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公开(公告)号：CN116110463A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211381624.3
申请日：2022-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本发明构思的示例实施例，一种存储器系统的操作方法，该存储器系统包括存储器控制器和非易失性存储器件，非易失性存储器件在存储器控制器的控制下操作，并且非易失性存储器包括第一存储块和第二存储块，该方法包括：由存储器控制器确定第一存储块是否满足块重置条件；响应于第一存储块满足块重置条件，将接通电压施加到第一存储块中包括的虚设单元的字线；将预编程在第一存储块中的数据传输到第二存储块；擦除第一存储块；以及重新编程第一存储块的虚设单元。
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公开(公告)号：CN116110462A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211283578.3
申请日：2022-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种具有多堆叠存储块的非易失性存储器件包括：存储单元阵列，被划分为沿着竖直方向设置的多个存储器堆叠；以及控制电路，被配置为执行多个存储器堆叠的沟道电压均衡操作，其中，堆叠间部分位于多个存储器堆叠之间，并且沟道孔穿过多个存储器堆叠中的每一个的字线。控制电路将多个存储器堆叠中的每一个的字线中的与堆叠间部分相邻的一些字线确定为堆叠间字线，并且根据堆叠间字线的沟道孔的尺寸不同地控制用于向堆叠间字线施加通过电压的设置时间点或用于向堆叠间字线施加地电压的恢复时间点。
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公开(公告)号：CN110310955A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201811415269.0
申请日：2018-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11563 , H01L27/11568 , H01L27/11582 , H01L27/11578
Abstract: 本发明提供了一种具有多个垂直沟道结构的三维(3D)存储器件。所述三维存储器件包括：第一存储块、第二存储块和位线。所述第一存储块包括在相对于衬底的表面的垂直方向上延伸的第一垂直沟道结构。所述第二存储块包括在所述垂直方向上位于所述第一垂直沟道结构上的第二垂直沟道结构，以及沿第一水平方向延伸并在所述垂直方向上偏移的第一串选择线和第二串选择线。所述位线在所述第一存储块与所述第二存储块之间沿所述第一水平方向延伸，并且由所述第一存储块和所述第二存储块共享。所述第二存储块可以包括都连接到所述位线和所述第一串选择线并且具有彼此不同的阈值电压的第一串选择晶体管和第二串选择晶体管。
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公开(公告)号：CN116092560A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202210976400.0
申请日：2022-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储器件及操作非易失性存储器件的方法。在操作非易失性存储器件的方法中，所述非易失性存储器件包括存储块，所述存储块包括单元串，其中，每一个所述单元串包括串联连接的且沿垂直方向设置的串选择晶体管、存储单元和接地选择晶体管；在字线设置时段期间将耦接到所述存储单元的每一条字线设置为相应的目标电平；在感测时段期间，通过向耦接到目标存储单元的选定字线施加读取电压、同时向未选字线施加读取通过电压，来执行对所述目标存储单元的感测操作；以及，在字线恢复时段的放电时段期间，在所述非易失性存储器件中的特定电路中消耗连接到所述未选字线的内部电压的同时，将所述未选字线的电压电平恢复到所述内部电压的电平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108122582A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711223276.6
申请日：2017-11-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C11/5671 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/16 , G11C16/3445 , G11C2211/5621 , G11C16/08 , G11C16/26
Abstract: 公开非易失性存储器装置的操作方法和存储器控制器。一种用于对连接到选择的字线的存储器单元进行编程的非易失性存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：执行编程操作；在执行编程操作的第一部分之后中断编程操作；恢复编程操作以执行编程操作的第二部分，其中，在编程操作中断之后在参考时间内恢复编程操作。
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公开(公告)号：CN118366525A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410062856.5
申请日：2024-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供非易失性存储器装置及其恢复方法、以及半导体装置，所述非易失性存储器装置包括：存储器块，包括多个单元串、第一串选择线和第二串选择线，所述多个单元串中的每个包括多个串选择晶体管和多个存储器单元，第一串选择线连接到所述多个单元串中的第一单元串的串选择晶体管，第二串选择线连接到所述多个单元串中的第二单元串的串选择晶体管；以及控制电路，被配置为控制恢复操作以不同的驱动强度将恢复电压施加到第一串选择线和第二串选择线。
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公开(公告)号：CN116828858A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202211630158.8
申请日：2022-12-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：CSL驱动器，在衬底上；CSP，在CSL驱动器上；栅电极结构，在CSP上并且包括在垂直于衬底上表面的第一方向上彼此间隔开的栅电极，每一个栅电极在平行于衬底上表面第二方向上延伸；存储器沟道结构，在CSP上并且延伸穿过栅电极结构并连接到CSP；第一上布线结构，接触CSP的上表面；第一贯通过孔，沿第一方向延伸穿过CSP并电连接到第一上布线结构和CSL驱动器，但不接触CSP；以及虚设布线结构，接触CSP的上表面，但不电连接到CSL驱动器。
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公开(公告)号：CN116137176A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211431295.9
申请日：2022-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种存储器件的操作方法、编程方法及存储器系统的操作方法。公开了一种包括沿与衬底垂直的方向堆叠的多个存储单元的存储器件的操作方法。所述方法包括：基于第一编程参数来对来自所述多个存储单元当中的连接到选定字线的选定存储单元执行第一编程循环至第(n‑1)编程循环；以及在所述第(n‑1)编程循环被执行之后，基于与所述第一编程参数不同的第二编程参数来对所述选定存储单元执行第n编程循环至第k编程循环。在此，n是大于1的整数并且k是大于或等于n的整数。所述第一编程参数和所述第二编程参数中的每一者包括在所述第一编程循环至所述第k编程循环中使用的编程电压增量、2级验证范围和位线强制电压中的至少两者。
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公开(公告)号：CN101178936B
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN200710199952.0
申请日：2007-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 赵志虎
IPC: G11C16/08
Abstract: 一种用于非易失性半导体存储器设备的译码器，包括：电平移位器，其被配置为响应全局字线的第一状态在其输出端产生负的第一电压，并且响应全局字线的第二状态产生比第一电压更大的正的第二电压。所述译码器还包括具有耦接到电平移位器的输出端的输入端的局部字线驱动器，该局部字线驱动器被配置为在电平移位器的输出端为第一电压时向局部字线施加部分字线上的电压，并且在电平移位器的输出端为第二电压时向局部字线施加第一电压。
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