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公开(公告)号：CN102644095B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201110437882.4
申请日：2011-12-23
CPC classification number: C25D3/38 , C25D5/18 , C25D7/12 , C25D7/123 , C25D17/001 , H01L21/02 , H01L21/2885 , H01L21/76898
Abstract: 一种电镀铜方法，所述方法包括将衬底浸渍在电镀铜溶液中，所述衬底包括晶种层；以及在所述晶种层上形成电镀铜层，其中所述电镀铜溶液包含水、铜供应源、电解质材料和第一添加剂，所述第一添加剂包括由下式1表示的化合物：[式1]
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公开(公告)号：CN102644095A
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201110437882.4
申请日：2011-12-23
CPC classification number: C25D3/38 , C25D5/18 , C25D7/12 , C25D7/123 , C25D17/001 , H01L21/02 , H01L21/2885 , H01L21/76898
Abstract: 一种电镀铜方法，所述方法包括将衬底浸渍在电镀铜溶液中，所述衬底包括晶种层；以及在所述晶种层上形成电镀铜层，其中所述电镀铜溶液包含水、铜供应源、电解质材料和第一添加剂，所述第一添加剂包括由下式1表示的化合物。[式1]
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公开(公告)号：CN115718935A
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202210986962.3
申请日：2022-08-17
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: G06F30/10 , G06F30/27 , G06N3/0475 , G06N3/094
Abstract: 公开了一种用于制造半导体设备的电子设备的操作方法。该方法包括在电子设备处接收用于半导体设备的光刻工艺的计算机辅助设计(CAD)图像，并且通过使用基于机器学习的模块在电子设备处从CAD图像生成第一扫描电子显微镜(SEM)图像和第一片段(SEG)图像，并且第一SEG图像包括关于缺陷位置的信息。
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公开(公告)号：CN101879498B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201010175660.5
申请日：2010-05-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B65H23/038 , B05C5/0241 , B05D1/40 , B05D3/067 , B65H2301/5114 , B65H2301/5126 , B65H2404/15212
Abstract: 本发明公开了一种卷对卷式图案化装置和具有该卷对卷式图案化装置的图案化系统，所述卷对卷式图案化装置包括用于对齐薄膜构件的对齐辊。随着对齐辊对齐进入图案辊和压辊之间的薄膜构件，薄膜构件可运动至准确的位置，这样能够制造具有准确图案的薄膜构件。
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公开(公告)号：CN117647180A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311057090.3
申请日：2023-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金基贤
Abstract: 提供了一种扫描电子显微镜(SEM)测量方法和/或装置，其根据相同图案的若干SEM图像中的关键尺寸(CD)测量中的测量区域的位置校正来减小CD离散。该SEM测量方法包括：经由SEM在晶片上的多个位置处获得各个SEM图像；通过对准各个SEM图像和合并各个SEM图像来生成合并的SEM图像；在合并的SEM图像中生成合并的测量区域；在各个SEM图像中生成与合并的测量区域相对应的各个测量区域；以及测量各个测量区域中的各个关键尺寸(CD)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107665859B
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN201710607173.3
申请日：2017-07-24
Applicant: 三星电子株式会社 , 里兰斯坦福初级大学理事会
IPC: H01L21/768 , H01L21/762 , H01L21/28
Abstract: 本公开提供了包括电隔离图案的半导体器件及其制造方法。一种形成复合电介质材料的方法可以通过执行第一沉积循环以形成第一电介质材料以及执行第二沉积循环以在第一电介质材料上形成第二电介质材料来提供，其中第一电介质材料和第二电介质材料包括从由过渡金属氮化物、过渡金属氧化物、过渡金属碳化物、过渡金属硅化物、后过渡金属氮化物、后过渡金属氧化物、后过渡金属碳化物、后过渡金属硅化物、准金属氮化物、准金属氧化物和准金属碳化物组成的列表中选择的不同的电介质材料。
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公开(公告)号：CN107665859A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710607173.3
申请日：2017-07-24
Applicant: 三星电子株式会社 , 里兰斯坦福初级大学理事会
IPC: H01L21/768 , H01L21/762 , H01L21/28
CPC classification number: H01L23/5225 , H01L21/76816 , H01L21/76832 , H01L21/76877 , H01L23/5226 , H01L23/5283 , H01L23/53257 , H01L23/53295 , H01L23/535 , H01L27/10823 , H01L27/10876 , H01L27/10885 , H01L21/76802 , H01L21/28008 , H01L21/762
Abstract: 本公开提供了包括电隔离图案的半导体器件及其制造方法。一种形成复合电介质材料的方法可以通过执行第一沉积循环以形成第一电介质材料以及执行第二沉积循环以在第一电介质材料上形成第二电介质材料来提供，其中第一电介质材料和第二电介质材料包括从由过渡金属氮化物、过渡金属氧化物、过渡金属碳化物、过渡金属硅化物、后过渡金属氮化物、后过渡金属氧化物、后过渡金属碳化物、后过渡金属硅化物、准金属氮化物、准金属氧化物和准金属碳化物组成的列表中选择的不同的电介质材料。
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公开(公告)号：CN101879498A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN201010175660.5
申请日：2010-05-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B65H23/038 , B05C5/0241 , B05D1/40 , B05D3/067 , B65H2301/5114 , B65H2301/5126 , B65H2404/15212
Abstract: 本发明公开了一种卷对卷式图案化装置和具有该卷对卷式图案化装置的图案化系统，所述卷对卷式图案化装置包括用于对齐薄膜构件的对齐辊。随着对齐辊对齐进入图案辊和压辊之间的薄膜构件，薄膜构件可运动至准确的位置，这样能够制造具有准确图案的薄膜构件。
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公开(公告)号：CN118691491A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410328593.8
申请日：2024-03-21
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
Abstract: 提供了一种图像去噪方法，包括从有噪图像中提取噪声片，通过将噪声片输入到噪声参数估计网络(NPE‑net)来输出噪声参数，基于输出的噪声参数来生成模拟虚拟噪声，通过将模拟虚拟噪声添加到有噪图像来生成更有噪图像，通过将有噪图像和更有噪图像成对输入到去噪深度学习模型来训练去噪深度学习模型，将有噪图像输入到训练的去噪深度学习模型，以及输出通过由训练的去噪深度学习模型从有噪图像中去除噪声而获得的去噪图像。
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公开(公告)号：CN117010320A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310416885.2
申请日：2023-04-18
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: G06F30/392 , G06N20/00 , G06N3/0475 , G06N3/094
Abstract: 一种用于半导体芯片的布局方法，包括设计布局；基于布局生成空间图像；使用第一机器学习模型基于空间图像确定预测的扫描电子显微镜(SEM)图像；使用第二机器学习模型基于布局确定目标SEM图像；基于预测的SEM图像与目标SEM图像的比较结果，预测半导体芯片中的缺陷；以及基于预测的缺陷校正布局。
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