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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114122188B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202111315920.9
申请日：2021-11-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0336 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种表面优化的异质结紫外光电晶体管及其制备方法，紫外光电晶体管包括N型4H‑SiC衬底；依次设置于所述N型4H‑SiC衬底的上表面的P型4H‑SiC缓冲层、N型4H‑SiC发射区、P型4H‑SiC基区和N型4H‑SiC集电区；梯形凹槽，贯穿所述N型4H‑SiC集电区直至所述P型4H‑SiC基区的上表面；CaFCl层，设置于所述梯形凹槽内，且与所述N型4H‑SiC集电区的上表面齐平；漏斗形槽阵列，设置于所述CaFCl层和所述N型4H‑SiC集电区上；集电极欧姆接触层，设置于所述CaFCl层中间位置的上表面，以及所述N型4H‑SiC集电区两端的上表面；发射极欧姆接触层，设置于所述N型4H‑SiC衬底的下表面。本发明可以应用于高速探测上。
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公开(公告)号：CN114122188A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202111315920.9
申请日：2021-11-08
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L31/11 , H01L31/0336 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种表面优化的异质结紫外光电晶体管及其制备方法，紫外光电晶体管包括N型4H‑SiC衬底；依次设置于所述N型4H‑SiC衬底的上表面的P型4H‑SiC缓冲层、N型4H‑SiC发射区、P型4H‑SiC基区和N型4H‑SiC集电区；梯形凹槽，贯穿所述N型4H‑SiC集电区直至所述P型4H‑SiC基区的上表面；CaFCl层，设置于所述梯形凹槽内，且与所述N型4H‑SiC集电区的上表面齐平；漏斗形槽阵列，设置于所述CaFCl层和所述N型4H‑SiC集电区上；集电极欧姆接触层，设置于所述CaFCl层中间位置的上表面，以及所述N型4H‑SiC集电区两端的上表面；发射极欧姆接触层，设置于所述N型4H‑SiC衬底的下表面。本发明可以应用于高速探测上。
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公开(公告)号：CN119815946A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411916530.0
申请日：2024-12-24
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低噪声碳化硅NPN光电晶体管，包括：沿第一方向设置的n型过渡层、n+埋层、n‑缓冲层、p型基区层、n型集电层和覆盖第一隔离沟槽的SiO2氧化层，第一隔离沟槽位于p型基区层沿与第一方向垂直的第二方向的两侧；具有高掺杂浓度的n+埋层在n型过渡层中沿第二方向间隔排列；具有低掺杂浓度的n‑缓冲层位于n型过渡层和n+埋层的上表面；p型基区层位于n‑缓冲层的上表面；n型集电层位于p型基区层中背离n‑缓冲层的一侧，沿第二方向，n型集电层的宽度小于p型基区层的宽度，并且，n型集电层不与位于第一隔离沟槽的SiO2氧化层接触。本发明能够大大减少侧壁的漏电流，提升噪声性能和光暗电流比。
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公开(公告)号：CN114141766B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202111314329.1
申请日：2021-11-08
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种集成的紫外光电晶体管放大电路结构及其制备方法，晶体管包括：N型4H‑SiC衬底；依次设置于所述N型4H‑SiC衬底上表面的P型4H‑SiC缓冲层和N型4H‑SiC外延层；BJT结构和MOSFET结构，设置于所述N型4H‑SiC外延层上；体电阻结构，设置于所述BJT结构和所述MOSFET结构之间的所述N型4H‑SiC外延层上；隔离结构，设置于相邻所述BJT结构与所述体电阻结构之间，以及相邻所述体电阻结构与所述MOSFET结构之间；氧化保护结构，设置于所述BJT结构、所述MOSFET结构和所述体电阻结构上；互联结构，连接所述BJT结构和所述体电阻结构，以及连接所述体电阻结构和所述MOSFET结构。本发明实现了紫外光电信号的高效转换，以及体电阻设计思路为碳化硅集成电路的匹配设计提供基础。
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公开(公告)号：CN114141766A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111314329.1
申请日：2021-11-08
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种集成的紫外光电晶体管放大电路结构及其制备方法，晶体管包括：N型4H‑SiC衬底；依次设置于所述N型4H‑SiC衬底上表面的P型4H‑SiC缓冲层和N型4H‑SiC外延层；BJT结构和MOSFET结构，设置于所述N型4H‑SiC外延层上；体电阻结构，设置于所述BJT结构和所述MOSFET结构之间的所述N型4H‑SiC外延层上；隔离结构，设置于相邻所述BJT结构与所述体电阻结构之间，以及相邻所述体电阻结构与所述MOSFET结构之间；氧化保护结构，设置于所述BJT结构、所述MOSFET结构和所述体电阻结构上；互联结构，连接所述BJT结构和所述体电阻结构，以及连接所述体电阻结构和所述MOSFET结构。本发明实现了紫外光电信号的高效转换，以及体电阻设计思路为碳化硅集成电路的匹配设计提供基础。
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