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公开(公告)号：CN112821768A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011584117.0
申请日：2020-12-28
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明公开了一种反激同步整流电路，包括：第一同步整流模块，用于产生与原边MOSFET的控制信号互补的副边驱动控制信号；第二同步整流模块，用于根据副边MOSFET的漏极电平和源极电平产生同步整流控制信号；同步整流信号处理模块，用于采集副边驱动控制信号的和同步整流控制信号，并根据所述副边驱动控制信号的上升沿和所述驱动控制信号的下降沿得到所述副边MOSFET的驱动信号；副边驱动模块，所述副边驱动模块用于利用驱动信号驱动所述副边MOSFET。整个反激同步整流电路可以在开始导通和关断时刻均提高反激电路的效率，既可以提高轻载时的效率也可以提高重载时的效率；同时可以抑制次级侧的电压尖峰，提高电路可靠性。
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公开(公告)号：CN112821768B
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202011584117.0
申请日：2020-12-28
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明公开了一种反激同步整流电路，包括：第一同步整流模块，用于产生与原边MOSFET的控制信号互补的副边驱动控制信号；第二同步整流模块，用于根据副边MOSFET的漏极电平和源极电平产生同步整流控制信号；同步整流信号处理模块，用于采集副边驱动控制信号的和同步整流控制信号，并根据所述副边驱动控制信号的上升沿和所述驱动控制信号的下降沿得到所述副边MOSFET的驱动信号；副边驱动模块，所述副边驱动模块用于利用驱动信号驱动所述副边MOSFET。整个反激同步整流电路可以在开始导通和关断时刻均提高反激电路的效率，既可以提高轻载时的效率也可以提高重载时的效率；同时可以抑制次级侧的电压尖峰，提高电路可靠性。
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公开(公告)号：CN119396637A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411417986.2
申请日：2024-10-11
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F11/22
Abstract: 本发明公开了一种SPI通信模块及SPI通信系统，属于集成电路技术领域，SPI通信模块包括SPI功能模块和测试模块，且测试模块的测试逻辑与SPI功能模块的功能逻辑相互独立；测试模块包括若干测试寄存器；若干测试寄存器基于CPU的配置，控制SPI通信模块工作在正常模式或测试模式；当SPI通信模块工作在正常模式时，测试模块不工作，SPI功能模块正常进行通信功能；当SPI通信模块工作在测试模式时，通过对若干测试寄存器进行读写访问，可以监控SPI功能模块的输入信号和输出信号，从而实现对SPI通信模块的测试。该设计可以帮助用户快速定位错误源头，降低了测试难度，提高了测试效率，同时还提高了测试覆盖率。
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公开(公告)号：CN118604969A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410803378.9
申请日：2024-06-20
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G02B6/48
Abstract: 本发明涉及一种适用于微射流激光技术的光纤支架，包括：第一支撑系统、第二支撑系统和桥架；第一支撑系统设置于微射流激光设备的附机柜上，第二支撑系统设置于微射流激光设备的主机箱上；第一支撑系统上设置有第一滑轮，第二支撑系统上设置有第二滑轮，第一滑轮沿第一方向设置，第二滑轮沿第二方向设置；第一支撑系统和第二支撑系统之间连接有桥架，桥架的高度可调节；光纤绕过第一滑轮，沿桥架放置，并在第二滑轮上缠绕若干圈后连接微射流激光设备的激光光学头；第一方向和第二方向之间的夹角范围为85°至95°。本发明的设置于微射流设备的非功能区，不影响设备运行，桥架的高度可调节便于拆装，设置有滑轮满足了光纤的折弯半径。
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公开(公告)号：CN117526903A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311279854.3
申请日：2023-09-28
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种产生高频电压脉冲包器件、电路及其驱动方法，属于脉冲功率技术领域，包括：光导开关模块，光导开关模块与高电压源端电连接；光导开关模块包括光导开关和固定在光导开关上的金属线圈，光导开光响应于激光脉冲和高压信号，产生电压脉冲，金属线圈感应出感生电动势，产生一组电压脉冲包。本发明能够通过控制光导开关的输出波形来控制金属线圈的输出波形，容易在更短时间内输出一定幅度的电压脉冲。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114122188B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202111315920.9
申请日：2021-11-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0336 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种表面优化的异质结紫外光电晶体管及其制备方法，紫外光电晶体管包括N型4H‑SiC衬底；依次设置于所述N型4H‑SiC衬底的上表面的P型4H‑SiC缓冲层、N型4H‑SiC发射区、P型4H‑SiC基区和N型4H‑SiC集电区；梯形凹槽，贯穿所述N型4H‑SiC集电区直至所述P型4H‑SiC基区的上表面；CaFCl层，设置于所述梯形凹槽内，且与所述N型4H‑SiC集电区的上表面齐平；漏斗形槽阵列，设置于所述CaFCl层和所述N型4H‑SiC集电区上；集电极欧姆接触层，设置于所述CaFCl层中间位置的上表面，以及所述N型4H‑SiC集电区两端的上表面；发射极欧姆接触层，设置于所述N型4H‑SiC衬底的下表面。本发明可以应用于高速探测上。
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公开(公告)号：CN112054053B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202010760101.4
申请日：2020-07-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/45 , H01L29/16 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种具有超高散热性能的SiC基欧姆接触制备方法，包括：选取SiC衬底；在SiC衬底的正面外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构；在石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜；在SiC衬底的背面溅射Ni金属形成背面电极；通过光刻法在Au膜上形成第一转移电极图形；刻蚀掉未被第一转移电极图形覆盖的Au膜；刻蚀掉未被Au膜覆盖的石墨烯；通过光刻法在Au膜上形成第二转移电极图形；刻蚀掉未被第二转移电极图形覆盖的Au膜；在Au膜上淀积Au材料形成正面电极，并进行退火处理。本发明方法为一种切实可行的制备方案，与传统的欧姆接触结构相比，高温电学性能更好，更加稳定，且比接触电阻率可以达到10‑7～10‑8量级。
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公开(公告)号：CN113770541A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110769582.X
申请日：2021-07-07
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: B23K26/362 , B23K26/146 , B23K26/60 , B23K26/70
Abstract: 本发明提供的一种SiC衬底水导激光打标方法，通过控制水射流激光加工技术中的水射流水柱直径以及水射流激光喷头的行进速度、水射流喷头的行进轨迹对抛光后的SiC晶片进行快速一次成型打标，避免了剧烈热效应，热影响区小。本发明具有低热效应、热影响区小优点，实用于刻印热效应敏感的材料。
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公开(公告)号：CN113649706A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110769581.5
申请日：2021-07-07
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: B23K26/38 , B23K26/146 , B23K26/60 , B23K26/70
Abstract: 本发明提供的一种基于水射流激光的SiC晶片高效倒角方法，通过控制水射流激光加工技术中的激光能量、水射流特征尺寸和切割时间、水射流喷头行进速度对SiC单晶进行倒角加工，本发明的加工工艺可有效降低传统倒角方式所带来的剧烈热效应和应力，从而提高产品的成品率。
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