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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111243641A
公开(公告)日：2020-06-05
申请号：CN201910822535.X
申请日：2019-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/04 , H01L27/11524 , H01L27/1157
Abstract: 提供一种非易失性存储器装置、存储器系统和垂直NAND快闪存储器装置，所述非易失性存储器装置可以包括多个存储器平面和多个平面专用焊盘组。多个存储器平面可以包括具有非易失性存储器单元的多个存储器单元阵列和多个页缓冲器电路。多个页缓冲器电路中的每一个可以通过位线连接到多个存储器单元阵列中的每一个中包括的各非易失性存储器单元中的非易失性存储器单元。多个平面专用焊盘组可以通过多个数据路径分别连接到多个页缓冲器电路，使得多个平面专用焊盘组中的每一个专用地连接到多个页缓冲器电路中的每一个。可以通过减少数据传输延迟并支持并行数据传输来增加数据传输的带宽，并且可以通过去除数据多路复用和/或信号路由来降低功耗。
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公开(公告)号：CN109559776A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201811019623.8
申请日：2018-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
Abstract: 一种非易失性存储器装置包括多电平单元。所述非易失性存储器装置的读出方法包括：在第一预充电间隔期间，对位线和感测输出节点进行预充电；通过在第一发展时间期间使所述感测输出节点发展并读出所述感测输出节点的第一电压电平来识别所选择的存储器单元的第一状态；将所述感测输出节点预充电至第二感测输出预充电电压；以及通过在不同于所述第一发展时间的第二发展时间期间使所述感测输出节点发展并读出所述感测输出节点的第二电压电平，从与所述第一状态相邻的第二状态识别所选择的存储器单元的所述第一状态。
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公开(公告)号：CN109559776B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN201811019623.8
申请日：2018-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
Abstract: 一种非易失性存储器装置包括多电平单元。所述非易失性存储器装置的读出方法包括：在第一预充电间隔期间，对位线和感测输出节点进行预充电；通过在第一发展时间期间使所述感测输出节点发展并读出所述感测输出节点的第一电压电平来识别所选择的存储器单元的第一状态；将所述感测输出节点预充电至第二感测输出预充电电压；以及通过在不同于所述第一发展时间的第二发展时间期间使所述感测输出节点发展并读出所述感测输出节点的第二电压电平，从与所述第一状态相邻的第二状态识别所选择的存储器单元的所述第一状态。
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公开(公告)号：CN116137170A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211433556.0
申请日：2022-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器装置包括：衬底；第一单元串、第二单元串和第三单元串，它们均连接至第一位线，并且在垂直于衬底的顶表面的方向上形成；第一上地选择线，其连接至第一单元串并且被配置为接收第一地选择信号；第二上地选择线，其与第一上地选择线分离，连接至第二单元串和第三单元串，并且被配置为接收与第一地选择信号不同的第二地选择信号；第一下地选择线，其连接至第一单元串和第二单元串，并且被配置为接收第三地选择信号；以及第二下地选择线，其与第一下地选择线分离，连接至第三单元串，并且被配置为接收与第三地选择信号不同的第四地选择信号。
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公开(公告)号：CN115802747A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202210758190.8
申请日：2022-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件和包括其的电子系统，该半导体器件包括：第一晶体管，在基板上并包括第一栅电极；第二晶体管，在基板上并包括与第一栅电极相邻的第二栅电极；电极结构，包括垂直堆叠在第一晶体管和第二晶体管上的电极，并包括在第一方向上彼此相邻的第一焊盘和第二焊盘；在基板和电极结构之间的第一着落焊盘和第二着落焊盘，分别连接到第一晶体管和第二晶体管；第一穿透电极，穿透电极结构以连接第一着落焊盘和第一焊盘；第二穿透电极，穿透电极结构以连接第二着落焊盘和第二焊盘；以及下互连线，在第一着落焊盘和第二着落焊盘之间并在基本上垂直于第一方向的第二方向上延伸。
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