公开(公告)号：CN118053675A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202310677911.7

申请日：2023-06-08

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 黄现俊 ,  朴辰琼 ,  郑善日 ,  李佶勇 ,  姜秀智 ,  郑文成 ,  张原硕 ,  金政民

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/008 ,  H01G4/232 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体外部并且连接到所述内电极，其中，当所述内电极包括铪(Hf)时，1.5≤Hfs/Hfc≤5.0，Hfc表示内电极的中心的平均Hf含量(at％)，Hfs表示从所述内电极的中心到所述内电极与所述介电层接触的界面测量的所述内电极的平均Hf含量(at％)。

公开(公告)号：CN114628153A

公开(公告)日：2022-06-14

申请号：CN202111194468.5

申请日：2021-10-13

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴辰琼 ,  金东镇 ,  郑善日 ,  姜秀智 ,  郑文成

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/012

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极，所述介电层在第一方向上介于所述内电极之间；以及外电极，设置在所述主体上并连接到所述内电极，其中，所述内电极包括镍(Ni)和镝(Dy)，并且0.02at％≤C0≤5at％，其中，C0是通过将所述内电极中包括的Dy的原子数除以Ni和Dy的原子数之和而计算的原子百分比(at％)。

公开(公告)号：CN118197799A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202310594963.8

申请日：2023-05-24

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李佶勇 ,  姜秀智 ,  郑文成 ,  朴辰琼 ,  张昌洙 ,  郑善日 ,  黄现俊 ,  金政民

IPC: H01G4/008 ,  H01G4/30

Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和与所述介电层交替设置的内电极；以及外电极，设置在所述主体上，其中，所述内电极中的至少一个内电极包括Ni和含Al氧化物，并且基于Ni的Al含量大于等于3at％且小于等于5at％。