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公开(公告)号：CN107369763B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201710412534.9
申请日：2017-06-05
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种基于Ga2O3/钙钛矿异质结的光电探测器的制备方法，包括：选取半绝缘半透明衬底；在所述衬底表面淀积形成底电极；在所述底电极表面淀积Ga2O3层；在所述Ga2O3层表面旋涂钙钛矿层；在所述钙钛矿层表面淀积形成顶电极，以完成所述光电探测器的制备。本发明提供的基于Ga2O3/钙钛矿异质结的光电探测器，可以探测从深紫外到近红外的宽范围光谱；具有较高的响应度和探测率，同时具有低的暗电流密度和高的外量子效率；该探测器结构简单、效率高、响应快、工作稳定、使用寿命长，生产成本低，无需昂贵的仪器设备等优点。
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公开(公告)号：CN110350088A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201910470603.0
申请日：2019-05-31
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3和Al2O3材料的MOS电容光敏器件及其制备方法。其中，该制备方法包括步骤：在衬底的第一面生长Al2O3材料，形成栅介质层；在所述栅介质层上生长CH3NH3PbI3材料，形成光吸收层；在所述光吸收层上生长第一电极；在所述衬底的第二面生长第二电极。本发明实施例MOS电容光敏器件采用Al2O3材料作为栅介质层，Al2O3材料为高K栅介质材料，高K栅介质材料使器件在暗态条件下几乎不导通，从而暗态下第一电极与第二电极之间的电流极小，大幅度减少了栅泄漏电流，降低了器件的功耗，提高了器件的光敏特性，有利于减小MOS器件的特征尺寸，实现MOS器件的小型化设计。
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公开(公告)号：CN106449993B
公开(公告)日：2019-03-08
申请号：CN201611123700.5
申请日：2016-12-08
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种采用钙钛矿作为光吸收层的N型HEMT器件及其制备方法。该方法包括：选取衬底材料；采用第一掩膜版在所述衬底材料表面形成源漏电极；在所述衬底材料及所述源漏电极表面生长电子传输层；采用第二掩膜版在所述电子传输层表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层；采用第三掩膜版在所述光吸收层表面生长形成栅电极材料，以完成所述N型HEMT器件的制备。本发明实施例采用电子传输层传输电子阻挡空穴，并采用CH3NH3PbI3向沟道提供大量的电子，制备出的N型HEMT具有迁移率高，开关速度快，光电转换效率大的优点。
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公开(公告)号：CN107302054A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710411589.8
申请日：2017-06-05
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种双异质结光探测器的制备方法，包括：(a)对半绝缘半透明衬底进行清洗；(b)在所述衬底上生长底电极层；(c)在所述底电极层上生长第一MoS2层；(d)在所述第一MoS2层上生长杂化钙钛矿层；(e)在所述杂化钙钛矿层上生长第二MoS2层；(f)在所述第二MoS2层上生长顶电极。本发明杂化钙钛矿双异质结可以使二维材料沟道的背景载流子的完全耗尽，显著降低了器件暗电流，提高器件在弱光下的探测性能；制备工艺简单，生产成本低，无需昂贵的仪器设备等优点；制备的光电探测器可在零栅压、低源漏偏压下工作，具有优异的低功耗特性，且结构简单、效率高、响应快、工作稳定、使用寿命长。
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公开(公告)号：CN106876489A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710074139.4
申请日：2017-02-10
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/0264 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/0264 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的P型双向HHET器件及其制备方法。该方法包括：在选取的衬底材料表面制作FTO导电玻璃；在所述FTO导电玻璃表面制作第一光吸收层；在所述第一光吸收层表面制作第一空穴传输层；在所述第一空穴传输层表面制作源漏电极；在整个衬底表面制作第二空穴传输层；在所述第二空穴传输层表面制备第二光吸收层；在所述第二光吸收层表面制作栅电极，最终形成所述双向HHET器件。本发明通过采用对称的光吸收层，能吸收更多的光产生光生载流子，并采用在透明的蓝宝石生长透明的导电玻璃作为底部栅电极，能实现上下光照都能照射到光吸收层，且采用由CH3NH3PbI3向沟道提供大量的空穴，提高迁移率高，增强传输特性和增加光电转换效率。
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公开(公告)号：CN106505149A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201611122943.7
申请日：2016-12-08
申请人： 西安电子科技大学
CPC分类号： Y02E10/549 , H01L51/428 , H01L51/0077
摘要： 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3/PCBM材料的衬底反光增强型HHMT及其制备方法。该方法包括：选取Al2O3衬底；在衬底下表面形成反光层；在衬底上表面制作源漏电极；在衬底上表面形成空穴传输层；利用旋涂工艺，在空穴传输层表面旋涂CH3NH3PbI3和PCBM混合材料形成光吸收层；在光吸收层表面制作栅电极以最终形成反光增强型HHMT。本发明采用由CH3NH3PbI3向沟道提供大量的空穴，在衬底下表面镀银形成反射增强型HHMT，具有迁移率高，开关速度快，光吸收以及光利用率增强，光生载流子增多，光电转换效率大的优点。另外，采用在光吸收层加入了PCBM材料形成了异质结，能通过对孔洞和空位的填充改善光吸收层薄膜的质量，从而产生更大的晶粒和更少的晶界，吸收更多的光产生光生载流子，增强器件性能。
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公开(公告)号：CN106410045A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201611123706.2
申请日：2016-12-08
申请人： 西安电子科技大学
CPC分类号： Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/428 , H01L51/0077
摘要： 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3材料的P型HHMT晶体管及其制备方法。该方法包括：选取Al2O3材料作为衬底材料；采用第一掩膜版在所述衬底材料表面形成源漏电极；在所述衬底材料及所述源漏电极表面生长空穴传输层；采用第二掩膜版在所述空穴传输层表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层；采用第三掩膜版在所述光吸收层表面生长形成栅电极材料，以完成所述P型HHMT晶体管的制备。本发明实施例采用空穴传输层传输空穴阻挡电子，并采用CH3NH3PbI3向沟道提供大量的空穴，制备出的P型HHMT晶体管具有迁移率高，开关速度快，光电转换效率大的优点。
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公开(公告)号：CN110350088B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910470603.0
申请日：2019-05-31
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3和Al2O3材料的MOS电容光敏器件及其制备方法。其中，该制备方法包括步骤：在衬底的第一面生长Al2O3材料，形成栅介质层；在所述栅介质层上生长CH3NH3PbI3材料，形成光吸收层；在所述光吸收层上生长第一电极；在所述衬底的第二面生长第二电极。本发明实施例MOS电容光敏器件采用Al2O3材料作为栅介质层，Al2O3材料为高K栅介质材料，高K栅介质材料使器件在暗态条件下几乎不导通，从而暗态下第一电极与第二电极之间的电流极小，大幅度减少了栅泄漏电流，降低了器件的功耗，提高了器件的光敏特性，有利于减小MOS器件的特征尺寸，实现MOS器件的小型化设计。
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公开(公告)号：CN108682747B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201810466984.0
申请日：2018-05-16
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种双异质结钙钛矿光电器件及其制备方法，所述制备方法包括：选取Si衬底；在Si衬底的一侧表面沉积金属Al形成下电极；在Si衬底的另一侧表面沉积金属氧化物形成界面缓冲层；在界面缓冲层上沉积CH3NH3PbI3形成光吸收层；在光吸收层上沉积金属Au形成上电极，形成双异质结钙钛矿光电器件。该双异质结钙钛矿光电器件依次包括上电极、CH3NH3PbI3光吸收层、界面缓冲层、Si衬底和下电极。所述双异质结钙钛矿光电器件在Si衬底与CH3NH3PbI3之间包括界面缓冲层，降低Si衬底与CH3NH3PbI3光吸收层之间的能量失配，减少光生电子与光生空穴的复合，提高光电器件的灵敏度。
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公开(公告)号：CN109037451B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201810592174.X
申请日：2018-06-11
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明涉及一种基于CH3NH3PbI3和Y2O3材料的MOS电容光敏器件及其制备方法，包括以下步骤：选取Si衬底；在Si衬底上表面生长Y2O3材料形成栅介质层；在栅介质层上表面生长CH3NH3PbI3材料形成光吸收层；在光吸收层上表面溅射Au材料形成第一电极；在Si衬底下表面溅射Al材料形成第二电极，从而形成基于CH3NH3PbI3材料和Y2O3材料的MOS电容光敏器件。利用CH3NH3PbI3材料作为光吸收层和Y2O3材料作为栅介质层来制备光敏器件，对改善现有光敏器件的性能具有很大的作用，本发明的光敏器件具有低功耗、高灵敏度的特点。
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