公开(公告)号：CN110190128A

公开(公告)日：2019-08-30

申请号：CN201910459164.3

申请日：2019-05-29

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 宋庆文 ,  张玉明 ,  白瑞杰 ,  汤晓燕 ,  吴勇 ,  袁昊 ,  韩超

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅双侧深L形基区结构的MOSFET器件及其制备方法，该MOSFET器件包括：外延层；基区，位于所述外延层的两侧；漂移层，位于所述外延层和所述基区的下表面；衬底层，位于所述漂移层下表面；漏极，位于所述衬底层下表面；第一源区，位于所述基区的预设区域的上表面；第二源区，位于所述基区的其余区域的上表面；源极，位于所述第一源区和所述第二源区的上表面；栅介质层，位于所述外延层的上表面，且与所述基区连接；多晶硅层，位于所述栅介质层内表面；栅极，位于所述多晶硅层的上表面。本发明的这种MOSFET器件，通过改变P型基区的结构，在不增大器件元胞面积的情况下，降低了槽栅拐角的电场聚集，提高了器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN110112221A

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201910458057.9

申请日：2019-05-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 汤晓燕 ,  范鑫 ,  宋庆文 ,  袁昊 ,  何晓宁 ,  张玉明 ,  张艺蒙

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明公开了一种能够抑制局部电迁移现象的结型势垒肖特基二极管，包括N-外延层；若干P型离子注入区，间隔设置于N-外延层中，且相邻两个P型离子注入区之间的间隔从结型势垒肖特基二极管的边缘至中心按照第一趋势或第二趋势逐渐减小；第一金属层，位于N-外延层上表面，且P型离子注入区与第一金属层的交界面、N-外延层与第一金属层的交界面均为肖特基接触。本发明所提出的结型势垒肖特基二极管的相邻两个P型离子注入区之间的间隔从结型势垒肖特基二极管的边缘至中心逐渐减小，从而在保证反向漏电流和正向导通电阻没有退化的前提下，减小了结型势垒肖特基二极管的温度差，有效抑制了局部电迁移现象的发生。

公开(公告)号：CN106410045B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201611123706.2

申请日：2016-12-08

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 贾仁需 ,  汪钰成 ,  庞体强 ,  刘银涛 ,  张玉明

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/46 ,  H01L51/48

CPC classification number: Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的P型HHMT晶体管及其制备方法。该方法包括：选取Al2O3材料作为衬底材料；采用第一掩膜版在所述衬底材料表面形成源漏电极；在所述衬底材料及所述源漏电极表面生长空穴传输层；采用第二掩膜版在所述空穴传输层表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层；采用第三掩膜版在所述光吸收层表面生长形成栅电极材料，以完成所述P型HHMT晶体管的制备。本发明实施例采用空穴传输层传输空穴阻挡电子，并采用CH3NH3PbI3向沟道提供大量的空穴，制备出的P型HHMT晶体管具有迁移率高，开关速度快，光电转换效率大的优点。

公开(公告)号：CN109649213A

公开(公告)日：2019-04-19

申请号：CN201811398509.0

申请日：2018-11-22

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 吴勇 ,  伍旭东 ,  王东 ,  张金生 ,  陈兴 ,  檀生辉 ,  卫祥 ,  何滇 ,  张玉明

IPC: B60L53/80 ,  B60L53/50 ,  B60L58/12 ,  B60L58/22 ,  B60L3/00

Abstract: 本发明公开一种开放式电池配电管理系统，包括电池单元、电池接口、充电接口装置、充电接触器装置、输出接触器装置、输出接口和控制装置，电池单元与电池接口连接，电池接口还与充电接触器装置和输出接触器装置连接，输出接触器装置与输出接口连接，控制装置与电池单元、充电接触器装置以及输出接触器装置连接，通过设置便携式电池能够灵活调整电池组容量，同时通过设置充电接触器装置、输出接触器装置和控制装置，能够有效地解决电池组充放电时能量释放不均衡的问题，本发明提高了电池使用寿命和电能利用率并能够灵活调整电池组容量，实现了一组或多组电池工作，同时其他组电池充电的能量管理机制。

公开(公告)号：CN109638563A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811397929.7

申请日：2018-11-22

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院

Inventor： 吴勇 ,  伍旭东 ,  王东 ,  张金生 ,  陈兴 ,  檀生辉 ,  卫祥 ,  何滇 ,  张玉明

IPC: H01R13/631 ,  H01R13/703 ,  B60L53/16

Abstract: 本发明公开了一种自动对位充电连接装置，涉及新能源汽车技术领域，包括直线导轨、滑块、导引板以及充电组件，所述滑块滑动连接于直线导轨上，滑块的下端通过连接件与导引板连接，导引板的前端设有条形槽，所述充电组件安装于条形槽内，本发明通过设置条形槽以及充电组件，省去了传统的充电线+充电头的充电结构，利用导引板和车自身的动力完成充电接头的自动对位和联接，实现自动充电。

公开(公告)号：CN109326682A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201810906340.9

申请日：2018-08-10

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王悦湖 ,  张菊 ,  王雨田 ,  张玉明 ,  宋庆文 ,  汤晓燕 ,  张艺蒙

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/11

Abstract: 本发明涉及一种基于金刚石/InP/SiC双异质结的光电探测二极管及其制备方法，所述方法包括：在SiC衬底的上表面连续生长同质外延层、InP层以及金刚石层；在所述金刚石层的上表面生长第一金属材料，形成光吸收层；在所述SiC衬底的下表面生长第二金属材料，形成底电极；在所述光吸收层的上表面生长第三金属材料，形成顶电极，从而制备出所述基于金刚石/InP/SiC双异质结的光电探测二极管。本发明基于金刚石/InP/SiC双异质结的光电探测二极管及其制备方法将金刚石材料应用于光吸收层，该材料在日盲区的光透率极高，有利于提高光吸收层的光吸收能力，能够大幅提高光电探测二极管的器件性能。

公开(公告)号：CN106876489B

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201710074139.4

申请日：2017-02-10

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 贾仁需 ,  刘银涛 ,  汪钰成 ,  庞体强 ,  张玉明

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的P型双向HHET器件及其制备方法。该方法包括：在选取的衬底材料表面制作FTO导电玻璃；在所述FTO导电玻璃表面制作第一光吸收层；在所述第一光吸收层表面制作第一空穴传输层；在所述第一空穴传输层表面制作源漏电极；在整个衬底表面制作第二空穴传输层；在所述第二空穴传输层表面制备第二光吸收层；在所述第二光吸收层表面制作栅电极，最终形成所述双向HHET器件。本发明通过采用对称的光吸收层，能吸收更多的光产生光生载流子，并采用在透明的蓝宝石生长透明的导电玻璃作为底部栅电极，能实现上下光照都能照射到光吸收层，且采用由CH3NH3PbI3向沟道提供大量的空穴，提高迁移率高，增强传输特性和增加光电转换效率。

公开(公告)号：CN108538926A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810319831.3

申请日：2018-04-11

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 刘琛 ,  吕红亮 ,  余维健 ,  张玉明 ,  张义门

IPC: H01L29/94 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明公开了一种柔性衬底上的InGaAs基MOS电容器及制作方法，主要为了解决传统Ⅲ-V材料的器件只能应用于硬质平面环境，无法应用于柔性环境的问题。其自下而上包括衬底(1)、阴极金属电极(2)、半导体功能薄膜层(3)、氧化层(4)和阳极金属电极(5)，其中衬底采用柔性衬底；半导体薄膜层采用由InGaAs、GaAs和InGaAs三层薄膜层构成力学平衡结构功能层。本发明在具有工作频率高的同时，具有良好的延展和弯曲性，可用于包括柔性显示器、柔性电子标签、人工肌肉及生物信号传感器。

公开(公告)号：CN104679964B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201510125644.8

申请日：2015-03-21

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 吕红亮 ,  王世坤 ,  张义门 ,  张玉明

IPC: G06F17/50

Abstract: 本发明公开了一种基于MATLAB编程的HBT电路芯片温度分析方法，主要解决传统有限元分析方法分析的电路规模小、手工输入功耗繁琐的问题。其主要步骤为：1.获取HBT器件几何尺寸，材料热导率；2.对器件建模，并对单个器件作有限元温度分析；3.把单各器件的温度分布进行函数拟合；4.用电路软件仿真，获取各器件功耗，将其标注在版图上；5.导出GDSII格式版图文件，再转换为DXF格式；6.用MATLAB编程，提取版图上器件的坐标和功耗，计算各器件的工作温度，作出温度分布图。本发明能在集成电路物理设计的时间使用，可用于预测电路工作时HBT器件的稳态温度和版图上的热点位置，提高电路工作稳定性。

公开(公告)号：CN108010844A

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201711138236.1

申请日：2017-11-16

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 吕红亮 ,  张静 ,  赵小红 ,  张玉明 ,  张义门

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778

Abstract: 本发明涉及一种HEMT器件及其制备方法，包括：S101、选取衬底材料；S102、在所述衬底材料表面依次生长第一缓冲层和第二缓冲层；S103、在所述第二缓冲层表面制备沟槽区；S104、在所述沟槽区中依次生长下势垒层、沟道层、隔离层、掺杂层、上势垒层、空穴阻挡层以及帽层；S105、制备栅极、源极和漏极以完成HEMT器件的制备。本发明提供的HEMT器件及其制备方法解决了缓冲层材料易氧化造成器件性能下降的问题；可以将第二缓冲层作为台面刻蚀终止层，在保证器件隔离的效果的同时不会增大栅电流的泄漏，进一步提高了HEMT器件的工作性能。