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公开(公告)号：CN109754836A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811274793.0
申请日：2018-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种三维(3D)非易失性存储器包括堆叠结构，该堆叠结构包括多个导电层，所述多个导电层与多个层间绝缘层交替并通过多个层间绝缘层彼此间隔开。堆叠结构包括第一单元区域、与第一单元区域间隔开的第二单元区域、以及在第一单元区域与第二单元区域之间的连接区域。连接区域包括第一台阶部分、第二台阶部分和连接部分，第一台阶部分接触第一单元区域并且具有在接近第二单元区域的方向上下降的阶梯形状，第二台阶部分接触第二单元区域并且具有在接近第一单元区域的方向上下降的阶梯形状，连接部分连接第一单元区域和第二单元区域。
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公开(公告)号：CN109427800B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201810933109.9
申请日：2018-08-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储器件可以包括含外围区域的第一半导体层，外围区域包括在下基板上的一个或更多个外围晶体管。非易失性存储器件还可以包括在外围区域上的第二半导体层，第二半导体层包括上基板，第二半导体层还包括在上基板上的存储单元阵列。上基板可以包括在第一半导体层上的第一上基板、在第一上基板上的第一层和在第一层上的第二上基板。
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公开(公告)号：CN109754836B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201811274793.0
申请日：2018-10-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种三维(3D)非易失性存储器包括堆叠结构，该堆叠结构包括多个导电层，所述多个导电层与多个层间绝缘层交替并通过多个层间绝缘层彼此间隔开。堆叠结构包括第一单元区域、与第一单元区域间隔开的第二单元区域、以及在第一单元区域与第二单元区域之间的连接区域。连接区域包括第一台阶部分、第二台阶部分和连接部分，第一台阶部分接触第一单元区域并且具有在接近第二单元区域的方向上下降的阶梯形状，第二台阶部分接触第二单元区域并且具有在接近第一单元区域的方向上下降的阶梯形状，连接部分连接第一单元区域和第二单元区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109712658B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201811247747.1
申请日：2018-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器包括在基板的第一区域中的第一存储单元阵列和在基板的第二区域中的第二存储单元阵列。第一存储单元阵列包括单元串，并且每个单元串包括在垂直于基板的方向上堆叠的非易失性存储单元。第二存储单元阵列包括易失性存储单元，并且每个易失性存储单元包括选择晶体管和电容器。电容器包括：至少一个接触，与选择晶体管电连接并具有与每个单元串的第一高度相对应的第二高度；以及至少一个第二接触，被供应有接地电压，具有对应于每个单元串的第一高度的第三高度，与所述至少一个第一接触相邻，并与所述至少一个第一接触电分离。
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公开(公告)号：CN114373496A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202111025381.5
申请日：2021-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种存储器装置。所述存储器装置包括：外围电路区域，包括第一基底和位于第一基底上的电路元件，电路元件的至少一部分提供源极驱动器；以及单元区域，包括在与第一基底的上表面垂直的第一方向上与外围电路区域堆叠的第二基底以及在与所述第二基底的上表面平行的第二方向上布置的单元块和虚设块。每个单元块包括交替地堆叠在第二基底上的栅电极层和绝缘层以及沿第一方向延伸以穿透栅电极层和绝缘层并连接到第二基底的沟道结构，虚设块之中的至少一个源极接触块包括位于第二基底上的第一虚设绝缘区域以及沿第一方向延伸、穿透第一虚设绝缘区域并连接到第二基底的源极接触件，并且源极接触件在单元区域的上部中通过金属布线连接到源极驱动器。
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公开(公告)号：CN116153368A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202210905884.X
申请日：2022-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件和操作非易失性存储器件的方法。所述非易失性存储器件包括第一半导体层和第二半导体层。所述第一半导体层包括字线、至少一条串选择线、至少一条接地选择线、和包括至少一个存储块的存储单元阵列。所述第二半导体层包括第一地址译码器和第二地址译码器。所述第一地址译码器设置在与单元区域的第一侧相邻的第一延伸区域下面，并且包括驱动所述字线、所述至少一条串选择线和所述至少一条接地选择线的多个第一通道晶体管。所述第二地址译码器设置在与所述单元区域的第二侧相邻的第二延伸区域下面，并且包括驱动所述至少一条串选择线和所述至少一条接地选择线的多个第二通道晶体管。
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公开(公告)号：CN115802747A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202210758190.8
申请日：2022-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件和包括其的电子系统，该半导体器件包括：第一晶体管，在基板上并包括第一栅电极；第二晶体管，在基板上并包括与第一栅电极相邻的第二栅电极；电极结构，包括垂直堆叠在第一晶体管和第二晶体管上的电极，并包括在第一方向上彼此相邻的第一焊盘和第二焊盘；在基板和电极结构之间的第一着落焊盘和第二着落焊盘，分别连接到第一晶体管和第二晶体管；第一穿透电极，穿透电极结构以连接第一着落焊盘和第一焊盘；第二穿透电极，穿透电极结构以连接第二着落焊盘和第二焊盘；以及下互连线，在第一着落焊盘和第二着落焊盘之间并在基本上垂直于第一方向的第二方向上延伸。
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公开(公告)号：CN114373487A
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN202110724678.4
申请日：2021-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C5/06
Abstract: 提供了包括传输晶体管电路的存储器装置。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括沿第一方向相邻地设置的第一存储器块和第二存储器块；多条驱动信号线，分别与竖直地堆叠的多条字线对应；以及传输晶体管电路，包括奇数个传输晶体管组，并且连接在所述多条驱动信号线与存储器单元阵列之间。所述奇数个传输晶体管组中的一个包括第一传输晶体管和第二传输晶体管，第一传输晶体管连接在第一存储器块的第一字线与所述多条驱动信号线之中的第一驱动信号线之间，第二传输晶体管连接在第二存储器块的第一字线与第一驱动信号线之间沿第二方向与第一传输晶体管相邻地设置。
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