公开(公告)号：CN117832318A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202311810472.9

申请日：2023-12-25

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 韩超 ,  武岩松 ,  钱驰文 ,  郭永征 ,  张玉明

IPC: H01L31/118 ,  H01L31/0352

Abstract: 本发明提供了一种内嵌梯形浮动结及梯形半超级结的碳化硅辐照探测器，在探测器工作电压不变的情况下，通过在器件灵敏区内设置一层具有梯形横截面特性、不同掺杂类型的半超级结，若干层具有梯形横截面特性、不同掺杂类型的浮动结，使灵敏区体内电场均匀化，提升探测器内部场强，提升探测器的探测效率。内置梯形半超级结可以有效的提升探测器灵敏区深度，使得探测器的探测效率变高；内置梯形浮动结以及梯形半超级结可以降低探测器器件表面电场峰值，从而降低器件表面漏电，减小探测器的本征噪声；将半超级结及浮动结样貌设置为梯形可以加快浮动结、半超级结的耗尽速率，减小梯形浮动结中性区对辐生载流子收集的负面影响，实现低压下辐生载流子的全收集，从而提升探测器的探测效率。

公开(公告)号：CN117832305A

公开(公告)日：2024-04-05

申请号：CN202410034665.8

申请日：2024-01-09

Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 ,  西安电子科技大学

Inventor： 韩超 ,  武岩松 ,  钱驰文 ,  郭永征 ,  张玉明

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/102

Abstract: 本发明涉及内嵌梯形浮动结的碳化硅辐照探测器包括：衬底层、第一掺杂类型外延层、多个梯形浮动结、第二掺杂类型外延层、第一欧姆接触电极、第二欧姆接触电极；将第一欧姆接触电极、第二掺杂类型外延层、第一掺杂类型外延层、衬底层和第二欧姆接触电极自上而下排列，多个梯形浮动结为通过离子注入进行掺杂的方式形成于第一掺杂类型外延层内部的梯形结构，且多个梯形浮动结的掺杂类型与第一掺杂类型外延层的掺杂类型不同；多个梯形浮动结两两之间的间距为2μm～10μm，并且多个梯形浮动结各自的上底边与相邻斜边的夹角范围为22°～90°。上述结构的碳化硅辐照探测器利用多个梯形浮动结使得其内部电场均匀化，并降低浮动结全耗尽所需工作电压，提升整体载流子收集效率，提高电荷收集效率以及探测效率。