公开(公告)号：CN109748581B

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN201810396538.7

申请日：2018-04-28

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 尹基明 ,  郑东俊 ,  朴宰成 ,  咸泰瑛 ,  权亨纯 ,  金钟翰 ,  金亨旭

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  C04B35/638 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明提供一种介电组合物和多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括交替地设置的第一内电极和第二内电极，且相应的介电层插设在所述第一内电极和所述第二内电极之间；以及第一外电极和第二外电极，设置在所述主体上以分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极，其中，所述介电层中的每个包括BamTiO3并包括多个晶粒和形成在相邻的晶粒之间的晶界，并且基于所述晶界中的氧化物的总量的100重量份，所述晶界中的Si和Dy的总含量为10至15重量份。

公开(公告)号：CN111564310A

公开(公告)日：2020-08-21

申请号：CN202010082253.3

申请日：2020-02-07

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 尹基明 ,  朴宰成 ,  郑东俊

IPC: H01G4/12

Abstract: 本发明提供一种多层陶瓷电容器，所述多层陶瓷电容器包括：陶瓷主体，具有设置在两个内电极之间的介电层。所述介电层包括多个介电晶粒。在所述多个介电晶粒中的至少两个介电晶粒之间的晶界具有在所述晶界中的Si的重量与Ni的重量的Si/Ni比，所述Si/Ni比为大于等于1且小于等于6。

公开(公告)号：CN112979305B

公开(公告)日：2023-11-17

申请号：CN202010580066.8

申请日：2020-06-23

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李敞健 ,  丁海硕 ,  朴伦秀 ,  郑东俊 ,  朴然庭

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/465 ,  C04B35/47 ,  C04B35/472 ,  C04B35/622 ,  C04B41/88 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供了一种介电陶瓷组合物的制造方法及由其制造的介电陶瓷组合物。所述介电陶瓷组合物的制造方法包括将反应性官能团附着到钙钛矿结构的基体材料粉末颗粒的表面。

公开(公告)号：CN114388269A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111214008.4

申请日：2021-10-19

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 郑东俊 ,  李大熙 ,  金显 ,  金润

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/012 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供了一种陶瓷电子组件及其制造方法。所述陶瓷电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极。所述介电层包括多个晶粒和设置在相邻晶粒之间的晶界。所述晶界的Mg含量(C2)与所述多个晶粒中的至少一个晶粒的Mg含量(C1)的比(C2/C1)为3或更大。

公开(公告)号：CN117038331A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310506340.0

申请日：2023-05-06

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 柳东建 ,  金秀彬 ,  郑东俊

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/005

Abstract: 本公开提供了一种包括介电层的多层电子组件。介电层包括多个介电晶粒，并且至少一个介电晶粒具有核‑界面壳‑壳结构。核‑界面壳‑壳结构包括核区域、分别覆盖核区域的至少一部分的第一界面壳区域和第二界面壳区域以及壳区域。具有核‑界面壳‑壳结构的介电晶粒包括钙钛矿(BaTiO3)基主成分、第一副成分和第二副成分，第一副成分包括硅(Si)，并且第二副成分包括锰(Mn)、钒(V)、铬(Cr)、铁(Fe)、镍(Ni)、钴(Co)、铜(Cu)、锌(Zn)和锡(Sn)中的至少一种。在具有核‑界面壳‑壳结构的介电晶粒中，第一副成分的平均含量在第一界面壳区域中最高，并且第二副成分的平均含量在第二界面壳区域中最高。

公开(公告)号：CN115831607A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211138270.X

申请日：2022-09-19

Applicant: 三星电机株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 郑东俊 ,  郑惠眞 ,  王志鹏 ,  朴眞完 ,  金珉会 ,  吴相虎 ,  李种晧

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/005

Abstract: 本公开提供一种陶瓷电子组件。所述陶瓷电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极。所述介电层包括主相，所述主相具有由式ABO3表示的钙钛矿结构，并且所述介电层包括固溶有Dy的区域。在固溶有Dy的所述区域中，通过使用扫描透射电子显微镜‑能量色散X射线光谱仪(STEM‑EDS)测量的固溶在所述钙钛矿结构的A位中的Dy的X射线计数为AD，固溶在所述钙钛矿结构的B位中的Dy的X射线计数为BD，AD/BD的平均值大于等于1.6且小于等于2.0。

公开(公告)号：CN115831605A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202210780785.3

申请日：2022-07-04

Applicant: 三星电机株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 郑东俊 ,  郑惠眞 ,  王志鹏 ,  朴眞完 ,  金珉会 ,  李种晧 ,  吴相虎

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本公开提供一种陶瓷电子组件。所述陶瓷电子组件，包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极。所述介电层包括主相，所述主相具有由通式ABO3表示的钙钛矿结构，并且包括溶有Dy的区域。在溶有Dy的区域中，溶在所述钙钛矿结构的A位中的Dy含量与溶在所述钙钛矿结构的B位中的Dy含量的原子比大于等于1.6且小于等于2.0。

公开(公告)号：CN118942907A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410566054.8

申请日：2024-05-09

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 蔡现植 ,  李知炫 ,  李银贞 ,  李种晧 ,  李勇和 ,  金珉洙 ,  郑东俊 ,  金孝燮

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/232 ,  H01G4/005 ,  H01G4/002 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件，所述多层电子组件包括：主体，包括电容形成部和覆盖部，所述电容形成部包括在第一方向上交替设置的介电层和内电极，所述覆盖部分别设置在所述电容形成部在所述第一方向上的两个表面上，并且所述主体具有在所述第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面、以及在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；外电极，分别设置在所述主体的所述第三表面和所述第四表面上；以及侧边缘部，分别设置在所述主体的所述第五表面和所述第六表面上。所述电容形成部、所述覆盖部和所述侧边缘部中的至少一个包括第二相，所述第二相包括镓(Ga)。

公开(公告)号：CN114582628A

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN202210306320.4

申请日：2020-02-07

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 尹基明 ,  朴宰成 ,  郑东俊

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 本发明提供一种多层陶瓷电容器，所述多层陶瓷电容器包括：陶瓷主体，具有设置在两个内电极之间的介电层。所述介电层包括多个介电晶粒。在所述多个介电晶粒中的至少两个介电晶粒之间的晶界具有在所述晶界中的Si的重量与Ni的重量的Si/Ni比，所述Si/Ni比为大于等于1且小于等于6。

公开(公告)号：CN114446654A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202110798474.5

申请日：2021-07-15

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李大熙 ,  李相赫 ,  宋琯宇 ,  赵洙玎 ,  李钟和 ,  车梵夏 ,  郑东俊 ,  金润

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/012

Abstract: 本公开提供了一种多层电容器。所述多层电容器包括：主体，包括多层结构，在所述多层结构中堆叠有多个介电层并且堆叠有多个内电极，且所述介电层介于所述多个内电极之间；以及外电极，设置在所述主体的外部并连接到所述内电极。所述多个介电层中的至少一个介电层包括多个晶粒，并且在所述多个晶粒中具有位错的晶粒的比例为20％或更大。