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公开(公告)号：CN117766568A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410084935.6
申请日：2024-01-19
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种沟槽二极管雪崩整形器件及其制备方法，N+型衬底层具有斜角侧壁,N‑型外延层的侧壁位于斜角侧壁的延长线上；沟槽区设置于N‑型外延层的上表面下方，沟槽区内间隔设置有若干个沟槽；P+型离子注入区从N‑型外延层的上表面延伸至内部，包括：沟槽注入区和位于沟槽注入区两侧的弧面注入区；沟槽注入区位于沟槽区下方，在沟槽注入区内与沟槽一一对应设置有凸点。本发明通过在P+型离子注入区内设置沟槽注入区并与两侧的弧面注入区相结合，再结合斜角终端特征，弧面注入区与斜角终端形成等效的正斜角结构，缓解了电场集中。若干个凸点进行分压抑制了冶金结拐点位置处的电场集中效应，将电场集中引入体内，利用多点电场集中“准均匀”触发器件。
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公开(公告)号：CN113467562A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110674626.0
申请日：2021-06-17
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明涉及一种高端无运放带隙基准源，包括：PTAT电流产生电路、基准源输出电路和启动电路，其中，PTAT电流产生电路的输出端分别连接基准源输出电路的输入端和启动电路的输入端，PTAT电流产生电路用于产生与温度变化呈正相关的正温度系数电流；基准源输出电路用于产生和输出基准电压；启动电路的输出端分别连接PTAT电流产生电路的输入端和基准源输出电路的输入端，启动电路用于确保高端无运放带隙基准源的启动和工作。本发明的高端带隙基准源，在输入电压变化时，产生一个始终比输入电压低一个带隙电压的参考电压，可广泛应用在高压功率驱动电路中，而且该带隙基准源采用自偏置结构，内部电路不含运算放大器电路，大大降低了电路的功耗和复杂度。
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公开(公告)号：CN112560892A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011239220.1
申请日：2020-11-09
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明实施例提供的一种基于机器学习的DC‑DC电源的健康状态监测方法，通过构建DC‑DC电源退化电路，获取该电路当前时间的退化特征参数，使用训练好的机器学习分类模型对第一特征向量进行识别，确定DC‑DC电源退化电路所属的故障模式，以此确定该电路中发生退化的易退化元件或者易退化元件组合，实现故障元件的精准定位，然后使用训练好的隐马尔科夫模型对第一特征向量识别，确定DC‑DC电源退化电路的健康状态，以此预测电路的寿命。相较于现有技术的故障定位及寿命预测方法，本发明可以更加简洁的实现精准的故障定位以及提高预测DC‑DC电源寿命的准确性。
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公开(公告)号：CN112821768B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202011584117.0
申请日：2020-12-28
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明公开了一种反激同步整流电路，包括：第一同步整流模块，用于产生与原边MOSFET的控制信号互补的副边驱动控制信号；第二同步整流模块，用于根据副边MOSFET的漏极电平和源极电平产生同步整流控制信号；同步整流信号处理模块，用于采集副边驱动控制信号的和同步整流控制信号，并根据所述副边驱动控制信号的上升沿和所述驱动控制信号的下降沿得到所述副边MOSFET的驱动信号；副边驱动模块，所述副边驱动模块用于利用驱动信号驱动所述副边MOSFET。整个反激同步整流电路可以在开始导通和关断时刻均提高反激电路的效率，既可以提高轻载时的效率也可以提高重载时的效率；同时可以抑制次级侧的电压尖峰，提高电路可靠性。
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公开(公告)号：CN119521688A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411461537.8
申请日：2024-10-18
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于多沟槽和浮动结的二极管雪崩整型器及其制备方法，该器件包括SiC衬底、SiC外延层、沟槽区、P+区、浮动结区、负电极和正电极；其中，沟槽区设置在SiC外延层的表层，包括均匀分布的多个沟槽；P+区自沟槽区两侧的SiC外延层上表面向下延伸至沟槽区下方，并形成U型结构；P+区的底部向下形成有多个凸起结构；浮动结区设置在SiC外延层内部的中线位置处，包括多个P+型浮动结；P+型浮动结的数量和沟槽的数量以及凸起结构的数量相同；且多个P+型浮动结对应设置在多个沟槽的正下方。该结构设计可以使器件内部电场分布更加均匀，延展了延迟雪崩发生的范围，提升了器件性能，且无需复杂的掺杂工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118231479A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410250075.9
申请日：2024-03-05
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/861 , H01L29/66 , H01L29/417 , H01L29/08
Abstract: 本发明涉及一种沟槽型SiC‑TVS器件及其制备方法，该器件包括：SiC衬底层；SiC外延层，SiC外延层包括第一基区和若干发射区，第一基区设置于SiC衬底层上，若干发射区间隔设置在所述第一基区上；第一电极，第一电极包括若干发射极和若干基极，每个发射区上设置一发射极，相邻两个发射区之间的第一基区上设置一基极，其中，所有发射极与所有基极短接；第二电极，设置在SiC衬底层的下表面。本发明的器件可以有效地降低正偏P/N结在基区一侧由于少子注入引起的少子堆积，大幅提高了器件的钳位响应速度，使得响应时间达到纳秒级。
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公开(公告)号：CN117832318A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311810472.9
申请日：2023-12-25
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L31/118 , H01L31/0352
Abstract: 本发明提供了一种内嵌梯形浮动结及梯形半超级结的碳化硅辐照探测器，在探测器工作电压不变的情况下，通过在器件灵敏区内设置一层具有梯形横截面特性、不同掺杂类型的半超级结，若干层具有梯形横截面特性、不同掺杂类型的浮动结，使灵敏区体内电场均匀化，提升探测器内部场强，提升探测器的探测效率。内置梯形半超级结可以有效的提升探测器灵敏区深度，使得探测器的探测效率变高；内置梯形浮动结以及梯形半超级结可以降低探测器器件表面电场峰值，从而降低器件表面漏电，减小探测器的本征噪声；将半超级结及浮动结样貌设置为梯形可以加快浮动结、半超级结的耗尽速率，减小梯形浮动结中性区对辐生载流子收集的负面影响，实现低压下辐生载流子的全收集，从而提升探测器的探测效率。
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公开(公告)号：CN117766567A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202410084890.2
申请日：2024-01-19
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种可控型二极管雪崩整型器及其制备方法，雪崩整型器包括：衬底层、N‑外延层、P+外延层、N+区、阴极、第一阳极、第二阳极和氧化层，其中，N+区由P+外延层的部分上表面延伸至P+外延层的内部；第一阳极位于P+外延层上；第二阳极位于N+区上；氧化层位于P+外延层和N+区交界处的上表面，且两端分别与第一阳极、第二阳极接触。通过第二阳极在N+区施加电压，大量电子在衬底层和N+区电势差的作用下，进入P+外延层和N‑外延层之间的P+/N‑结或耗尽层中，为器件发生延迟雪崩提供初始载流子，使得器件发生延迟雪崩，实现器件的可控效果，拓宽了器件的应用场景，提高了器件的性能发挥程度。
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公开(公告)号：CN114185387A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111243447.8
申请日：2021-10-25
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明涉及一种基于电流比较器的低功耗过温保护电路，包括：负温系数产生电路、电流比较器和整形电路，其中，负温系数产生电路的输入端连接偏置电压，输出端连接电流比较器的第一输入端；电流比较器的第二输入端连接偏置电压，输出端连接整形电路的输入端；整形电路的输出端输出过温保护控制信号；负温系数产生电路用于产生与温度负相关的电压信号；电流比较器用于比较负温系数产生电路的输出电流和基准电流；整形电路用于根据比较结果输出过温保护控制信号；电流比较器包括迟滞回路，迟滞回路的输出端与整形电路连接。本发明的电路，具有极低的静态功耗，只需给满足晶体管导通的最小偏置电流，电路即可正常工作，适合低功耗应用。
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公开(公告)号：CN119836047A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411501428.4
申请日：2024-10-25
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种内嵌浮动结的沟槽型碳化硅辐照探测器及其制备方法，包括：衬底；外延层，设置于衬底上，外延层背离衬底的一侧设置有多个沟槽，外延层内设置有多个浮动结，至少设置一列浮动结和一行浮动结；相邻沟槽之间对应至少1列浮动结，相邻沟槽之间对应至少1行浮动结；P+区，设置于外延层背离衬底的一侧，覆盖在沟槽和相邻沟槽之间的平台区上；第一电极，设置于P+区上，覆盖在P+区上；第二电极，设置于衬底背离外延层的一侧，覆盖在衬底上。本发明由于引入浮动结以及沟槽内壁的掺杂区域，使得灵敏区的耗尽区宽度增加，耗尽区内部的电场会使得辐照产生的电子空穴对更好的被收集，从而提高探测器的电荷收集效率。
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