公开(公告)号：CN109326682A

公开(公告)日：2019-02-12

申请号：CN201810906340.9

申请日：2018-08-10

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王悦湖 ,  张菊 ,  王雨田 ,  张玉明 ,  宋庆文 ,  汤晓燕 ,  张艺蒙

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/11

Abstract: 本发明涉及一种基于金刚石/InP/SiC双异质结的光电探测二极管及其制备方法，所述方法包括：在SiC衬底的上表面连续生长同质外延层、InP层以及金刚石层；在所述金刚石层的上表面生长第一金属材料，形成光吸收层；在所述SiC衬底的下表面生长第二金属材料，形成底电极；在所述光吸收层的上表面生长第三金属材料，形成顶电极，从而制备出所述基于金刚石/InP/SiC双异质结的光电探测二极管。本发明基于金刚石/InP/SiC双异质结的光电探测二极管及其制备方法将金刚石材料应用于光吸收层，该材料在日盲区的光透率极高，有利于提高光吸收层的光吸收能力，能够大幅提高光电探测二极管的器件性能。

公开(公告)号：CN103928532B

公开(公告)日：2017-06-06

申请号：CN201410166376.X

申请日：2014-04-21

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 宋庆文 ,  袁昊 ,  汤晓燕 ,  张艺蒙 ,  贾仁需 ,  王悦湖 ,  张玉明

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L21/265

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅沟槽MOS结势垒肖特基二极管及其制造方法，主要解决器件边缘电场集中效应严重和漏电流过大导致的击穿电压过低和可靠性等问题，其特点是在传统JBS器件结构基础上引入沟槽MOS结构，从而达到缓解P结边缘电场集中，降低漏电流的作用。

公开(公告)号：CN104051043B

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201410299932.0

申请日：2014-06-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  赵亚秋 ,  王悦湖 ,  宋庆文 ,  张玉明

IPC: G21H1/06

Abstract: 本发明公开了一种3D式PIN结构α辐照电池及其制备方法，主要解决当前α辐照电池能量转化率及输出功率低的问题。其实现步骤是：在清洗后的4H-SiC衬底上依次外延生长N型低掺杂4H-SiC外延层和P型高掺杂4H-SiC外延层；再在P型高掺杂外延层上和SiC衬底未外延背面淀积欧姆接触电极；然后在P型欧姆接触电极上光刻出沟槽窗口，并刻蚀沟槽；最后在沟槽中放置α放射源，得到3D式PIN结构α辐照电池。本发明制作出的α辐照电池具有α放射源与半导体接触面积大，核原料利用率及能量收集率高，电池输出电流和输出电压大的优点，可为微小电路持久供电，或在需长期供电但无人看守的场合下供电。

公开(公告)号：CN104064245A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410300662.0

申请日：2014-06-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  赵亚秋 ,  王悦湖 ,  宋庆文 ,  张玉明

IPC: G21H1/06

Abstract: 本发明公开了一种外延GaN的PIN结构α辐照电池及其制备方法，主要解决当前α辐照电池能量转化率及输出功率低的问题。其实现步骤是：在清洗后的4H-SiC衬底上依次外延生长N型低掺杂SiC外延层和P型高掺杂GaN外延层；再在P型高掺杂GaN外延层上淀积P型Ti/Au欧姆接触电极，在SiC衬底未外延背面淀积Ni欧姆接触电极；然后在P型Ti/Au电极上光刻沟槽窗口，并刻蚀沟槽；最后在沟槽中放置α放射源，得到外延GaN的PIN结构α辐照电池。本发明制作出的电池具有放射源与半导体接触面积大，核原料利用率及能量收集率高，电池输出电流和电压大的优点，可为微小电路持久供电，或在需长期供电但无人看守的场合下供电。

公开(公告)号：CN104064242A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410300603.3

申请日：2014-06-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  黄海栗 ,  宋庆文 ,  王悦湖 ,  张玉明

IPC: G21H1/06

Abstract: 本发明公开了一种夹心并联式外延GaN的PIN型β辐照电池及制备方法，主要解决当前核电池能量转化率及输出功率低的问题。其包括：并联的上下两个PIN结和β放射源层；下PIN结自上而下依次为，P型欧姆接触电极、P型高掺杂GaN外延层、N型高掺杂4H-SiC衬底、N型低掺杂SiC外延层和N型欧姆接触电极，上PIN结自下而上的结构分布与下PIN结自上而下的结构分布相同；β放射源层夹在上下两个PIN结的P型欧姆接触电极之间，以实现对高能β粒子的充分利用。本发明具有放射源与半导体接触面积大，核原料利用率及能量收集率高，电池输出电压大的优点，可为微小电路持久供电，或为极地、沙漠场合供电。

公开(公告)号：CN104051050A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410301092.7

申请日：2014-06-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  赵亚秋 ,  王悦湖 ,  张艺蒙 ,  张玉明

IPC: G21H1/06

Abstract: 本发明公开了一种并联式PIN型α辐照电池及其制备方法，主要解决当前核电池能量转化率及输出功率低的问题。其包括：并联的上、下两个PIN结和α放射源；下PIN结自下而上依次为，N型欧姆接触电极、N型高掺杂4H-SiC衬底、N型低掺杂外延层、P型高掺杂外延层和P型欧姆接触电极，上PIN结自上而下的结构分布与下PIN结自下而上的结构分布相同；每个PIN结中有至少两个沟槽，每个沟槽内均放置有α放射源；两个PIN结通过P型欧姆接触电极相接触,上下沟槽镜面对称且相互贯通。本发明具有放射源与半导体接触面积大，核原料利用率及能量收集率高，电池输出电压大的优点，可为微小电路持久供电，或为极地、沙漠等场合供电。

公开(公告)号：CN104051045A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410299971.0

申请日：2014-06-29

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 郭辉 ,  赵亚秋 ,  宋庆文 ,  王悦湖 ,  张玉明

IPC: G21H1/06

Abstract: 本发明公开了一种串联式PIN结构α辐照电池及其制备方法，主要解决现有技术中制作碳化硅辐照电池能量转换效率低、输出电压有限的问题。其由上下两个串联的PIN结构成；上PIN结包括N型外延层欧姆接触电极、N型高掺杂外延层、P型低掺杂外延层、P型高掺杂SiC衬底、P型欧姆接触电极；下PIN结包括N型欧姆接触电极、N型高掺杂SiC衬底、N型低掺杂外延层、P型高掺杂外延层、P型外延层欧姆接触电极；每个PIN结中包含多个沟槽，这两个PIN结通过其外延层欧姆接触电极相接触，上下沟槽镜像对称且相互贯通，每个沟槽内均放置α放射源。本发明具有核原料利用率及能量收集率高，电池输出电压大的优点，可为微小电路持久供电。

公开(公告)号：CN103928532A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201410166376.X

申请日：2014-04-21

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 宋庆文 ,  袁昊 ,  汤晓燕 ,  张艺蒙 ,  贾仁需 ,  王悦湖 ,  张玉明

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L29/8725 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/6606

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅沟槽MOS结势垒肖特基二极管及其制造方法，主要解决器件边缘电场集中效应严重和漏电流过大导致的击穿电压过低和可靠性等问题，其特点是在传统JBS器件结构基础上引入沟槽MOS结构，从而达到缓解P结边缘电场集中，降低漏电流的作用。

公开(公告)号：CN102610500B

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201210077366.X

申请日：2012-03-22

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王悦湖 ,  张晓朋 ,  张玉明 ,  杨阳

IPC: H01L21/205

Abstract: 本发明公开了一种N型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，主要解决现有技术无法实现碳化硅高质量重掺杂的问题，其实现步骤是：先把碳化硅衬底放入反应室；在氢气流中加热反应室，当温度达到1400℃后，在氢气流中加入C3H8；当温度达到1580℃后，对衬底进行原位刻蚀10～30min；其后保持反应室温度1580℃，气压100～700mbar，在10～20L/min的氢气流中加入流量为15～24mL/min的SiH4，流量为5～8mL/min C3H8和流量为2000mL/min的N2，生长外延层；生长结束后，在氢气流中冷却；最后充入氩气。本发明制备的碳化硅外延层掺杂浓度在1×1019cm-3以上，掺杂均匀，表面平整，可用于制作碳化硅器件。

公开(公告)号：CN102592976A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210077304.9

申请日：2012-03-22

Applicant: 西安电子科技大学

Inventor： 王悦湖 ,  杨阳 ,  张玉明 ,  张晓朋

IPC: H01L21/04

Abstract: 本发明公开了一种P型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法，主要解决现有技术无法实现碳化硅高质量重掺杂的问题，其实现步骤是：先将碳化硅衬底放入反应室；在氢气流中加热反应室，当温度达到1400℃后，在氢气流中加入C3H8；当温度达到1580℃后，对衬底进行原位刻蚀10～30min；其后保持反应室温度1580℃，气压100mbar，在20L/min的氢气流中加入流量为15～24mL/min的SiH4，流量为5～10mL/min的C3H8和流量为3.2×10-5mol/min的三甲基铝，生长外延层；生长结束后，在氢气流中冷却；最后向反应室充入氩气至常压。本发明制备的碳化硅外延层掺杂浓度在4×1019cm-3～4.6×1019cm-3，掺杂均匀，表面平整，可用于制作碳化硅器件。