多层陶瓷电子组件
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116364442A

    公开(公告)日:2023-06-30

    申请号:CN202211642699.2

    申请日:2022-12-20

    Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电子组件,所述多层陶瓷电子组件包括:主体,包括介电层和内电极,所述内电极与所述介电层在第一方向上交替地设置;以及外电极,设置在所述主体上并连接到所述内电极,其中,所述内电极包括多个Ni晶粒,并且在所述多个Ni晶粒中的每个的晶界处设置包括Ni和In的复合层。

    多层电子组件及其制造方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114551094A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202111105806.3

    申请日:2021-09-22

    Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件及其制造方法。所述多层电子组件包括:主体,包括介电层和内电极,所述内电极与所述介电层交替地堆叠;以及外电极,设置在所述主体上并连接到所述内电极,其中,所述内电极包括Cu和Ni,并且在所述内电极的距与所述介电层的界面5nm深的区域中的基于重量比的Cu/Ni的变异系数(CV)值为25.0%或更小。

    多层电子组件
    4.
    发明公开
    多层电子组件 审中-实审

    公开(公告)号:CN114520113A

    公开(公告)日:2022-05-20

    申请号:CN202111300050.8

    申请日:2021-11-04

    Inventor: 赵珉贞 吴由弘

    Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括:主体,包括交替堆叠的介电层和内电极,且所述介电层介于所述内电极之间;以及外电极,设置在所述主体上并连接到所述内电极。所述内电极中的一个内电极包含Ni,并且所述内电极中的所述一个内电极中包含的Ni的晶格常数满足至的范围。

    电容器组件及其制造方法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115547688A

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202210155228.2

    申请日:2022-02-21

    Abstract: 本公开提供一种电容器组件及其制造方法。所述电容器组件包括:主体,包括介电层和内电极层;以及外电极,设置在所述主体上并连接到所述内电极层。在所述内电极层中形成有至少一个孔,并且包含选自由铟(In)和锡(Sn)组成的组中的至少一种的区域存在于所述孔中。制造电容器组件的方法包括:形成介电生片;在所述介电生片上形成包含第一导电材料和第二导电材料的导电薄膜;以及烧结所述导电薄膜以形成内电极层。所述内电极层包含所述第一导电材料,并且包含所述第二导电材料的区域形成在所述内电极层中。

    多层电子组件
    6.
    发明公开
    多层电子组件 审中-实审

    公开(公告)号:CN112908696A

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN202010661592.7

    申请日:2020-07-10

    Abstract: 本发明提供了一种多层电子组件,所述多层电子组件包括:主体,包括介电层和内电极,所述内电极交替地堆叠且所述介电层介于所述内电极之间;以及外电极,设置在所述主体上并连接到所述内电极。所述内电极中的至少一个内电极在所述主体的长度方向上的端部比所述内电极的中央部厚,并且所述端部的厚度t2与所述中央部的厚度t1的比t2/t1满足1.1≤t2/t1≤1.5。

    多层电子组件
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112309718A

    公开(公告)日:2021-02-02

    申请号:CN202010717584.X

    申请日:2020-07-23

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件,所述多层电子组件包括:主体,包括介电层以及在所述主体中在堆叠方向上交替堆叠的内电极;以及外电极,设置在所述主体上并连接到所述内电极。所述内电极包含94.0wt%至99.6wt%的Ni和0.4wt%至6.0wt%的Cu。

    多层电容器
    8.
    发明公开
    多层电容器 审中-公开

    公开(公告)号:CN119852091A

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202411408577.6

    申请日:2024-10-10

    Abstract: 本公开提供了一种多层电容器。根据本公开的所述多层电容器包括:电容器主体,包括介电层和内电极;以及外电极,设置在所述电容器主体的外侧上,并且所述内电极包含Ni‑Ge合金,并且当在所述内电极的中央部处的Ge相对于Ni的基于重量百分比的平均含量由X表示,并且在从所述内电极和所述介电层之间的界面朝向所述内电极的所述中央部间隔20nm的点处的Ge相对于Ni的基于重量百分比的平均含量由Y表示时,X和Y之间的关系满足表达式1:#imgabs0#

    多层电子组件
    9.
    发明公开
    多层电子组件 审中-公开

    公开(公告)号:CN117995553A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202311444647.9

    申请日:2023-11-01

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括:主体,包括介电层和内电极;以及外电极,设置在所述主体上。在所述介电层的与所述介电层和所述内电极之间的界面间隔开2nm的区域中,铟(In)相对于钛(Ti)的平均含量满足大于等于0.3at%且小于等于3.8at%。

    多层电子组件
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112309718B

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202010717584.X

    申请日:2020-07-23

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件,所述多层电子组件包括:主体,包括介电层以及在所述主体中在堆叠方向上交替堆叠的内电极;以及外电极,设置在所述主体上并连接到所述内电极。所述内电极包含94.0wt%至99.6wt%的Ni和0.4wt%至6.0wt%的Cu。

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