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公开(公告)号：CN116110875A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210933160.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体封装件包括：下再分布结构，包括下再分布绝缘层、位于所述下再分布绝缘层中的凸块焊盘和电连接到所述凸块焊盘的下再分布图案，其中，所述下再分布绝缘层包括一个或更多个侧壁，所述一个或更多个侧壁限定从所述下再分布绝缘层的底表面延伸到所述下再分布绝缘层的上表面的腔；无源组件，所述无源组件位于所述下再分布绝缘层的所述腔中；绝缘填料，所述绝缘填料位于所述下再分布绝缘层的所述腔中，并且覆盖所述无源组件的侧壁；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片位于所述下再分布结构上，并且电连接到所述下再分布图案和所述无源组件二者；以及外部连接凸块，所述外部连接凸块经由所述下再分布绝缘层的焊盘开口连接到所述凸块焊盘。
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