多层电子组件
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112309718B

    公开(公告)日:2023-10-10

    申请号:CN202010717584.X

    申请日:2020-07-23

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件,所述多层电子组件包括:主体,包括介电层以及在所述主体中在堆叠方向上交替堆叠的内电极;以及外电极,设置在所述主体上并连接到所述内电极。所述内电极包含94.0wt%至99.6wt%的Ni和0.4wt%至6.0wt%的Cu。

    多层电子组件
    2.
    发明公开
    多层电子组件 审中-实审

    公开(公告)号:CN114628153A

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202111194468.5

    申请日:2021-10-13

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括:主体,包括介电层和内电极,所述介电层在第一方向上介于所述内电极之间;以及外电极,设置在所述主体上并连接到所述内电极,其中,所述内电极包括镍(Ni)和镝(Dy),并且0.02at%≤C0≤5at%,其中,C0是通过将所述内电极中包括的Dy的原子数除以Ni和Dy的原子数之和而计算的原子百分比(at%)。

    多层电子组件
    4.
    发明公开
    多层电子组件 审中-实审

    公开(公告)号:CN116313536A

    公开(公告)日:2023-06-23

    申请号:CN202211644219.6

    申请日:2022-12-20

    Inventor: 姜秀智

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括:主体,包括多个介电层;侧边缘部,设置在所述主体上;以及外电极,设置在所述主体上。所述主体包括有效部和覆盖部,所述有效部具有在第一方向上交替布置的内电极,且所述介电层介于所述内电极之间,所述覆盖部设置在所述有效部在所述第一方向上的两个表面上。所述有效部、所述覆盖部和所述侧边缘部包括钼(Mo)。第一维度界面部中的Mo含量高于所述有效部的中央部中的Mo含量,所述第一维度界面部是所述有效部的与所述覆盖部和所述侧边缘部中的一个相邻的区域。所述覆盖部和所述侧边缘部中的所述一个中的Mo含量高于所述第一维度界面部中的Mo含量。

    多层陶瓷电子组件
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114694958A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202111641006.3

    申请日:2021-12-29

    Abstract: 本公开提供了一种多层陶瓷电子组件。多层陶瓷电子组件包括:陶瓷主体,包括介电层以及交替堆叠的第一内电极和第二内电极,介电层包含锶(Sr);以及第一外电极和第二外电极,分别连接到第一内电极和第二内电极,其中,介电层包括:第一区域,与第一内电极或第二内电极平行且相邻,并且厚度为50nm或更小;以及第二区域,与第一区域平行且相邻,第一区域的锶(Sr)的平均含量大于0.1mol%且小于9.3mol%,并且第二区域的锶(Sr)的平均含量比第一区域的锶的平均含量低,其中,第一区域的锶的平均含量基于包括在第一区域中的化合物的总含量,第二区域的锶的平均含量基于包括在第二区域中的化合物的总含量。

    多层电子组件
    7.
    发明公开
    多层电子组件 审中-公开

    公开(公告)号:CN118016447A

    公开(公告)日:2024-05-10

    申请号:CN202310429403.7

    申请日:2023-04-20

    Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括:主体,包括电容形成部和盖部,所述电容形成部包括介电层和在第一方向上与所述介电层交替设置的内电极,所述盖部设置在所述电容形成部的在所述第一方向上的一个表面和另一表面上;以及外电极,设置在所述主体上,其中,在所述内电极与所述介电层之间的界面的一部分处设置有包含Al的第二相,并且所述第二相所占的面积相对于所述电容形成部的面积的比率大于等于0.03%且小于等于0.40%。

    电容器组件
    8.
    发明公开
    电容器组件 审中-实审

    公开(公告)号:CN116072428A

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202210498529.5

    申请日:2022-05-09

    Inventor: 姜秀智

    Abstract: 本公开提供一种电容器组件,所述电容器组件包括:主体,包括内电极层以及设置在彼此相邻的所述内电极层之间的介电层;以及外电极,设置在所述主体的表面上,其中,所述内电极层和所述介电层分别包括钼(Mo),所述介电层在厚度方向上具有中央部分和和外部部分,所述外部部分设置在所述中央部分与所述内电极层之间,并且包含在所述介电层的所述中央部分中的钼的含量小于包含在所述介电层的所述外部部分中的钼(Mo)的含量。

    多层陶瓷电子组件
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114694956A

    公开(公告)日:2022-07-01

    申请号:CN202111032316.5

    申请日:2021-09-03

    Abstract: 本公开提供了一种多层陶瓷电子组件。多层陶瓷电子组件包括:陶瓷主体,包括介电层以及交替堆叠的第一内电极和第二内电极,介电层包含锶(Sr);以及第一外电极和第二外电极,分别连接到第一内电极和第二内电极,其中,介电层包括:第一区域,与第一内电极或第二内电极平行且相邻,并且厚度为50nm或更小;以及第二区域,与第一区域平行且相邻,第一区域的锶(Sr)的平均含量大于0.1mol%且小于或等于30mol%,并且第二区域的锶(Sr)的平均含量比第一区域的锶的平均含量低,其中,第一区域的锶的平均含量基于包括在第一区域中的化合物的总含量,第二区域的锶的平均含量基于包括在第二区域中的化合物的总含量。

    多层电子组件
    10.
    发明公开
    多层电子组件 审中-实审

    公开(公告)号:CN112908696A

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN202010661592.7

    申请日:2020-07-10

    Abstract: 本发明提供了一种多层电子组件,所述多层电子组件包括:主体,包括介电层和内电极,所述内电极交替地堆叠且所述介电层介于所述内电极之间;以及外电极,设置在所述主体上并连接到所述内电极。所述内电极中的至少一个内电极在所述主体的长度方向上的端部比所述内电极的中央部厚,并且所述端部的厚度t2与所述中央部的厚度t1的比t2/t1满足1.1≤t2/t1≤1.5。

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