器主体的外部，其中，所述介电层包括上述介电组合物。
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公开(公告)号：CN114694963A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111568926.7
申请日：2021-12-21
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括电容形成部和盖部，在所述电容形成部中，介电层和内电极在第一方向上交替地设置，所述盖部分别设置在所述电容形成部在所述第一方向上的上表面和下表面上；以及外电极，设置在所述主体上，其中，所述盖部包括多个介电晶粒和多个孔，并且Gn/Pn大于10且小于30，其中Gn是包括在所述盖部中的介电晶粒的数量，并且Pn是包括在所述盖部中的孔的数量。
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公开(公告)号：CN120015530A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411634308.1
申请日：2024-11-15
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层电子组件，所述多层电子组件包括：主体，包括电容形成部和覆盖部，所述电容形成部包括介电层以及在第一方向上与所述介电层交替设置的内电极，所述覆盖部设置在所述电容形成部的在所述第一方向上的上表面和下表面上；以及外电极，设置在所述主体上，并且所述覆盖部可包括钛(Ti)、镓(Ga)和磷(P)，包括在所述覆盖部中的镓(Ga)相对于100摩尔的钛(Ti)的摩尔量可大于等于0.3摩尔且小于等于6.0摩尔。
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公开(公告)号：CN119905349A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202410566439.4
申请日：2024-05-09
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电容器及其制造方法。所述多层陶瓷电容器包括：电容器主体，包括介电层和内电极层；以及外电极，设置在所述电容器主体的外表面上，其中，所述电容器主体包括交替设置所述介电层和所述内电极层的有效部、设置在所述有效部的彼此相对的两个侧端部处的侧边缘部以及分别设置在所述有效部和所述侧边缘部之间的结合部，并且所述有效部和所述侧边缘部中的至少一个包括包含钡(Ba)和钛(Ti)的钛酸钡基主成分以及镓(Ga)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118942907A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410566054.8
申请日：2024-05-09
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层电子组件，所述多层电子组件包括：主体，包括电容形成部和覆盖部，所述电容形成部包括在第一方向上交替设置的介电层和内电极，所述覆盖部分别设置在所述电容形成部在所述第一方向上的两个表面上，并且所述主体具有在所述第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面、以及在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；外电极，分别设置在所述主体的所述第三表面和所述第四表面上；以及侧边缘部，分别设置在所述主体的所述第五表面和所述第六表面上。所述电容形成部、所述覆盖部和所述侧边缘部中的至少一个包括第二相，所述第二相包括镓(Ga)。
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公开(公告)号：CN118073092A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202310876807.0
申请日：2023-07-17
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层电子组件，所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体外部，并且连接到所述内电极，其中，所述介电层包括多个介电晶粒，并且所述多个介电晶粒中的至少一个介电晶粒包括核‑壳结构，所述核‑壳结构包括核区域和覆盖所述核区域的至少一部分的壳区域，并且所述多个介电晶粒中的90％或更多的介电晶粒满足170.0nm至190.0nm的平均尺寸，并且相对于所述多个介电晶粒的平均尺寸，所述介电晶粒的尺寸的最大偏差满足±60.0nm。
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公开(公告)号：CN120015528A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411625787.0
申请日：2024-11-14
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括电容形成部和设置在电容形成部的在第一方向上的两个表面上的覆盖部，电容形成部包括介电层和内电极，主体包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；外电极，设置在第三表面和第四表面上；以及侧边缘部，设置在第五表面和第六表面上，并且覆盖部和侧边缘部包括钛（Ti）和镓（Ga），并且包括在侧边缘部中的基于100摩尔钛（Ti）的镓（Ga）的摩尔数（B）与包括在覆盖部中的基于100摩尔钛（Ti）的镓（Ga）的摩尔数（A）的比值（B/A）满足1.5≤B/A。
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公开(公告)号：CN120015520A
公开(公告)日：2025-05-16
申请号：CN202411497085.9
申请日：2024-10-25
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层电子组件。根据本公开的示例实施例的所述多层电子组件可包括：主体，包括电容形成部和覆盖部，所述电容形成部包括介电层和在第一方向上与所述介电层交替设置的内电极，所述覆盖部设置在所述电容形成部在所述第一方向上的两个表面上；以及外电极，设置在所述主体上。所述覆盖部可包括钡（Ba）、镓（Ga）和锡（Sn），并且包括在所述覆盖部中的镓（Ga）的基于100摩尔的钡（Ba）的摩尔数（A）与包括在所述覆盖部中的锡（Sn）的基于100摩尔的钡（Ba）的摩尔数（B）的比值（A/B）可满足0.2≤A/B≤4.0。
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公开(公告)号：CN119650299A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410201442.6
申请日：2024-02-23
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 提供了一种多层陶瓷电容器及其制造方法。所述多层陶瓷电容器包括电容器主体和外电极，所述电容器主体包括介电层和内电极层，所述外电极设置在所述电容器主体的外部。所述介电层包括含有钡(Ba)和钛(Ti)的钛酸钡基主成分以及镓(Ga)，通过从所述介电层和所述内电极层之间的界面向所述介电层内到10nm至500nm的深度表面的区域的TEM‑EDS分析获得的Ba/Ga的峰值强度比(IBa/IGa)为1.0至5.0。
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