公开(公告)号：CN119905349A

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202410566439.4

申请日：2024-05-09

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李丞镛 ,  李勇和 ,  金珉洙 ,  朴相珍 ,  全忠燮 ,  申眞福 ,  沈大振 ,  蔡现植 ,  金孝珍 ,  安重炫

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G4/232 ,  H01G4/005 ,  H01G13/00

Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电容器及其制造方法。所述多层陶瓷电容器包括：电容器主体，包括介电层和内电极层；以及外电极，设置在所述电容器主体的外表面上，其中，所述电容器主体包括交替设置所述介电层和所述内电极层的有效部、设置在所述有效部的彼此相对的两个侧端部处的侧边缘部以及分别设置在所述有效部和所述侧边缘部之间的结合部，并且所述有效部和所述侧边缘部中的至少一个包括包含钡(Ba)和钛(Ti)的钛酸钡基主成分以及镓(Ga)。

公开(公告)号：CN118942907A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410566054.8

申请日：2024-05-09

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 蔡现植 ,  李知炫 ,  李银贞 ,  李种晧 ,  李勇和 ,  金珉洙 ,  郑东俊 ,  金孝燮

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/232 ,  H01G4/005 ,  H01G4/002 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件，所述多层电子组件包括：主体，包括电容形成部和覆盖部，所述电容形成部包括在第一方向上交替设置的介电层和内电极，所述覆盖部分别设置在所述电容形成部在所述第一方向上的两个表面上，并且所述主体具有在所述第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面、以及在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；外电极，分别设置在所述主体的所述第三表面和所述第四表面上；以及侧边缘部，分别设置在所述主体的所述第五表面和所述第六表面上。所述电容形成部、所述覆盖部和所述侧边缘部中的至少一个包括第二相，所述第二相包括镓(Ga)。

公开(公告)号：CN119650299A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202410201442.6

申请日：2024-02-23

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金珉洙 ,  李丞镛 ,  李勇和 ,  朴相珍 ,  申眞福 ,  吴泳俊 ,  蔡现植 ,  李知炫

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 提供了一种多层陶瓷电容器及其制造方法。所述多层陶瓷电容器包括电容器主体和外电极，所述电容器主体包括介电层和内电极层，所述外电极设置在所述电容器主体的外部。所述介电层包括含有钡(Ba)和钛(Ti)的钛酸钡基主成分以及镓(Ga)，通过从所述介电层和所述内电极层之间的界面向所述介电层内到10nm至500nm的深度表面的区域的TEM‑EDS分析获得的Ba/Ga的峰值强度比(IBa/IGa)为1.0至5.0。

公开(公告)号：CN118380264A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202311856107.1

申请日：2023-12-29

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 郑惠允 ,  郑东俊 ,  蔡现植 ,  朴志恩 ,  姜心忠 ,  沈大振 ,  李银贞

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G4/002 ,  H01G4/224

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极，并且包括第一表面和第二表面、第三表面和第四表面、第五表面和第六表面；外电极，设置在第三表面和第四表面上；以及侧边缘部，设置在第五表面和第六表面上。侧边缘部包括与内电极相邻的第一区域和与侧边缘部的外部相邻的第二区域。在通过分别分析位于第一区域和第二区域中的一个点而获得的拉曼光谱中，峰X出现在拉曼位移的450cm‑1至600cm‑1处。当在第一区域的拉曼光谱中出现峰X的拉曼位移的最小值为λcm‑1时，在第二区域的拉曼光谱中出现峰X的拉曼位移的最小值大于等于λ+0.75cm‑1。

公开(公告)号：CN118280719A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202311112817.3

申请日：2023-08-30

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李银贞 ,  蔡现植 ,  金善美 ,  郑东俊 ,  李种晧

IPC: H01G4/002 ,  H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G4/228 ,  H01G4/005

Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括在第一方向上设置的介电层和内电极，且所述介电层介于所述内电极之间，并且所述主体具有在所述第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；侧边缘部，设置在所述第五表面和所述第六表面上；以及外电极，设置在所述第三表面和所述第四表面上。所述侧边缘部中的每个侧边缘部包括与所述内电极相邻的第一区域和与所述侧边缘部的外侧相邻的第二区域。所述第一区域的平均Sn量低于所述第二区域的平均Sn量。所述第一区域的Sn量从所述内电极的一侧朝向所述第二区域逐渐增加。

公开(公告)号：CN119340109A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410698595.6

申请日：2024-05-31

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴龙 ,  朴廷振 ,  朴观洙 ,  李种晧 ,  徐彰晧 ,  金善美 ,  蔡现植

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/005 ,  H01G4/06 ,  H01G4/224 ,  H01G4/002

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层以及第一内电极和第二内电极，第一内电极和第二内电极在第一方向上交替地设置，且介电层介于第一内电极和第二内电极之间，并且主体包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到第一表面和第二表面并在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到第一表面至第四表面并在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面；侧边缘部，设置在第五表面和第六表面上；以及外电极，设置在第三表面和第四表面上，其中，侧边缘部包括聚多巴胺，并且其中，包括在侧边缘部中的多个介电晶粒的平均尺寸不同于包括在介电层中的多个介电晶粒的平均尺寸。

公开(公告)号：CN118197798A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311722812.2

申请日：2023-12-14

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 姜心忠 ,  李种晧 ,  李银贞 ,  蔡现植 ,  金善美 ,  沈大振

IPC: H01G4/005 ,  H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件，所述多层电子组件包括：主体，包括介电层以及与所述介电层在第一方向上交替地设置的内电极；外电极，设置在所述主体上；以及侧边缘部，设置在所述主体上，其中，包括在所述侧边缘部中的Sn的平均含量大于等于0.1mol％且小于等于4.0mol％，其中，所述侧边缘部的Ba/Ti比大于1.040且小于1.070，并且其中，包括在所述侧边缘部中的多个介电晶粒的平均尺寸满足大于等于100nm且小于等于290nm。