公开(公告)号：CN119852091A

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202411408577.6

申请日：2024-10-10

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 吴由弘 ,  崔源美 ,  辛修玟 ,  李成焕 ,  金昞建 ,  安智慧 ,  金度传

IPC: H01G4/008 ,  H01G4/005 ,  H01G4/30

Abstract: 本公开提供了一种多层电容器。根据本公开的所述多层电容器包括：电容器主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述电容器主体的外侧上，并且所述内电极包含Ni‑Ge合金，并且当在所述内电极的中央部处的Ge相对于Ni的基于重量百分比的平均含量由X表示，并且在从所述内电极和所述介电层之间的界面朝向所述内电极的所述中央部间隔20nm的点处的Ge相对于Ni的基于重量百分比的平均含量由Y表示时，X和Y之间的关系满足表达式1：#imgabs0#

公开(公告)号：CN118366788A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410077713.1

申请日：2024-01-19

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金埈旿 ,  李成焕 ,  郭鲁俊

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/005 ,  H01G4/002 ,  H01G4/018

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件，所述多层电子组件包括：主体，包括多个介电层和多个内电极，所述多个内电极在第一方向上与所述多个介电层交替地设置；以及外电极，设置在所述主体上。所述多个内电极中的至少一个内电极包括Ni和In。在所述至少一个内电极中，在距与所述多个介电层中的至少一个介电层的界面10nm的点之中，摩尔比In/(Ni+In)大于等于0.002的点的比率大于等于70％，并且在所述第一方向上的中央点之中，摩尔比In/(Ni+In)大于等于0.002的点的比率小于等于35％。

公开(公告)号：CN119542029A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202410854985.8

申请日：2024-06-28

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 崔源美 ,  李成焕

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/005

Abstract: 本公开提供一种多层电容器，所述多层电容器可包括：电容器主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述电容器主体外部，其中，所述电容器主体可包括钛(Ti)和铟(In)，并且在整个所述电容器主体中，基于100摩尔钛(Ti)，铟(In)的含量可为0.2摩尔至4摩尔。

公开(公告)号：CN105206422A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201410649374.6

申请日：2014-11-14

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李承澔 ,  金锺翰 ,  李旼坤 ,  李崙熙 ,  李成焕

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/30 ,  H01G4/012 ,  H01G4/12

Abstract: 提供了一种多层陶瓷电子组件以及制造该多层陶瓷电子组件的方法，所述多层陶瓷电子组件可包括：陶瓷主体，包括多个介电层；以及内电极，设置在介电层上并在其至少一个表面上具有不平坦部。不平坦部包括交替设置的多个凸部和多个凹部，并且凸部和凹部可分别形成为在第一方向上延伸。