公开(公告)号：CN116031242A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202210867603.6

申请日：2022-07-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜政勋 ,  沈智慧 ,  李廷怰 ,  郑玄喆

IPC: H01L23/544

Abstract: 提供了半导体封装件及其制造方法，所述半导体封装件包括：下基板；下半导体芯片，安装在所述下基板上；下模制层，位于所述下基板上并且包围所述下半导体芯片；再分布层，位于所述下模制层上；以及垂直连接端子，围绕所述下半导体芯片并且将所述下基板连接到所述再分布层。所述下半导体芯片可以包括位于其顶表面处的识别标记。所述识别标记可以包括：具有凹雕形状的标记图案，位于所述下半导体芯片的所述顶表面处；以及模制图案，填充所述标记图案的内部空间。构成所述模制图案的第一材料可以与构成所述下模制层的第二材料相同。

公开(公告)号：CN111755412A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010194269.3

申请日：2020-03-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高泰昊 ,  李大熙 ,  郑玄喆 ,  洪明镐

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/485 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 提供一种半导体封装件基板以及使用其制造半导体封装件的方法，所述半导体封装件基板包括：半导体芯片，包括连接垫；包封剂，包封所述半导体芯片的至少一部分；连接构件，设置在所述半导体芯片和所述包封剂上，所述连接构件包括电连接到所述连接垫的重新分布层；第一钝化层，设置在所述连接构件上；以及粘合层，在所述半导体芯片的外部的区域中设置在所述包封剂的顶表面和所述第一钝化层的底表面中的至少一者上。

公开(公告)号：CN117790409A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202310699679.7

申请日：2023-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 池永根 ,  李相勋 ,  姜芸炳 ,  朴相天 ,  朴点龙 ,  郑玄喆

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L23/48 ,  H01L23/535 ,  H01L23/31

Abstract: 公开了半导体封装及其制造方法。该半导体封装包括：提供半导体衬底；在半导体衬底的有源表面上形成半导体元件；形成过孔，该过孔从有源表面延伸到半导体衬底中；在半导体衬底的有源表面上形成第一焊盘层；对第一焊盘层执行第一平坦化工艺；对半导体衬底的非有源表面执行减薄工艺以暴露过孔；在半导体衬底的非有源表面上形成第二焊盘层；对第二焊盘层执行第二平坦化工艺；并且在第二平坦化工艺之后，对第一焊盘层执行第三平坦化工艺。