公开(公告)号：CN119275183A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202410189804.4

申请日：2024-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜政勋

IPC: H01L23/15 ,  H01L23/13 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/52 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065 ,  H10B80/00 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体封装件包括：第一再分布基板；模块结构，所述模块结构位于所述第一再分布基板上；第一模制层，所述第一模制层位于所述第一再分布基板上并且围绕所述模块结构；以及垂直连接结构，所述垂直连接结构位于所述模块结构的一侧，所述垂直连接结构垂直延伸并且连接到所述第一再分布基板，其中，所述模块结构包括：中介层基板，所述中介层基板包括玻璃基板；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片安装在中介层基板上；以及第二半导体芯片，所述第二半导体芯片安装在所述中介层基板上。

公开(公告)号：CN114551405A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202111382375.5

申请日：2021-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜政勋

IPC: H01L23/544 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体封装，包括：第一半导体芯片；覆盖第一半导体芯片至少一部分的封装材料；设置在封装材料上的绝缘层，各绝缘层为透明或半透明；以及设置在封装材料上的布线层，布线层被绝缘层部分覆盖，其中绝缘层中的最外侧绝缘层包括第一区域和第二区域，第一区域的颜色不同于第二区域的颜色，第二区域围绕第一区域，并且在最外侧绝缘层的第一区域中设置包括至少一个阶梯部的至少一个标记图案。

公开(公告)号：CN116110875A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202210933160.6

申请日：2022-08-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜政勋 ,  庾炳玟 ,  李廷炫

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体封装件包括：下再分布结构，包括下再分布绝缘层、位于所述下再分布绝缘层中的凸块焊盘和电连接到所述凸块焊盘的下再分布图案，其中，所述下再分布绝缘层包括一个或更多个侧壁，所述一个或更多个侧壁限定从所述下再分布绝缘层的底表面延伸到所述下再分布绝缘层的上表面的腔；无源组件，所述无源组件位于所述下再分布绝缘层的所述腔中；绝缘填料，所述绝缘填料位于所述下再分布绝缘层的所述腔中，并且覆盖所述无源组件的侧壁；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片位于所述下再分布结构上，并且电连接到所述下再分布图案和所述无源组件二者；以及外部连接凸块，所述外部连接凸块经由所述下再分布绝缘层的焊盘开口连接到所述凸块焊盘。

公开(公告)号：CN119314977A

公开(公告)日：2025-01-14

申请号：CN202410180959.1

申请日：2024-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜政勋

IPC: H01L23/538 ,  H01L25/18 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体封装包括布线基板和设置在布线基板上的第一半导体芯片。布线基板包括：第一核心部分，该第一核心部分包括玻璃并且具有竖直地穿透第一核心部分的腔；第一核心过孔，每个第一核心过孔竖直地穿透第一核心部分；无源器件，在第一核心部分的腔中；掩埋材料，在第一核心部分和第一核心过孔上并且覆盖第一核心部分的顶表面和外侧表面；以及上堆积部分，设置在掩埋材料上。上堆积部分包括第一电介质图案和第一布线图案，第一布线图案穿透第一电介质图案和掩埋材料并且耦接到第一核心过孔。

公开(公告)号：CN118248640A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311682035.3

申请日：2023-12-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜政勋 ,  姜芸炳 ,  金镇洙 ,  申承完 ,  张炳旭

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L23/00

Abstract: 一种半导体封装件包括：下重分布布线层，其具有第一区域和与第一区域相邻的第二区域并且包括第一重分布布线；半导体芯片，其在下重分布布线层的第一区域上并且电连接到第一重分布布线；密封构件，其位于下重分布布线层上在半导体芯片的侧表面上；多个垂直导电结构，其在下重分布布线层的第二区域上穿透密封构件，并且电连接到第一重分布布线；在半导体芯片上的标记图案；种子层焊盘，其在垂直导电结构的各自的端部上，该端部在密封构件的上表面被密封构件暴露；以及上重分布布线层，其在密封构件和标记图案上并且包括第二重分布布线。

公开(公告)号：CN116031242A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202210867603.6

申请日：2022-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜政勋 ,  沈智慧 ,  李廷怰 ,  郑玄喆

IPC: H01L23/544

Abstract: 提供了半导体封装件及其制造方法，所述半导体封装件包括：下基板；下半导体芯片，安装在所述下基板上；下模制层，位于所述下基板上并且包围所述下半导体芯片；再分布层，位于所述下模制层上；以及垂直连接端子，围绕所述下半导体芯片并且将所述下基板连接到所述再分布层。所述下半导体芯片可以包括位于其顶表面处的识别标记。所述识别标记可以包括：具有凹雕形状的标记图案，位于所述下半导体芯片的所述顶表面处；以及模制图案，填充所述标记图案的内部空间。构成所述模制图案的第一材料可以与构成所述下模制层的第二材料相同。