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公开(公告)号：CN114694963A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111568926.7
申请日：2021-12-21
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括电容形成部和盖部，在所述电容形成部中，介电层和内电极在第一方向上交替地设置，所述盖部分别设置在所述电容形成部在所述第一方向上的上表面和下表面上；以及外电极，设置在所述主体上，其中，所述盖部包括多个介电晶粒和多个孔，并且Gn/Pn大于10且小于30，其中Gn是包括在所述盖部中的介电晶粒的数量，并且Pn是包括在所述盖部中的孔的数量。
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公开(公告)号：CN119650299A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202410201442.6
申请日：2024-02-23
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 提供了一种多层陶瓷电容器及其制造方法。所述多层陶瓷电容器包括电容器主体和外电极，所述电容器主体包括介电层和内电极层，所述外电极设置在所述电容器主体的外部。所述介电层包括含有钡(Ba)和钛(Ti)的钛酸钡基主成分以及镓(Ga)，通过从所述介电层和所述内电极层之间的界面向所述介电层内到10nm至500nm的深度表面的区域的TEM‑EDS分析获得的Ba/Ga的峰值强度比(IBa/IGa)为1.0至5.0。
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公开(公告)号：CN118213191A
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202310814701.8
申请日：2023-07-04
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层电子组件，所述多层电子组件包括主体和设置在所述主体上的外电极，所述主体包括渗透层、介电层和内电极，所述渗透层设置在所述主体内部并与所述主体的表面接触，其中，所述渗透层中包含的副成分元素的平均含量高于所述介电层中包含的副成分元素的平均含量，并且所述主体的平均表面粗糙度为0.01nm或更大且40nm或更小。
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公开(公告)号：CN119905349A
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202410566439.4
申请日：2024-05-09
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电容器及其制造方法。所述多层陶瓷电容器包括：电容器主体，包括介电层和内电极层；以及外电极，设置在所述电容器主体的外表面上，其中，所述电容器主体包括交替设置所述介电层和所述内电极层的有效部、设置在所述有效部的彼此相对的两个侧端部处的侧边缘部以及分别设置在所述有效部和所述侧边缘部之间的结合部，并且所述有效部和所述侧边缘部中的至少一个包括包含钡(Ba)和钛(Ti)的钛酸钡基主成分以及镓(Ga)。
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公开(公告)号：CN118073092A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202310876807.0
申请日：2023-07-17
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种多层电子组件，所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体外部，并且连接到所述内电极，其中，所述介电层包括多个介电晶粒，并且所述多个介电晶粒中的至少一个介电晶粒包括核‑壳结构，所述核‑壳结构包括核区域和覆盖所述核区域的至少一部分的壳区域，并且所述多个介电晶粒中的90％或更多的介电晶粒满足170.0nm至190.0nm的平均尺寸，并且相对于所述多个介电晶粒的平均尺寸，所述介电晶粒的尺寸的最大偏差满足±60.0nm。
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