公开(公告)号：CN119724929A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202410659641.1

申请日：2024-05-27

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金娜莹 ,  黄现俊 ,  张昌洙 ,  郑文成 ,  张原硕 ,  金政民

IPC: H01G4/008 ,  H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G13/00

Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电容器及制造多层陶瓷电容器的方法。所述多层陶瓷电容器包括：电容器主体，包括介电层和内电极层；以及外电极，设置在所述电容器主体上。所述内电极层包括镍(Ni)和铈(Ce)，并且沿着所述内电极层的厚度方向，所述内电极层包括上部部分、中间部分和下部部分，所述中间部分被称为中央区域，并且具有所述内电极层与所述介电层之间的界面的所述上部部分和所述下部部分中的至少一个被称为界面区域，所述内电极层的所述中央区域和所述界面区域两者包括铈(Ce)，并且所述界面区域中的铈(Ce)相对于镍的重量百分比高于所述中央区域中的铈(Ce)相对于镍的重量百分比。

公开(公告)号：CN118053675A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202310677911.7

申请日：2023-06-08

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 黄现俊 ,  朴辰琼 ,  郑善日 ,  李佶勇 ,  姜秀智 ,  郑文成 ,  张原硕 ,  金政民

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/008 ,  H01G4/232 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体外部并且连接到所述内电极，其中，当所述内电极包括铪(Hf)时，1.5≤Hfs/Hfc≤5.0，Hfc表示内电极的中心的平均Hf含量(at％)，Hfs表示从所述内电极的中心到所述内电极与所述介电层接触的界面测量的所述内电极的平均Hf含量(at％)。