公开(公告)号：CN115547688A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202210155228.2

申请日：2022-02-21

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 康崙盛 ,  李秀娟 ,  罗元竣 ,  金昞建 ,  吴由弘 ,  金善花 ,  许才恩 ,  郑会烲

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/005 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供一种电容器组件及其制造方法。所述电容器组件包括：主体，包括介电层和内电极层；以及外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极层。在所述内电极层中形成有至少一个孔，并且包含选自由铟(In)和锡(Sn)组成的组中的至少一种的区域存在于所述孔中。制造电容器组件的方法包括：形成介电生片；在所述介电生片上形成包含第一导电材料和第二导电材料的导电薄膜；以及烧结所述导电薄膜以形成内电极层。所述内电极层包含所述第一导电材料，并且包含所述第二导电材料的区域形成在所述内电极层中。

公开(公告)号：CN116364417A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202211067136.5

申请日：2022-09-01

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 吴由弘 ,  金埈旿 ,  金昞建 ,  赵珉贞 ,  崔源美 ,  李秀娟 ,  李炅烈 ,  康崙盛

IPC: H01G4/008 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件，所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极，所述介电层和所述内电极沿第一方向堆叠；以及外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极，其中，所述内电极的表面层部分中的相对于镍(Ni)和铟(In)总含量的铟(In)含量的范围为0.46at％至1.08at％。