多层电容器及其制造方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118507255A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202311329036.X

    申请日:2023-10-11

    Abstract: 提供一种多层电容器及其制造方法,所述多层电容器包括:电容器主体,包括介电层和内电极,以及外电极,在所述电容器主体的外部,其中,所述介电层包括多个介电晶粒,所述多个介电晶粒中的至少一个具有核‑壳结构,并且在具有所述核‑壳结构的所述介电晶粒中,所述核的直径与具有所述核‑壳结构的所述介电晶粒的直径的比率为约60%至约80%。

    多层电子组件及其制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114551102A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202111319223.0

    申请日:2021-11-09

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件及其制造方法。所述多层电子组件包括:主体,包括介电层以及与所述介电层交替设置的内电极;以及外电极,设置在所述主体上并连接到所述内电极。包含Sn和Ni的复合层设置在所述内电极和所述介电层之间的界面处。所述内电极包括中央部以及在所述复合层和所述内电极的所述中央部之间的界面部。所述界面部包括陶瓷添加剂。

    多层陶瓷电子组件
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114464455A

    公开(公告)日:2022-05-10

    申请号:CN202111301141.3

    申请日:2021-11-04

    Abstract: 本公开提供了一种多层陶瓷电子组件。所述多层陶瓷电子组件包括:陶瓷主体,包括介电层以及交替地堆叠的第一内电极和第二内电极,且相应的介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间;以及第一外电极和第二外电极,所述第一外电极连接到所述第一内电极,所述第二外电极连接到所述第二内电极,其中,所述介电层包括硅(Si),所述第一内电极和所述第二内电极中的每个内电极包括Si和导电金属,并且包括在所述第一内电极和所述第二内电极中的每个内电极的Si的平均含量(B)(wt%)与包括在所述介电层中的Si的平均含量(A)(wt%)的比值(B/A)大于等于0.99且小于等于1.41。

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