公开(公告)号：CN117995553A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311444647.9

申请日：2023-11-01

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金埈旿 ,  金昞建 ,  吴由弘 ,  梁贤智

IPC: H01G4/018 ,  H01G4/005 ,  H01G4/30

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上。在所述介电层的与所述介电层和所述内电极之间的界面间隔开2nm的区域中，铟(In)相对于钛(Ti)的平均含量满足大于等于0.3at％且小于等于3.8at％。

公开(公告)号：CN118366788A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410077713.1

申请日：2024-01-19

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金埈旿 ,  李成焕 ,  郭鲁俊

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/005 ,  H01G4/002 ,  H01G4/018

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件，所述多层电子组件包括：主体，包括多个介电层和多个内电极，所述多个内电极在第一方向上与所述多个介电层交替地设置；以及外电极，设置在所述主体上。所述多个内电极中的至少一个内电极包括Ni和In。在所述至少一个内电极中，在距与所述多个介电层中的至少一个介电层的界面10nm的点之中，摩尔比In/(Ni+In)大于等于0.002的点的比率大于等于70％，并且在所述第一方向上的中央点之中，摩尔比In/(Ni+In)大于等于0.002的点的比率小于等于35％。

公开(公告)号：CN116364417A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211067136.5

申请日：2022-09-01

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 吴由弘 ,  金埈旿 ,  金昞建 ,  赵珉贞 ,  崔源美 ,  李秀娟 ,  李炅烈 ,  康崙盛

IPC: H01G4/008 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件，所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极，所述介电层和所述内电极沿第一方向堆叠；以及外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极，其中，所述内电极的表面层部分中的相对于镍(Ni)和铟(In)总含量的铟(In)含量的范围为0.46at％至1.08at％。

公开(公告)号：CN110323064B

公开(公告)日：2022-09-13

申请号：CN201811327947.8

申请日：2018-11-09

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金正烈 ,  金孝燮 ,  李炅烈 ,  金埈旿 ,  吴范奭 ,  金锺翰 ,  车炅津

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/005 ,  H01G4/008 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供了一种多层电容器。所述多层电容器包括：主体，包括交替地设置在所述主体中的介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上并分别连接到所述内电极。所述内电极中的每个包括Ni颗粒、分布在所述Ni颗粒中的陶瓷、包围所述Ni颗粒的第一涂层以及包围所述陶瓷的第二涂层。

公开(公告)号：CN116364442A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211642699.2

申请日：2022-12-20

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金埈旿 ,  金昞建 ,  吴由弘

IPC: H01G11/26 ,  H01G11/30

Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电子组件，所述多层陶瓷电子组件包括：主体，包括介电层和内电极，所述内电极与所述介电层在第一方向上交替地设置；以及外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极，其中，所述内电极包括多个Ni晶粒，并且在所述多个Ni晶粒中的每个的晶界处设置包括Ni和In的复合层。

公开(公告)号：CN110323064A

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201811327947.8

申请日：2018-11-09

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金正烈 ,  金孝燮 ,  李炅烈 ,  金埈旿 ,  吴范奭 ,  金锺翰 ,  车炅津

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/005 ,  H01G4/008 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供了一种多层电容器。所述多层电容器包括：主体，包括交替地设置在所述主体中的介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上并分别连接到所述内电极。所述内电极中的每个包括Ni颗粒、分布在所述Ni颗粒中的陶瓷、包围所述Ni颗粒的第一涂层以及包围所述陶瓷的第二涂层。

公开(公告)号：CN110838406B

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN201811464898.2

申请日：2018-12-03

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 车炅津 ,  金正烈 ,  李炅烈 ,  吴泳俊 ,  康孝旻 ,  金埈旿

IPC: H01G4/008 ,  H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电子组件及制造多层陶瓷电子组件的方法。所述制造多层陶瓷电子组件的方法包括：制备陶瓷生片；通过在所述陶瓷生片上涂覆用于内电极的包括镍(Ni)粉末的膏体而形成内电极图案，所述镍(Ni)粉末包括具有含铜(Cu)的表面的涂层；通过堆叠其上形成有所述内电极图案的所述陶瓷生片而形成陶瓷多层结构；以及通过烧结所述陶瓷多层结构而形成包括介电层和内电极的主体。基于所述Ni粉末的总重量，Cu的含量等于或大于0.2wt％。

公开(公告)号：CN114464455A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202111301141.3

申请日：2021-11-04

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 吴泳俊 ,  车润聢 ,  康孝旻 ,  金埈旿 ,  吴芝恩 ,  金正烈

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供了一种多层陶瓷电子组件。所述多层陶瓷电子组件包括：陶瓷主体，包括介电层以及交替地堆叠的第一内电极和第二内电极，且相应的介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间；以及第一外电极和第二外电极，所述第一外电极连接到所述第一内电极，所述第二外电极连接到所述第二内电极，其中，所述介电层包括硅(Si)，所述第一内电极和所述第二内电极中的每个内电极包括Si和导电金属，并且包括在所述第一内电极和所述第二内电极中的每个内电极的Si的平均含量(B)(wt％)与包括在所述介电层中的Si的平均含量(A)(wt％)的比值(B/A)大于等于0.99且小于等于1.41。

公开(公告)号：CN110838406A

公开(公告)日：2020-02-25

申请号：CN201811464898.2

申请日：2018-12-03

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 车炅津 ,  金正烈 ,  李炅烈 ,  吴泳俊 ,  康孝旻 ,  金埈旿

IPC: H01G4/008 ,  H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电子组件及制造多层陶瓷电子组件的方法。所述制造多层陶瓷电子组件的方法包括：制备陶瓷生片；通过在所述陶瓷生片上涂覆用于内电极的包括镍(Ni)粉末的膏体而形成内电极图案，所述镍(Ni)粉末包括具有含铜(Cu)的表面的涂层；通过堆叠其上形成有所述内电极图案的所述陶瓷生片而形成陶瓷多层结构；以及通过烧结所述陶瓷多层结构而形成包括介电层和内电极的主体。基于所述Ni粉末的总重量，Cu的含量等于或大于0.2wt％。