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公开(公告)号：CN108074596B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201710800290.1
申请日：2017-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种页缓冲区，包括预充电单元、位线连接单元和数据输入和输出单元，在预充电时间期间，所述预充电单元通过第一预充电线预充电存储器单元阵列的被选择的存储器单元的位线并且通过第二预充电线预充电感测节点，所述位线连接单元连接在位线和感测节点之间并包括连接到第一预充电线的连接节点，在扩展时间期间，所述位线连接单元基于位线连接控制信号和感测节点电压控制信号控制感测节点的电压，且所述数据输入和输出单元在感测时间期间通过感测所述感测节点的电压的电平产生感测数据。
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公开(公告)号：CN107886982B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201710888700.2
申请日：2017-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种补偿跳脱电压的变化的存储器装置及其读取方法。操作存储器装置的方法包括：通过对存储器装置的页缓冲器内的读出锁存器的跳脱电压进行采样来将页缓冲器内的读出节点至少部分地充电至第一预充电电压。因此，读出节点的电压从第一预充电电压被升压到更高的第二预充电电压。然后，在读出节点根据所述存储器装置的存储器单元中的数据对读出节点的电压进行开发。经开发的电压随后被传送到读出锁存器，使得由读出锁存器存储的数据反映存储在存储器单元中的数据的值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116072189A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202210980248.3
申请日：2022-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储装置包括存储块和控制电路。所述存储块包括多个单元串，其中，所述多个单元串中的每一个单元串包括在垂直方向上串联连接并设置在位线与公共源极线之间的串选择晶体管、多个存储单元和接地选择晶体管。所述控制电路在对目标存储单元的编程操作期间基于编程循环序数与参考序数的比较来调整施加到选定字线的通道晶体管的栅极的高电压的电平，使得所述高电压与施加到所述通道晶体管的漏极的编程电压之间的电压差在所述多个编程循环的至少一部分编程循环中不同。
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公开(公告)号：CN116092560A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202210976400.0
申请日：2022-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储器件及操作非易失性存储器件的方法。在操作非易失性存储器件的方法中，所述非易失性存储器件包括存储块，所述存储块包括单元串，其中，每一个所述单元串包括串联连接的且沿垂直方向设置的串选择晶体管、存储单元和接地选择晶体管；在字线设置时段期间将耦接到所述存储单元的每一条字线设置为相应的目标电平；在感测时段期间，通过向耦接到目标存储单元的选定字线施加读取电压、同时向未选字线施加读取通过电压，来执行对所述目标存储单元的感测操作；以及，在字线恢复时段的放电时段期间，在所述非易失性存储器件中的特定电路中消耗连接到所述未选字线的内部电压的同时，将所述未选字线的电压电平恢复到所述内部电压的电平。
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公开(公告)号：CN108074596A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201710800290.1
申请日：2017-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C7/12 , G11C5/147 , G11C7/1048 , G11C7/1057 , G11C7/106 , G11C7/18 , G11C11/4091 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/24 , G11C2211/5642
Abstract: 本发明涉及一种页缓冲区，包括预充电单元、位线连接单元和数据输入和输出单元，在预充电时间期间，所述预充电单元通过第一预充电线预充电存储器单元阵列的被选择的存储器单元的位线并且通过第二预充电线预充电感测节点，所述位线连接单元连接在位线和感测节点之间并包括连接到第一预充电线的连接节点，在扩展时间期间，所述位线连接单元基于位线连接控制信号和感测节点电压控制信号控制感测节点的电压，且所述数据输入和输出单元在感测时间期间通过感测所述感测节点的电压的电平产生感测数据。
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公开(公告)号：CN109817629A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811311538.9
申请日：2018-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11551
Abstract: 一种非易失性存储器件的页缓冲器的至少一个锁存器包括选择性地存储感测节点的电压的电容器。该电容器包括至少一个第一接触和至少一个第二接触，所述至少一个第一接触具有与每个单元串的第一高度对应的第二高度，地电压被供应到所述至少一个第二接触。所述至少一个第二接触具有与第一高度对应的第三高度，与所述至少一个第一接触相邻设置，并与所述至少一个第一接触电隔离。
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公开(公告)号：CN107886982A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710888700.2
申请日：2017-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/4091 , G11C5/145 , G11C7/06 , G11C7/12 , G11C16/0483 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C16/32 , G11C27/02 , G11C2013/0042 , G11C2013/0054 , G11C7/08 , G11C5/147
Abstract: 一种补偿跳脱电压的变化的存储器装置及其读取方法。操作存储器装置的方法包括：通过对存储器装置的页缓冲器内的读出锁存器的跳脱电压进行采样来将页缓冲器内的读出节点至少部分地充电至第一预充电电压。因此，读出节点的电压从第一预充电电压被升压到更高的第二预充电电压。然后，在读出节点根据所述存储器装置的存储器单元中的数据对读出节点的电压进行开发。经开发的电压随后被传送到读出锁存器，使得由读出锁存器存储的数据反映存储在存储器单元中的数据的值。
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