多层电子组件和介电组合物
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114628155A

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202111406133.5

    申请日:2021-11-24

    Inventor: 咸泰瑛

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件和介电组合物。所述多层电子组件包括:主体,包括多个介电层;以及外电极。其中,所述主体被划分为电容形成部和盖部,所述电容形成部的中央部是Aa,所述电容形成部的与所述盖部相邻的边界部是Ab,对应于包含在Aa中的多个介电晶粒中的从最小晶粒尺寸开始按增大的顺序的介电晶粒的前50%的介电晶粒尺寸是D50a,并且对应于包含在Ab中的多个介电晶粒中的从最小晶粒尺寸开始按增大的顺序的介电晶粒的前50%的介电晶粒尺寸是D50b,D50a满足小于或等于190nm,D50b满足大于或等于120nm。

    介电组合物和多层电子组件

    公开(公告)号:CN109748581B

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN201810396538.7

    申请日:2018-04-28

    Abstract: 本发明提供一种介电组合物和多层电子组件。所述多层电子组件包括:主体,包括交替地设置的第一内电极和第二内电极,且相应的介电层插设在所述第一内电极和所述第二内电极之间;以及第一外电极和第二外电极,设置在所述主体上以分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极,其中,所述介电层中的每个包括BamTiO3并包括多个晶粒和形成在相邻的晶粒之间的晶界,并且基于所述晶界中的氧化物的总量的100重量份,所述晶界中的Si和Dy的总含量为10至15重量份。

    介电组合物和包括其的多层电子组件

    公开(公告)号:CN115424860A

    公开(公告)日:2022-12-02

    申请号:CN202211185656.6

    申请日:2020-06-15

    Abstract: 本公开提供了一种介电组合物和包括其的多层电子组件。所述介电组合物包括主成分和第一副成分,所述主成分具有由ABO3表示的钙钛矿结构,其中A是Ba、Sr和Ca中的至少一种,B是Ti、Zr和Hf中的至少一种。所述第一副成分包括0.1摩尔或更多的稀土元素、0.02摩尔或更多的Nb以及大于或等于0.25摩尔且小于或等于0.9摩尔的Mg,所述稀土元素和Nb的含量之和为1.5摩尔或更少。

    介电组合物和包括其的多层电子组件

    公开(公告)号:CN112151267B

    公开(公告)日:2022-09-27

    申请号:CN202010541176.3

    申请日:2020-06-15

    Abstract: 本公开提供了一种介电组合物和包括其的多层电子组件。所述介电组合物包括主成分和第一副成分,所述主成分具有由ABO3表示的钙钛矿结构,其中A是Ba、Sr和Ca中的至少一种,B是Ti、Zr和Hf中的至少一种。所述第一副成分包括0.1摩尔或更多的稀土元素、0.02摩尔或更多的Nb以及大于或等于0.25摩尔且小于或等于0.9摩尔的Mg,所述稀土元素和Nb的含量之和为1.5摩尔或更少。

    多层电容器及介电组合物
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109767917B

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN201811053867.8

    申请日:2018-09-11

    Abstract: 本发明提供一种多层电容器及介电组合物。所述多层电容器包括:主体,包括介电层以及交替地设置的第一内电极和第二内电极,且相应的介电层插设在所述第一内电极和所述第二内电极之间;以及第一外电极和第二外电极,设置在所述主体上,并分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极。所述介电层包含BaTiO3作为主要成分,并包括多个晶粒以及相邻晶粒之间形成的晶界,基于所述晶界中的氧化物的总含量,所述晶界包含含量为8.0wt%至18.0wt%的Si以及总含量为2.0wt%至6.0wt%的Al和Mg。

Patent Agency Ranking