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公开(公告)号：CN113770541A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110769582.X
申请日：2021-07-07
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: B23K26/362 , B23K26/146 , B23K26/60 , B23K26/70
Abstract: 本发明提供的一种SiC衬底水导激光打标方法，通过控制水射流激光加工技术中的水射流水柱直径以及水射流激光喷头的行进速度、水射流喷头的行进轨迹对抛光后的SiC晶片进行快速一次成型打标，避免了剧烈热效应，热影响区小。本发明具有低热效应、热影响区小优点，实用于刻印热效应敏感的材料。
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公开(公告)号：CN113649706A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110769581.5
申请日：2021-07-07
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: B23K26/38 , B23K26/146 , B23K26/60 , B23K26/70
Abstract: 本发明提供的一种基于水射流激光的SiC晶片高效倒角方法，通过控制水射流激光加工技术中的激光能量、水射流特征尺寸和切割时间、水射流喷头行进速度对SiC单晶进行倒角加工，本发明的加工工艺可有效降低传统倒角方式所带来的剧烈热效应和应力，从而提高产品的成品率。
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公开(公告)号：CN113649707B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202110770719.3
申请日：2021-07-07
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: B23K26/38 , B23K26/146 , B23K26/60 , B23K26/70
Abstract: 本发明提供的一种SiC晶体的滚圆与晶片参考面一次成型的加工方法，通过控制水射流激光加工技术中的激光能量、滚圆尺寸以及参考面位置与大小、水射流喷头的行进轨迹对SiC单晶进行滚圆以及参考面一次成型加工，本发明的加工工艺可有效降低减少了工艺步骤，节约了晶体加工成本。
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公开(公告)号：CN113649707A
公开(公告)日：2021-11-16
申请号：CN202110770719.3
申请日：2021-07-07
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC: B23K26/38 , B23K26/146 , B23K26/60 , B23K26/70
Abstract: 本发明提供的一种SiC晶体的滚圆与晶片参考面一次成型的加工方法，通过控制水射流激光加工技术中的激光能量、滚圆尺寸以及参考面位置与大小、水射流喷头的行进轨迹对SiC单晶进行滚圆以及参考面一次成型加工，本发明的加工工艺可有效降低减少了工艺步骤，节约了晶体加工成本。
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