公开(公告)号：CN117334232A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202310767019.8

申请日：2023-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东珍 ,  朴相元 ,  郑原宅 ,  金炳秀 ,  全秀昶

IPC: G11C8/08 ,  G11C5/14

Abstract: 一种存储器装置的操作方法，存储器装置具有与字线连接的存储器块，所述方法包括：(1)从存储器控制器接收命令，(2)激活第一块选择信号，第一块选择信号控制被配置为将与存储器块连接的字线与驱动线连接的第一通过晶体管，以及(3)控制字线使得执行对应于命令的第一操作。在完成第一操作之后，该方法还包括：(4)用第一电压对存储器块的沟道预充电，以及(5)执行模式恢复操作使得用恢复电压控制字线。模式恢复操作包括：去激活第一块选择信号。

公开(公告)号：CN110136764B

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN201910057925.2

申请日：2019-01-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东珍 ,  金志秀 ,  边大锡 ,  李知尚 ,  孔骏镇 ,  吴银珠

IPC: G06F12/00 ,  G11C16/26

Abstract: 提供一种非易失性存储器装置及其读取方法。所述非易失性存储器装置包括：页缓冲器，被配置为对构成多个位页中的一个位页的多个页数据进行锁存，控制逻辑，被配置为比较响应于高优先级读取信号集而执行的多个读取操作的结果，以选择包括在高优先级读取信号集中的多个读取信号中的一个作为高优先级读取信号，并确定与高优先级读取信号对应的低优先级读取信号，其中，高优先级读取信号集是用于读取高优先级页数据，低优先级读取信号是用于读取低优先级页数据。

公开(公告)号：CN108122582B

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN201711223276.6

申请日：2017-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李知尚 ,  金炳秀 ,  申东珍 ,  赵志虎

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26

Abstract: 公开非易失性存储器装置的操作方法和存储器控制器。一种用于对连接到选择的字线的存储器单元进行编程的非易失性存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：执行编程操作；在执行编程操作的第一部分之后中断编程操作；恢复编程操作以执行编程操作的第二部分，其中，在编程操作中断之后在参考时间内恢复编程操作。

公开(公告)号：CN114360606A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111145948.2

申请日：2021-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑凤吉 ,  申东珍 ,  梁万在 ,  李炳善 ,  张东洙

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/24 ,  G11C16/26

Abstract: 一种非易失性存储器件包括：第一存储区和第二存储区，第一存储区包括第一存储单元和第一模拟电路，第二存储区包括第二存储单元和第二模拟电路；控制逻辑电路，其确定模拟电路的开启/关闭状态，其中，处于开启状态的每个模拟电路将外部电源电压转换为用于每个存储单元的操作的内部工作电压；以及输入/输出电路，其选择用于使用内部工作电压执行数据输入/输出的输入/输出存储区，其中，第一存储单元和第二存储单元的数据输入/输出被顺序地执行，并且当第一存储单元的数据输入/输出被执行时，第一模拟电路和第二模拟电路的每一者中的至少一个一起被开启。

公开(公告)号：CN110136764A

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201910057925.2

申请日：2019-01-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申东珍 ,  金志秀 ,  边大锡 ,  李知尚 ,  孔骏镇 ,  吴银珠

IPC: G11C16/26

Abstract: 提供一种非易失性存储器装置及其读取方法。所述非易失性存储器装置包括：页缓冲器，被配置为对构成多个位页中的一个位页的多个页数据进行锁存，控制逻辑，被配置为比较响应于高优先级读取信号集而执行的多个读取操作的结果，以选择包括在高优先级读取信号集中的多个读取信号中的一个作为高优先级读取信号，并确定与高优先级读取信号对应的低优先级读取信号，其中，高优先级读取信号集是用于读取高优先级页数据，低优先级读取信号是用于读取低优先级页数据。

公开(公告)号：CN115602233A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210713815.9

申请日：2022-06-22

Applicant: 三星电子株式会社(KR)

Inventor： 朴周龙 ,  朴相元 ,  申东珍 ,  全秀昶 ,  崔胜涌

IPC: G11C16/26

Abstract: 提供了一种非易失性存储器件及包括其的存储设备的操作方法。所述非易失性存储器件包括：元区域，所述元区域具有存储第一初始数据的第一区域以及存储彼此不同的第二初始数据的多个第二区域；用户区域，所述用户区域被配置为存储用户数据；初始化寄存器，所述初始化寄存器被配置为存储所述第一初始数据或者全部或部分地存储所述第二初始数据；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置为使用存储在所述初始化寄存器中的初始数据来执行读取操作、编程操作或擦除操作。

公开(公告)号：CN108122582A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711223276.6

申请日：2017-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李知尚 ,  金炳秀 ,  申东珍 ,  赵志虎

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/14 ,  G11C16/26

CPC classification number: G11C16/3459 ,  G11C11/5671 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14 ,  G11C16/16 ,  G11C16/3445 ,  G11C2211/5621 ,  G11C16/08 ,  G11C16/26

Abstract: 公开非易失性存储器装置的操作方法和存储器控制器。一种用于对连接到选择的字线的存储器单元进行编程的非易失性存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：执行编程操作；在执行编程操作的第一部分之后中断编程操作；恢复编程操作以执行编程操作的第二部分，其中，在编程操作中断之后在参考时间内恢复编程操作。