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公开(公告)号：CN1417852A
公开(公告)日：2003-05-14
申请号：CN02150282.X
申请日：2002-11-07
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立东京电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/31 , H01L21/314
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/02074 , H01L21/3003 , H01L21/3144 , H01L21/3145 , H01L21/3148 , H01L21/3212 , H01L21/32136 , H01L21/324 , H01L21/76807 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L21/76832 , H01L21/7684 , H01L21/76883 , H01L21/823871 , H01L29/4933 , H01L29/4941
Abstract: 制造半导体器件的方法具有包含铜的埋线结构，其中，通过形成布线覆盖的绝缘膜15b，第二膜埋线L2的导电阻挡膜17a被保护着，以免被氧化，绝缘膜15b有一层SiON膜，采用一种例如三甲基氧硅烷气和氮的氧化气的气体混合物，通过等离子体CVD方法形成，由此，半导体器件的包含铜作为主要导体膜的布线之间的电介质击穿强度可以得到提高。
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公开(公告)号：CN1205543A
公开(公告)日：1999-01-20
申请号：CN98115953.2
申请日：1998-07-10
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立东京电子株式会社 , 株式会社日立超大规模集成电路系统
CPC classification number: H01L24/50 , H01L21/6835 , H01L24/11 , H01L24/86 , H01L2224/11003 , H01L2224/11334 , H01L2224/13099 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19042 , H05K3/3478 , H05K2201/10681 , H05K2203/0338 , H05K2203/041 , H05K2203/081 , H05K2203/082 , H05K2203/1545 , Y10T29/5137 , Y10T29/5142 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体封装体的凸点形成方法中,将半导体芯片安装到柔性基板上。使用导电性糊剂将导电性球暂时固定在与设置在上述柔性基板上的半导体芯片进行电连接的连接端子上。将暂时固定了上述导电性球的上述柔性基板卷绕到卷轴上。其次,从卷轴抽出柔性基板,对暂时固定了导电性球的柔性基板进行加热,以形成凸点。将形成了凸点的柔性基板卷绕到卷轴上。通过清洗、切割柔性基板形成半导体封装体。
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公开(公告)号：CN1131605A
公开(公告)日：1996-09-25
申请号：CN95119722.3
申请日：1995-11-17
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立东京电子株式会社
Abstract: 将一批半导体芯片配合到引线框上组成芯片—引线复合件，此复合件设于模塑设备可对合形成模腔的上、下模之间。模腔至少部分地由多孔材料构成以抑制模塑树脂下沉并可通过部分气体以防产生孔隙。当复合件于上下模间而合模时，树脂即注入模腔内；当模腔经多孔材料与大气通连或置于一低于模塑树脂注入压力的压力下时，将树脂注入模腔内。此模塑设备在上、下模中至少其一之上设有双级通风部，可用来导出树脂加压配合部内余留的空气。
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公开(公告)号：CN1214116A
公开(公告)日：1999-04-14
申请号：CN96180218.9
申请日：1996-03-15
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立东京电子株式会社
Abstract: 一种通过检测晶体内缺陷的散射光进行测量的方法,可以测量试样整个表面上的缺陷尺寸和以小于波长的分辨率测量缺陷的深度。用对试样的侵入深度相差3倍以上的两种波长对试样进行扫描和照射,根据不同波长分别测量来自内部缺陷的散射光,根据长波长的散射光强度导出缺陷尺寸,根据其散射光强度之比导出缺陷深度,并在基片面内分布上显示深度和尺寸。而且,对于根据上述宽区域测量检测的特定缺陷位置,移动摄影机位置进行扫描,用两种波长观察缺陷的形态,从该缺陷的两波长散射光图像数据可同样地导出缺陷的深度和尺寸。根据本发明,可以进行试样整个表面的缺陷尺寸和深度检测,也可以一个缺陷为单位进行尺寸和深度检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1722433A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510088422.X
申请日：1999-07-08
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立东京电子株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供一种高性能和高可靠性的半导体器件。用于自对准的氮化硅膜17，形成此膜以覆盖MISFET的栅极，以下述方式形成：利用含有单硅烷和氮气的原料气、通过等离子CVD、在400摄氏度或更高的衬底温度下形成。构成钝化膜的氮化硅膜44是利用含有单硅烷、氨气和氮气的原料气、通过等离子CVD、在约350摄氏度的衬底温度下形成的。包含在氮化硅膜17中的氢气含量小于在氮化硅膜44中的含量，可以抑制从氮化硅膜17释放氢气。
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公开(公告)号：CN1220257C
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN99816381.3
申请日：1999-07-08
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立东京电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/3185 , H01L21/76816 , H01L21/76828 , H01L21/76895 , H01L21/76897 , H01L21/823828 , H01L21/823871 , H01L24/11 , H01L27/0629 , H01L27/1052 , H01L27/10814 , H01L27/10888 , H01L27/10894 , H01L28/24 , H01L2224/05008 , H01L2224/05009 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/05644 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种高性能和高可靠性的半导体器件及其制造方法。用于自对准的氮化硅膜17，形成此膜以覆盖MISFET的栅极，以下述方式形成：利用含有单硅烷和氮气的原料气、通过等离子CVD、在400摄氏度或更高的衬底温度下形成。构成钝化膜的氮化硅膜44是利用含有单硅烷、氨气和氮气的原料气、通过等离子CVD、在约350摄氏度的衬底温度下形成的。包含在氮化硅膜17中的氢气含量小于在氮化硅膜44中的含量，可以抑制从氮化硅膜17释放氢气。
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公开(公告)号：CN1338114A
公开(公告)日：2002-02-27
申请号：CN99816381.3
申请日：1999-07-08
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立东京电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/318
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/3185 , H01L21/76816 , H01L21/76828 , H01L21/76895 , H01L21/76897 , H01L21/823828 , H01L21/823871 , H01L24/11 , H01L27/0629 , H01L27/1052 , H01L27/10814 , H01L27/10888 , H01L27/10894 , H01L28/24 , H01L2224/05008 , H01L2224/05009 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05166 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/05644 , H01L2924/1306 , H01L2924/14 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的目的是提供一种高性能和高可靠性的半导体器件。用于自对准的氮化硅膜17,形成此膜以覆盖MISFET的栅极,以下述方式形成:利用含有单硅烷和氮气的原料气、通过等离子CVD、在400摄氏度或更高的衬底温度下形成。构成钝化膜的氮化硅膜44是利用含有单硅烷、氨气和氮气的原料气、通过等离子CVD、在约350摄氏度的衬底温度下形成的。包含在氮化硅膜17中的氢气含量小于在氮化硅膜44中的含量,可以抑制从氮化硅膜17释放氢气。
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公开(公告)号：CN1314100C
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN02150282.X
申请日：2002-11-07
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立东京电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/31 , H01L21/314
CPC classification number: H01L21/76834 , H01L21/02074 , H01L21/3003 , H01L21/3144 , H01L21/3145 , H01L21/3148 , H01L21/3212 , H01L21/32136 , H01L21/324 , H01L21/76807 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L21/76832 , H01L21/7684 , H01L21/76883 , H01L21/823871 , H01L29/4933 , H01L29/4941
Abstract: 制造半导体器件的方法具有包含铜的埋线结构，其中，通过形成布线覆盖的绝缘膜15b，第二膜埋线L2的导电阻挡膜17a被保护着，以免被氧化，绝缘膜15b有一层SiON膜，采用一种例如三甲基氧硅烷气和氮的氧化气的气体混合物，通过等离子体CVD方法形成，由此，半导体器件的包含铜作为主要导体膜的布线之间的电介质击穿强度可以得到提高。
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公开(公告)号：CN1146042C
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN98115953.2
申请日：1998-07-10
Applicant: 株式会社日立制作所 , 日立东京电子株式会社 , 株式会社日立超大规模集成电路系统
CPC classification number: H01L24/50 , H01L21/6835 , H01L24/11 , H01L24/86 , H01L2224/11003 , H01L2224/11334 , H01L2224/13099 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19042 , H05K3/3478 , H05K2201/10681 , H05K2203/0338 , H05K2203/041 , H05K2203/081 , H05K2203/082 , H05K2203/1545 , Y10T29/5137 , Y10T29/5142 , H01L2924/00
Abstract: 在半导体封装体的凸点形成方法中，将半导体芯片安装到柔性基板上。使用导电性糊剂将导电性球暂时固定在与设置在上述柔性基板上的半导体芯片进行电连接的连接端子上。将暂时固定了上述导电性球的上述柔性基板卷绕到卷轴上。其次，从卷轴抽出柔性基板，对暂时固定了导电性球的柔性基板进行加热，以形成凸点。将形成了凸点的柔性基板卷绕到卷轴上。通过清洗、切割柔性基板形成半导体封装体。
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