多层电容器及介电组合物

    公开(公告)号:CN109767917B

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN201811053867.8

    申请日:2018-09-11

    Abstract: 本发明提供一种多层电容器及介电组合物。所述多层电容器包括:主体,包括介电层以及交替地设置的第一内电极和第二内电极,且相应的介电层插设在所述第一内电极和所述第二内电极之间;以及第一外电极和第二外电极,设置在所述主体上,并分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极。所述介电层包含BaTiO3作为主要成分,并包括多个晶粒以及相邻晶粒之间形成的晶界,基于所述晶界中的氧化物的总含量,所述晶界包含含量为8.0wt%至18.0wt%的Si以及总含量为2.0wt%至6.0wt%的Al和Mg。

    钛酸钡的制备方法以及由该钛酸钡制备的钛酸钡粉末

    公开(公告)号:CN103570059A

    公开(公告)日:2014-02-12

    申请号:CN201310289292.0

    申请日:2013-07-10

    Abstract: 本发明提供了一种钛酸钡的制备方法,以及由该钛酸钡制备的钛酸钡粉末。高结晶钛酸钡的制备方法包括通过升高相对温度,制备具有电离钡(Ba)的氢氧化钡原料,制备分散在酸或者碱中的钛(Ti)原料,混合所述氢氧化钡和所述钛原料并反应得到钛酸钡晶种;以及将所述钛酸钡晶种与烧结促进剂混合以完成晶粒生长。所述钛酸钡粉末可以具有极好的晶粒大小分布和低烧结起始温度,因此,在应用于多层陶瓷电子元件时,改善了如分层产生、覆盖率退化等问题。

    多层电容器
    4.
    发明公开
    多层电容器 审中-公开

    公开(公告)号:CN119517623A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411084917.4

    申请日:2024-08-08

    Abstract: 根据本公开的一种多层电容器包括:电容器主体,包括介电层和内电极;以及外电极,设置在所述电容器主体的外侧上,并且所述介电层包含多个介电晶粒,所述介电晶粒包含主成分和副成分,并且所述多个介电晶粒中的至少一个介电晶粒具有核‑壳结构,所述核‑壳结构包括核、壳和位于所述核与所述壳之间的核‑壳壁,在所述多个介电晶粒中的至少两个介电晶粒之间具有晶界,当所述晶界中的所述副成分的以at%表示的平均浓度为CGB且所述核‑壳壁中的所述副成分的以at%表示的平均浓度为CCS时,CCS/CGB在0.40至0.75的范围内。

    多层电子组件
    5.
    发明公开
    多层电子组件 审中-公开

    公开(公告)号:CN119314802A

    公开(公告)日:2025-01-14

    申请号:CN202410855601.4

    申请日:2024-06-28

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件可包括:主体,包括介电层和内电极;以及外电极,设置在所述主体上,其中,所述介电层可包括多个介电晶粒,所述多个介电晶粒中的至少一个可具有核‑壳结构,所述核‑壳结构包括核部和围绕所述核部的至少一部分的壳部,所述核部的截面可包括多边形形状,所述多个介电晶粒的平均长度可大于等于80nm且小于等于200nm,并且所述核部的长度与相应的介电晶粒的长度相比可以为70%或更大。

    多层电容器
    7.
    发明公开
    多层电容器 审中-实审

    公开(公告)号:CN114512339A

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202111299646.0

    申请日:2021-11-04

    Inventor: 尹基明 赵俊烨

    Abstract: 本公开提供一种多层电容器。所述多层电容器包括:主体,包括介电层和内电极;以及外电极,设置在所述主体上以连接到所述内电极,其中,所述介电层包括具有核‑壳结构的多个晶粒,所述核‑壳结构在核中具有孔,并且在所述介电层的所述多个晶粒中,具有两个或更少的孔的晶粒的比为20%至40%。

    多层陶瓷电容器及其制造方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN120015525A

    公开(公告)日:2025-05-16

    申请号:CN202411292028.7

    申请日:2024-09-14

    Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电容器及其制造方法。所述多层陶瓷电容器可包括:电容器主体,包括介电层和内电极层;以及外电极,设置在所述电容器主体上,其中,所述介电层可包括多个介电晶粒和位于彼此相邻的所述介电晶粒之间的晶界,其中,所述介电晶粒可包括包含钡(Ba)和钛(Ti)的钛酸钡基主成分,其中,所述晶界包括硅(Si)、镝(Dy)和铽(Tb),并且其中,包括在所述晶界中的硅(Si)、镝(Dy)和铽(Tb)的摩尔含量的顺序为铽(Tb)

    钛酸钡的制备方法以及由该钛酸钡制备的钛酸钡粉末

    公开(公告)号:CN103570059B

    公开(公告)日:2017-04-12

    申请号:CN201310289292.0

    申请日:2013-07-10

    Abstract: 本发明提供了一种钛酸钡的制备方法,以及由该钛酸钡制备的钛酸钡粉末。高结晶钛酸钡的制备方法包括通过升高相对温度,制备具有电离钡(Ba)的氢氧化钡原料,制备分散在酸或者碱中的钛(Ti)原料,混合所述氢氧化钡和所述钛原料并反应得到钛酸钡晶种;以及将所述钛酸钡晶种与烧结促进剂混合以完成晶粒生长。所述钛酸钡粉末可以具有极好的晶粒大小分布和低烧结起始温度,因此,在应用于多层陶瓷电子元件时,改善了如分层产生、覆盖率退化等问题。

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